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安森美半導(dǎo)體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)器將在歐洲PCIM 2019推出

  • 2019年4月30日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，將于5月7日開(kāi)始的德國(guó)紐倫堡歐洲PCIM 2019展會(huì)推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場(chǎng)截止IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù)，提供低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗，用于多方面的電源應(yīng)用，包括那些將得益于更低反向恢復(fù)損耗的應(yīng)用，如基于圖騰柱的無(wú)橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢(shì)壘
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sic肖特基二極管技術(shù)介紹

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