美光內(nèi)存路線圖：10nm級(jí)工藝多達(dá)六種 單條64GB馬上來(lái)

不同于CPU處理器等邏輯芯片的制造工藝都精確到具體數(shù)值，閃存、內(nèi)存工藝一直都是很模糊的叫法，比如10nm-class(10nm級(jí)別)，只是介于20nm和10nm之間，然后又分為1xnm、1ynm、1znm等不同版本，越來(lái)越先進(jìn)，越來(lái)越接近真正的10nm。

隨著先進(jìn)半導(dǎo)體工藝難度的急劇上升，Intel這樣的巨頭都開(kāi)始吃不消，在工藝上一貫精打細(xì)算的閃存內(nèi)存廠商也走出了一條新路，比如美光。

相比三星、SK海力士，美光雖然也是DRAM內(nèi)存巨頭之一，但工藝一直不算很先進(jìn)，10nm級(jí)上更是玩出了花活，擠牙膏手法之新穎讓Intel都會(huì)自嘆弗如。

美光早已有了成熟的第一代10nm級(jí)工藝也就是1xnm，目前正在擴(kuò)大產(chǎn)能的是第二代1ynm，生產(chǎn)對(duì)象有12Gb LPDDR4X、16Gb DDR4顆粒等。

當(dāng)前美光正在與客戶(hù)驗(yàn)證第三代1znm，預(yù)計(jì)很快就會(huì)官宣，并在2020財(cái)年(今年9月開(kāi)始)投入量產(chǎn)，據(jù)稱(chēng)會(huì)主要用來(lái)生產(chǎn)16Gb LPDDR5、DDR5顆粒。

按照DRAM內(nèi)存行業(yè)以往的慣例，接下來(lái)就要超越10nm級(jí)工藝了，但想進(jìn)入個(gè)位數(shù)時(shí)代實(shí)在太難，美光計(jì)劃在1nm級(jí)上多呆幾年，并準(zhǔn)備了至少三種新的10nm級(jí)工藝：1αnm、1βnm、1γnm——沒(méi)錯(cuò)，都用上希臘字母了。

如此一來(lái)，美光將會(huì)有多達(dá)六種10nm級(jí)工藝，有調(diào)研機(jī)構(gòu)稱(chēng)美光其實(shí)還有個(gè)升級(jí)版的1xsnm，但沒(méi)有得到官方確認(rèn)，如果屬實(shí)將有七種，切不排除未來(lái)增加更多版本。

1αnm、1βnm、1γnm當(dāng)然會(huì)一個(gè)比一個(gè)更先進(jìn)，一個(gè)比一個(gè)更逼近10nm，不過(guò)具體細(xì)節(jié)美光暫未披露，只是說(shuō)會(huì)在1βnm、1γnm階段會(huì)用上沉浸式四重曝光技術(shù)，比現(xiàn)在的雙重曝光、三重曝光更復(fù)雜。

同時(shí)，美光還在評(píng)估EUV極紫外光刻技術(shù)，預(yù)計(jì)屆時(shí)只需雙重曝光，可大大降低工藝復(fù)雜度，但具體什么時(shí)候、在哪代工藝上使用，美光還沒(méi)有做出決定。

美光估計(jì)，DRAM內(nèi)存生產(chǎn)中每一個(gè)EUV層需要1.5-2套EUV光刻機(jī)，月產(chǎn)能可達(dá)10萬(wàn)片晶圓，CPU等邏輯芯片則需要一個(gè)EUV層對(duì)應(yīng)一臺(tái)EUV光刻機(jī)，月產(chǎn)能也僅有4.5萬(wàn)片晶圓。

目前，臺(tái)積電、三星已經(jīng)開(kāi)始在7nm工藝升級(jí)版上部分引入EUV，接下來(lái)的5nm上會(huì)全面部署，DRAM內(nèi)存行業(yè)顯然不會(huì)那么快。 

另外，臺(tái)北電腦展上我們已經(jīng)見(jiàn)到威剛、英睿達(dá)(美光消費(fèi)級(jí)品牌)展示單條32GB DDR4 UDIMM消費(fèi)級(jí)內(nèi)存條，使用的都是美光最新的1ynm 16Gb DDR4顆粒。

美光透露，還會(huì)用這種顆粒制造單條64GB容量的RDIMM服務(wù)器內(nèi)存。