臺(tái)積電打造40納米無(wú)線系統(tǒng)SoC

臺(tái)積電、Ambiq Micro2日共同宣布，采用臺(tái)積電40納米超低功耗（40ULP）技術(shù)生產(chǎn)的Apollo3 Blue無(wú)線系統(tǒng)單芯片（SoC）締造領(lǐng)先全球的最佳功耗表現(xiàn)。

臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)副總經(jīng)理張曉強(qiáng)博士表示，很興奮見(jiàn)證Ambiq設(shè)計(jì)技術(shù)、臺(tái)積電制程專業(yè)所打造的成果。他強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電憑借業(yè)界最具規(guī)模的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)，持續(xù)開(kāi)發(fā)55ULP、40ULP到22ULL等的完備低操作電壓制程組合，樂(lè)觀未來(lái)協(xié)助客戶生產(chǎn)智能化的互聯(lián)設(shè)備，使產(chǎn)品能隨時(shí)以簡(jiǎn)單、直觀方式與使用者互動(dòng)。

Ambiq Micro營(yíng)銷(xiāo)副總裁Aaron Grassian則說(shuō)，采用臺(tái)積電低操作電壓制程技術(shù)來(lái)打造下一代具備SPOT能力的設(shè)備。Ambiq Micro持續(xù)提升產(chǎn)品能源效率，協(xié)助客戶將真正智能化功能置入電池供電的移動(dòng)設(shè)備。

臺(tái)積電表示，借由Ambiq的亞閾值功率優(yōu)化技術(shù)（Subthreshold Power Optimized Technology, SPOT）平臺(tái)與臺(tái)積電40ULP低操作電壓（low-Vdd）制程，具備TurboSPOTTM技術(shù)的Apollo3 Blue樹(shù)立起能源效率的新標(biāo)準(zhǔn)。

并說(shuō)明，Apollo3 Blue將ARM Cortex M4F核心運(yùn)算能力提升至96MHz，操作功耗降至6uA/MHz以下，可支持電池供電的設(shè)備產(chǎn)品。該芯片卓越性能讓Ambiq業(yè)務(wù)延伸到電池供電的智能家庭設(shè)備，以及需隨時(shí)保持開(kāi)啟的聲控應(yīng)用，如遙控器與耳戴設(shè)備等產(chǎn)品等嶄新市場(chǎng)。

臺(tái)積電指出，40ULP技術(shù)藉由低漏電晶體管來(lái)進(jìn)行節(jié)能，其中包括閘極及接面在內(nèi)的所有漏電路徑皆經(jīng)過(guò)仔細(xì)的優(yōu)化。此外，臺(tái)積電亦提供超低漏電晶體管（eHVT）及超低漏電(ULL)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的單位元，低操作電壓解決方案結(jié)合數(shù)種不同臨界電壓晶體管與完備的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)架構(gòu)，包括支援0.7伏操作電壓并具備時(shí)序簽核方法的標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)、支援低操作電壓的優(yōu)化設(shè)計(jì)流程、以及涵蓋低操作電壓且具有準(zhǔn)確性與寬廣范圍的SPICE模型。

另外，繼40ULP之后，臺(tái)積電擴(kuò)展低電壓組合至22ULL以支持極低功耗應(yīng)用，提供更佳的射頻與加強(qiáng)的類(lèi)比功能，以及低漏電eHVT裝置與超低漏電靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的單位元。臺(tái)積電透露，此項(xiàng)技術(shù)支援低電壓設(shè)計(jì)，將操作電壓降至0.6伏，并且搭配芯片上的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）及電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）以實(shí)現(xiàn)低漏電嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器解決方案，支援物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的應(yīng)用。