臺積電推出N7P和N5P制程

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晶圓代工龍頭臺積電先進(jìn)制程又有新產(chǎn)品推出！根據(jù)國外科技媒體《anandtech》報導(dǎo)，臺積電已悄然推出 7 納米深紫外 DUV（N7）和 5 納米極紫外 EUV（N5）制程的性能增強(qiáng)版本。兩代號稱為 N7P 和 N5P 制程技術(shù)，專門為需要 7 納米設(shè)計運算更快，或消耗電量更少的客戶所設(shè)計。

報導(dǎo)指出，臺積電全新 N7P 制程技術(shù)采用與 N7 相同設(shè)計規(guī)則，但優(yōu)化前端（FEOL）和中端（MOL）架構(gòu)，可在相同耗能下，將性能提升 7%，或者在相同的性能頻率下，降低 10% 的能耗。

全新的 N7P 制程技術(shù)，臺積電最早是于今年在日本舉辦的 VLSI 研討會透露相關(guān)訊息，不過沒有廣泛宣傳。N7P 目前采用經(jīng)驗證的深紫外（DUV）光刻技術(shù)，與 N7 制程技術(shù)相比，沒有改變電晶體密度。針對需要電晶體密度高出約 18%~20% 的客戶，臺積電預(yù)計建議使用 N7+ 或 N6 制程技術(shù)。N6 制程技術(shù)是透過極紫外（EUV）光刻技術(shù)進(jìn)行晶圓多層處理。

報導(dǎo)進(jìn)一步指出，除了 N7P 的新制程技術(shù)，臺積電下一個有顯著電晶體密度提升、改進(jìn)功耗和性能的主要制程節(jié)點，就是 5 納米 N5 制程技術(shù)。臺積電為此特提供定名為 N5P 的性能增強(qiáng)版本，采用 FEOL 和 MOL 優(yōu)化功能，以便在相同功率下使芯片運行速度提高 7%，或在相同頻率下將功耗降低 15%。