SK海力士宣布開發(fā)第三代1Znm內(nèi)存芯片

近日，SK海力士今天宣布開發(fā)適用第三代1Z納米DDR4 DRAM，據(jù)稱，這款芯片實現(xiàn)了單一芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)業(yè)界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲量也是現(xiàn)存的DRAM內(nèi)最大。

與上一代1Y產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的生產(chǎn)率提高了約27%，由于可以在不適用超高價的EUV（極紫外光刻）曝光工藝的情況下進行生產(chǎn)，其在成本上具有競爭優(yōu)勢。

新款1Z納米DRAM支持高達3200 Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，據(jù)稱是DDR4規(guī)格內(nèi)最高速度。在功耗方面，與基于第二代8Gb產(chǎn)品的相同容量模組相比，功耗降低約40%。

第三代產(chǎn)品適用前一代生產(chǎn)工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關(guān)鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還引進了新的設(shè)計技術(shù)，提高了動作穩(wěn)定性。

接下來，SK海力士計劃將第三代10納米級微細工程技術(shù)擴展到多種應(yīng)用領(lǐng)域，包括下一代移動DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

DRAM 1Z開發(fā)事業(yè)TF長李廷燻表示，該芯片計劃年內(nèi)完成批量生產(chǎn)，從明年開始正式供應(yīng)。