ASML研發(fā)下一代EUV光刻機(jī)：分辨率提升70% 逼近1nm極限

在EUV光刻機(jī)方面,荷蘭ASML(阿斯麥)公司壟斷了目前的EUV光刻機(jī),去年出貨26臺(tái),創(chuàng)造了新紀(jì)錄。據(jù)報(bào)道,ASML公司正在研發(fā)新一代EUV光刻機(jī),預(yù)計(jì)在2022年開始出貨。

根據(jù)ASML之前的報(bào)告,去年他們出貨了26臺(tái)EUV光刻機(jī),預(yù)計(jì)2020年交付35臺(tái)EUV光刻機(jī),2021年則會(huì)達(dá)到45臺(tái)到50臺(tái)的交付量,是2019年的兩倍左右。

目前ASML出貨的光刻機(jī)主要是NXE:3400B及改進(jìn)型的NXE:3400C,兩者基本結(jié)構(gòu)相同,但NXE:3400C采用模塊化設(shè)計(jì),維護(hù)更加便捷,平均維修時(shí)間將從48小時(shí)縮短到8-10小時(shí),支持7nm、5nm。

此外,NXE:3400C的產(chǎn)能也從之前的125WPH(每小時(shí)處理晶圓數(shù))提升到了175WPH。

不論NXE:3400B還是NXE:3400C,目前的EUV光刻機(jī)還是第一代,主要特點(diǎn)是物鏡系統(tǒng)的NA(數(shù)值孔徑)為0.33。

ASML最近紕漏他們還在研發(fā)新一代EUV光刻機(jī)EXE:5000系列,NA指標(biāo)達(dá)到了0.55,主要合作伙伴是卡爾蔡司、IMEC比利時(shí)微電子中心。

與之前的光刻機(jī)相比,新一代光刻機(jī)意味著分辨率提升了70%左右,可以進(jìn)一步提升光刻機(jī)的精度,畢竟ASML之前的目標(biāo)是瞄準(zhǔn)了2nm甚至極限的1nm工藝的。

不過新一代EUV光刻機(jī)還有點(diǎn)早,至少到2022年才能出貨,大規(guī)模出貨要到2024年甚至2025年,屆時(shí)臺(tái)積電、三星等公司確實(shí)要考慮3nm以下的制程工藝了。