EPC和Microchip公司攜手開發(fā)用于高功率密度計算應用和數(shù)據(jù)中心的 300 W、1/16磚式48 V/12 V DC/DC轉(zhuǎn)換器演示板

美國微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）的數(shù)字信號控制器（DSC）與宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的超高效氮化鎵場效應晶體管（eGaN^?FET）的結(jié)合，可實現(xiàn)最佳功率密度（730 W/in³），從而實現(xiàn)高效、低成本的DC-DC轉(zhuǎn)換。

EPC公司 宣布推出1/16磚式、300 W DC/DC穩(wěn)壓器（ EPC9143 ）。 EPC9143功率模塊把Microchip  dsPIC33CK 數(shù)字信號控制器（DSC）和最新一代eGaN FET（ EPC2053 ）集成在一起，實現(xiàn)25 A、48 V/12 V和96％效率的功率轉(zhuǎn)換。

500 kHz開關頻率在非常小的1/16磚式轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)300 W功率，其尺寸僅為33 毫米 x 22.9 毫米（1.3 x 0.9英寸）。

可擴展的兩相設計可以增加相數(shù)，從而進一步提高功率。 由于Microchip數(shù)字控制器具有高靈活性，因此允許在8 V至72 V范圍內(nèi)調(diào)節(jié)輸入電壓，而輸出電壓在3.3 V至25 V范圍內(nèi)。

磚式DC/DC轉(zhuǎn)換器廣泛用于 數(shù)據(jù)中心 、電信和 汽車應用 ，可將48 V標稱電壓轉(zhuǎn)換為12 V配電總線輸出電壓。 鑒于給定的外形尺寸，業(yè)界的主要趨勢是朝著需要更高的功率密度方向發(fā)展。 其中一個主要應用，是高密度48V/12V負載點（POL）轉(zhuǎn)換器，需要12V輸出的穩(wěn)壓功率，例如用于通用PCIe卡和存儲。

eGaN^?FET和集成電路 具備快速開關、小尺寸和低成本等優(yōu)勢，能夠以少元件數(shù)量和低成本滿足這些前沿應用對功率密度的嚴格要求。

EPC首席執(zhí)行官Alex Lidow 表示：“先進的計算應用對功率轉(zhuǎn)換器的要求越來越高，但硅基功率轉(zhuǎn)換器在性能方面未能滿足這些要求。我們很高興與這個領域的全球領先供應商Microchip公司合作，為客戶提供靈活的解決方案，從而為48 V轉(zhuǎn)換提高效率、增加功率密度和降低系統(tǒng)總成本。”

Microchip MCU16業(yè)務部副總裁Joe Thomsen表示：“Microchip的dsPIC? DSC可以進行編程以充分發(fā)揮氮化鎵場效應晶體管的性能。我們很榮幸與EPC公司合作，為我們的客戶提供這種基于氮化鎵器件的參考設計。 EPC的氮化鎵技術與我們的dsPIC33CK控制器相結(jié)合，使工程師能夠顯著提高功率密度，從而滿足各種先進計算和電信應用的苛刻要求?！?/p>