英特爾稱可能外包部分芯片制造 臺(tái)積電ADR盤后拉升漲近5%
【TechWeb】7月24日消息,據(jù)外媒報(bào)道,英特爾周四公布了第二季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)以及公司業(yè)務(wù)進(jìn)展,包括芯片制造工業(yè)進(jìn)展。
本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202007/416091.htm英特爾表示,其7nm芯片工藝進(jìn)度較預(yù)期有所延遲,比原先預(yù)期晚六個(gè)月,主要是有一項(xiàng)缺陷,導(dǎo)致良率受到影響。
英特爾CEO Bob Swan表示,障礙基本應(yīng)該排除了,但我們?nèi)耘f準(zhǔn)備了緊急應(yīng)變方案,以防再有意外出現(xiàn)。
Bob Swan表示,如果遇到緊急情況,會(huì)準(zhǔn)備好外包部分芯片制造,使用別家企業(yè)的晶圓代工廠。
受此消息影響,芯片代工巨頭臺(tái)積電ADR(美國(guó)存托憑證)周四盤后上漲4.68%至70.52美元。
臺(tái)積電股價(jià)表現(xiàn)
英特爾(NASDAQ:INTC)周四盤后大跌逾10%,英特爾競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手AMD盤后大漲近8%。
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