受華為斷供影響，DRAM 十月份價格暴跌 9％

11月1日消息 據(jù)韓媒 The Lec 今日報道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價格遭遇集體暴跌。分析師認為，這是由于美國對華為的制裁所致，這加劇了存儲芯片市場價格的下跌。

本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/202011/419854.htm

據(jù)市場研究公司 DRAM Exchange 上個月 30 日的統(tǒng)計，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價格下降 8.9%。

這與八月和九月連續(xù)第二個月保持平穩(wěn)的情況形成了對比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲（MLC）產品在 10 月份的固定交易價格為 4.2 美元，與九月份相比下降了 3.4%。這也是今年 NAND 固定交易價格中最低的一次。

7 月份 DRAM 價格下降了 5%。分析師認為這是由于上半年的新冠疫情對 PC 和服務器的影響，且主要半導體公司的庫存卻一直增加。

市場研究公司 TrendForce 預測，PC DRAM 的供應過剩情況將一直持續(xù)到年底。此外，預計在美國對華為實施制裁后，PC DRAM（ASP）的平均售價將在今年第四季度下降 10%。今年第三季度，也就是華為在被制裁之前已進行了大筆采購以積累庫存，這一行為變相拉動了庫存流出而延緩了降價的時間點。

此外，三星電子在 29 日召開的電話會議上表示，“盡管筆記本電腦和手機的需求強勁，但第四季度的內存需求仍將隨著客戶庫存調整而持續(xù)減弱?！?/p>

Trend Force 分析師認為，NAND 是受華為影響相對較小的市場，由于國內（韓國）對 5G 網(wǎng)絡的需求增加，以及通信網(wǎng)絡產品的銷售增長，NAND 價格并未出現(xiàn)大幅下降的現(xiàn)象。

此外，預計明年上半年內存市場將出現(xiàn)反彈。由于主要數(shù)據(jù)中心公司的投資有所增加，明年對 DRAM 的需求預計將增長 20%。

根據(jù)國際半導體設備和材料協(xié)會（SEMI）的數(shù)據(jù)，在明年對存儲半導體的需求推動下，相關設備的投資預計將達到 312 億美元，比今年增長 18%。三星電子還宣布，它將通過在明年對半導體設施的投資超過今年（28.900 萬億韓元）的投資來滿足更高需求。