Vishay推出先進(jìn)的30 V N溝道MOSFET，進(jìn)一步提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效
—— 器件采用PowerPAK? 1212 8S封裝，導(dǎo)通電阻低至0.95mΩ ，優(yōu)異的FOM僅為29.8mΩ*nC
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日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出多功能新型30 V n溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。Vishay Siliconix SiSS52DN采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下導(dǎo)通電阻僅為0.95 mW，比上一代產(chǎn)品低5 %。此外， 4.5 V條件下器件導(dǎo)通電阻為1.5 mW，而4.5 V條件下導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為29.8 mW*nC，是市場上優(yōu)值系數(shù)最低的產(chǎn)品之一。
本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/202105/425867.htmSiSS52DN的FOM比上一代器件低29 %，從而降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能源。
SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)柜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、OR-ring FET低邊開關(guān)，以及服務(wù)器、通信和RF設(shè)備電源的負(fù)載切換。MOSFET可提高隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的性能，簡化設(shè)計人員兩種電路的器件選擇。
器件經(jīng)過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。
SiSS52DN現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為12周。
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