TrendForce:ASML工廠火災(zāi) 影響EUV光刻機(jī)交期
ASML位于德國(guó)柏林工廠一處,于1月3日發(fā)生火警,該企業(yè)主要為晶圓代工及內(nèi)存生產(chǎn),所需的關(guān)鍵設(shè)備機(jī)臺(tái),包含EUV與DUV之最大供貨商。根據(jù)TrendForce的消息,占地32,000平方米的柏林廠區(qū)中,約200平方米廠區(qū)受火災(zāi)影響。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202201/430775.htm該廠區(qū)主要制造光刻機(jī)中,所需的光學(xué)相關(guān)零組件,例如:晶圓臺(tái)、光罩吸盤(pán)和反射鏡,其中用以固定光罩的光罩吸盤(pán),處于緊缺狀態(tài)。目前該廠零組件以供應(yīng)EUV機(jī)臺(tái)較多,且以晶圓代工的需求占多數(shù)。
若屆時(shí)因火災(zāi)而造成零組件交期有所延后,不排除ASML將優(yōu)先分配主要的產(chǎn)出支持晶圓代工訂單的可能性。獨(dú)家供應(yīng)關(guān)鍵機(jī)臺(tái)EUV交期已長(zhǎng),可能影響先進(jìn)制程轉(zhuǎn)進(jìn)時(shí)程。
晶圓代工方面,EUV主要使用于7nm以下的先進(jìn)制程制造。目前全球僅臺(tái)積電與三星使用該設(shè)備進(jìn)行制造,包括TSMC 7nm、5nm、3nm制程工藝,Samsung于韓國(guó)華城建置的EUV Line(7nm、5nm及4nm)以及3nm GAA制程工藝等。
然而,受到全球晶圓代工產(chǎn)能緊缺、各廠積極擴(kuò)廠等因素影響,半導(dǎo)體設(shè)備交期也越拉越長(zhǎng)。
DRAM方面,目前三星及SK海力士已使用在1Znm及1alpha nm制程上,美系廠商美光則預(yù)計(jì)于2024年導(dǎo)入EUV于1gamma nm制程。根據(jù)TrendForce目前掌握,ASML EUV設(shè)備的交期落在約12至18個(gè)月,也因?yàn)樵O(shè)備交期較長(zhǎng),ASML有機(jī)會(huì)在設(shè)備組裝時(shí)間等待該工廠所損失的相關(guān)零組件重新制造完成。
整體而言,ASML德國(guó)柏林工廠火災(zāi)對(duì)晶圓代工及內(nèi)存而言,將可能對(duì)EUV光刻機(jī)設(shè)備制造產(chǎn)生較大影響。而根據(jù)TrendForce的消息掌握,ASML所需的零組件亦不排除透過(guò)其他廠區(qū)取得,加上目前EUV設(shè)備交期相當(dāng)長(zhǎng),因此,實(shí)際對(duì)EUV供應(yīng)的影響仍有待觀察。
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