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中科院微電子研究所EDA中心研究方向匯總

作者: 時(shí)間:2022-04-18 來源:中科院 收藏

納米芯片可制造性設(shè)計(jì)(DFM)技術(shù):已形成Art-DFMx工具套件,支持65nm-28nm-14nm-7nm的版圖可制造性設(shè)計(jì)分析,用于面向良率提升和性能提升的版圖優(yōu)化,先進(jìn)工藝CMP工藝后芯片形貌預(yù)測;提出了多物理機(jī)理耦合建模、基于LDE的有效平坦化長度特征提取、多粒度算法并行技術(shù)。部分成果被行業(yè)龍頭企業(yè)應(yīng)用。獲國家科技重大專項(xiàng)支持。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202204/433138.htm

極低功耗設(shè)計(jì):研發(fā)了多款性能指標(biāo)優(yōu)于公開文獻(xiàn)報(bào)道的亞閾值極低功耗IP以及用于底層低功耗電路優(yōu)化的電路結(jié)構(gòu)-器件尺寸-版圖優(yōu)化工具;研發(fā)亞閾值電路特征化、統(tǒng)計(jì)延時(shí)建模、統(tǒng)計(jì)時(shí)序分析以及時(shí)序優(yōu)化技術(shù),以解決極低功耗電路時(shí)序收斂問題。


碳基PDK及仿真自動(dòng)化針對后摩爾碳基器件,基于國內(nèi)領(lǐng)先的碳基工藝制備平臺(tái),開展碳基集成電路設(shè)計(jì)關(guān)鍵技術(shù)研究,成功開發(fā)了成套的碳基工藝器件模型、PDK和標(biāo)準(zhǔn)單元庫,并通過了流片測試驗(yàn)證,實(shí)現(xiàn)了千門級(jí)碳納米管集成電路設(shè)計(jì)和仿真自動(dòng)化。


芯片系統(tǒng)安全架構(gòu)技術(shù):針對系統(tǒng)芯片中的故障、漏洞、硬件木馬及惡意軟件攻擊,開展芯片安全架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)研究,包括可配置的安全策略引擎、在線威脅檢查,多級(jí)主動(dòng)防御機(jī)制等。通過核心技術(shù)的突破,提供集成電路芯片與系統(tǒng)的硬件安全架構(gòu)解決方案和檢驗(yàn)檢測平臺(tái)。


集成電路主被動(dòng)安全防護(hù)技術(shù):針對集成電路面臨的硬件安全隱患,開展集成電路主被動(dòng)安全防護(hù)技術(shù)研究,提出機(jī)器學(xué)習(xí)輔助的硬件木馬檢測方法,實(shí)現(xiàn)抗功耗側(cè)信道攻擊的DES/TDES、AES、SM4等主流密碼算法IP核。





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