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意法半導體發(fā)布兩款靈活多用的電源模塊,簡化SiC逆變器設計

作者: 時間:2022-09-13 來源:電子產品世界 收藏

發(fā)布了兩款采用主流配置的內置1200V 碳化硅(SiC) MOSFET的STPOWER。兩款模塊都采用的ACEPACK 2 封裝技術,功率密度高,安裝簡便。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202209/438131.htm

第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個四組模塊,可為 DC/DC 轉換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。

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第二款模塊A2U12M12W2-F2采用三電平T型逆變拓撲,導通能效和開關能效均很出色,輸出電壓質量穩(wěn)定。

這兩款模塊中的 MOSFET采用的第二代 SiC 技術,RDS(on) x 芯片面積品質因數(shù)非常出色,確保開關可以處理高電流,把功率損耗降至很低。每款芯片的典型導通電阻RDS(on)都是13mΩ,全橋拓撲和T型拓撲兩款模塊均可用于設計高功率應用,而低熱耗散確保應用能效出色,熱管理設計簡單。

ACEPACK 2封裝尺寸緊湊,功率密度高,采用高效氧化鋁基板和直接覆銅 (DBC)芯片貼裝技術。外部連接是壓接引腳,方便在潛在的惡劣環(huán)境中安裝,例如,電動汽車(EV)及充電樁、儲能和太陽能的功率轉換等場景。該封裝的絕緣耐壓是2.5kVrms,內置一個NTC溫度傳感器,可用于系統(tǒng)保護診斷功能。

兩款模塊現(xiàn)已投產。



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