Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內(nèi)領先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的R_DS(on)相結(jié)合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數(shù)據(jù)中心服務器和通信設備。

多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應用經(jīng)驗結(jié)合起來，增強器件中關鍵MOSFET的性能，滿足特定應用的要求，以打造市場領先的ASFET。自ASFET推出以來，針對電池隔離(BMS)、直流電機控制、以太網(wǎng)供電（POE）和汽車安全氣囊等應用的產(chǎn)品優(yōu)化升級不斷取得成功。

浪涌電流給熱插拔應用帶來了可靠性挑戰(zhàn)。為了應對這一挑戰(zhàn)，增強型SOA MOSFET領域的前沿企業(yè)Nexperia專門針對此類應用進行了全面升級，設計了適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產(chǎn)品組合，并增強了SOA性能。與之前的技術相比，PSMNR67-30YLE ASFET的SOA(12V @100mS)性能提高到了2.2倍，同時R_DS(on)（最大值）低至0.7mΩ。與未優(yōu)化器件相比，新款器件不僅消除了Spirito效應（表示為SOA曲線的更高壓區(qū)域中更為陡峭的斜向下曲線），還同時保持了整個電壓和溫度范圍內(nèi)的出色性能。

Nexperia通過在125°C下對新款器件進行完全表征，并提供高溫下的SOA數(shù)據(jù)曲線，消除了熱降額設計的必要性，從而為設計人員提供進一步支持。

8款新產(chǎn)品（3款25V和5款30V）現(xiàn)已可選擇LFPAK56或LFPAK56E封裝，其中R_DS(on)范圍為0.7m?到2m?，可適用于大多數(shù)熱插拔和軟啟動應用。其他2款25V產(chǎn)品的R_DS(on)更低，僅為0.5m?，預計將于未來幾個月內(nèi)發(fā)布。