三星：3nm 代工市場(chǎng) 2026 年將達(dá) 242 億美元規(guī)模

12 月 11 日消息，三星電子 Foundry 代工部門(mén)高級(jí)研究員樸炳宰本周四在“2022 年半導(dǎo)體 EUV 全球生態(tài)系統(tǒng)會(huì)議”上發(fā)表了演講。

他表示，到 2026 年，全球 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)代工市場(chǎng)將達(dá)到 242 億美元規(guī)模，較今年的 12 億美元增長(zhǎng)將超 20 倍。

目前，三星電子是唯一一家宣布成功量產(chǎn) 3 納米芯片的公司，隨著三星電子、臺(tái)積電、英特爾等半導(dǎo)體大廠開(kāi)始引進(jìn) EUV 設(shè)備，工藝技術(shù)不斷發(fā)展，預(yù)計(jì) 3 納米工藝將成為關(guān)鍵競(jìng)爭(zhēng)節(jié)點(diǎn)。

根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，截至今年年底，在晶圓代工市場(chǎng)中占據(jù)最大份額的是 5 納米和 7 納米工藝，市場(chǎng)規(guī)模 369 億美元，未來(lái)其份額將逐步由 3 納米所取代。他表示，“隨著 14 納米 FinFET 工藝的推出，三星電子已經(jīng)上升到代工市場(chǎng)的第二位?！?/span>

據(jù)稱(chēng)，3 納米節(jié)點(diǎn)需要新的器件結(jié)構(gòu)以提升性能，率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 3nm 工藝的三星使用了環(huán)柵（GAA）晶體管結(jié)構(gòu)的 MBCFET 技術(shù)，較 FinFET 性能功耗有明顯改善。

“就 FinFET 而言，性能隨著引腳數(shù)量的增加而提高，但功耗的增加超出了性能的提高幅度”，他表示，“另一方面，MBCFET 的效率要高得多，因?yàn)樗鼈冊(cè)谙嗨频乃缴咸岣吡诵阅芎凸β省！?/span>

具體來(lái)說(shuō)，在 FinFET 技術(shù)中性能提升 1.3 倍但功耗也會(huì)隨著上漲2.2 倍，而在 MBCFET 中，性能提高 1.7 倍時(shí)，功耗只會(huì)增加 1.6 倍，相對(duì)來(lái)說(shuō)效率更高。