國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線：可用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、充電樁等

IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應(yīng)用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。

面向儲能逆變器市場，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開關(guān)頻率，降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達(dá)到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。

國星光電 NS62m 功率模塊采用標(biāo)準(zhǔn)型封裝，半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)，內(nèi)置 NTC 熱敏電阻，可實(shí)現(xiàn)溫度監(jiān)控；采用 62mm 尺寸標(biāo)準(zhǔn)基板和接口，可兼容行業(yè)內(nèi)各大主流產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)快速替換使用；具有 150℃的連續(xù)工作溫度 (Tvjop) 和優(yōu)秀的溫度循環(huán)能力，器件可靠性表現(xiàn)卓越。

NS62m 功率模塊以半橋電路結(jié)構(gòu)應(yīng)用于逆變器中。在實(shí)際應(yīng)用中，一般會以 2 個(gè)或 3 個(gè) NS62m 功率模塊并聯(lián)的形式構(gòu)成單相全橋拓?fù)浠蛉鄻蛲負(fù)洌瑢⒅绷麟娮兂深l率、幅值可調(diào)的交流電，實(shí)現(xiàn)逆變功能?；?NS62m 功率模塊內(nèi) SiC MOSFET 的體二極管具有出色的開關(guān)特性和反向恢復(fù)性能，因此在無需額外搭配二極管器件，更可滿足多數(shù)場景下的續(xù)流要求。

如圖中橙色框圖部分所示，每個(gè)框圖代表一個(gè) NS62m 功率模塊，此圖為 2 個(gè) NS62m 功率模塊并聯(lián)的形式構(gòu)成單相全橋拓?fù)洹?br/>

NS62m 功率模塊在工作時(shí)可達(dá)到更高的開關(guān)頻率、更低的開關(guān)損耗，同時(shí)，可幫助變換器系統(tǒng)效率的提升和散熱結(jié)構(gòu)成本的降低。

IT之家獲悉，根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可得，與市場同等電流規(guī)格的產(chǎn)品對比，NS62m 功率模塊動態(tài)特性開通延遲時(shí)間減少 79 納秒；上升時(shí)間減少 42 納秒；關(guān)斷延遲時(shí)間減少 468 納秒。開啟損耗降低 82%，關(guān)斷損耗降低 92%，整體開關(guān)損耗表現(xiàn)優(yōu)秀。

針對傳統(tǒng)工控、儲能逆變、充電樁等應(yīng)用領(lǐng)域的需求，國星光電 NS62m SiC MOSFET 模塊系列型號豐富，可供選擇。依托國星光電先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線，公司可響應(yīng)不同封裝及規(guī)格的 SiC 功率模塊定制開發(fā)需求，為客戶提供高質(zhì)量的定制化產(chǎn)品服務(wù)。