通過精心設(shè)計(jì)混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (HEV) 和電動(dòng)汽車 (EV) 的牽引逆變器，可以幫助實(shí)現(xiàn)更快的電機(jī)速度、更高的效率和更小的系統(tǒng)尺寸，同時(shí)仍保持功率密度不變。新技術(shù)讓汽車制造商能夠打造續(xù)航里程更遠(yuǎn)、性能更出色的未來汽車。

探索電動(dòng)汽車牽引逆變器設(shè)計(jì)趨勢(shì)

牽引逆變器負(fù)責(zé)將電池能量轉(zhuǎn)換為控制扭矩和速度所需的功率，因此是影響電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程、性能和駕駛體驗(yàn)的最大因素。扭矩與電機(jī)尺寸成比例，而功率提供扭矩和速度。在保持功率恒定的情況下，如果想要縮小電機(jī)尺寸和扭矩，則需要增加速度。這是個(gè)挑戰(zhàn)，因?yàn)樵叽缤ǔｋS著功率水平和扭矩增加而增加，尤其是存在因機(jī)械或電氣非理想因素而造成損耗等設(shè)計(jì)效率低下問題時(shí)。因此，不僅要縮小電機(jī)的尺寸，還要縮小牽引逆變器本身的電氣系統(tǒng)尺寸，這一點(diǎn)變得很重要。

為了延長(zhǎng)續(xù)航里程、縮小電機(jī)尺寸并降低重量，但又不能降低功率水平，牽引電機(jī)需要能夠以更高的速度 (>30,000rpm) 轉(zhuǎn)動(dòng)。這需要快速感測(cè)和處理能力，以及高效的直流到交流電壓轉(zhuǎn)換。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)，牽引逆變器設(shè)計(jì)趨勢(shì)包括使用高級(jí)控制算法、采用 SiC MOSFET 作為功率級(jí)中的開關(guān)晶體管、使用 800V 高壓電池，以及集成多個(gè)子系統(tǒng)來獲得高功率密度。

利用快速電流感測(cè)反饋環(huán)路和高速控制器提高效率

若要提升電動(dòng)汽車的駕駛體驗(yàn)，包括平穩(wěn)的巡航控制、敏捷的加速和減速，以及更安靜的車內(nèi)體驗(yàn)，一種方式是提高電流感測(cè)反饋環(huán)路的整體精度和可靠性。該控制環(huán)路是感測(cè)電流從牽引逆變器各相流回隔離式精密放大器并流過微控制器 (MCU) 以進(jìn)行處理的路徑。此路徑最終會(huì)讓信號(hào)返回到牽引逆變器的控制輸出。通過優(yōu)化電機(jī)控制環(huán)路可以實(shí)現(xiàn)快速準(zhǔn)確的反饋，這樣一來，電機(jī)便可以快速響應(yīng)速度或扭矩變化。圖 1 中高亮顯示的部分展示了電機(jī)控制環(huán)路。

圖1 牽引逆變器方框圖，其中以黃色高亮顯示了電機(jī)控制環(huán)路和功率級(jí)

如圖 2 中所述，牽引逆變器中的電源和控制電流之間通常由隔離式半導(dǎo)體元件隔離。三個(gè)隔離式放大器或調(diào)制器通過分流電阻器測(cè)量電機(jī)電流，然后將信號(hào)饋入 MCU 的場(chǎng)定向控制 (FOC) 算法。若要提升電機(jī)速度，就需要更高帶寬的電流感測(cè)反饋環(huán)路，這就意味著同相電流必須盡快生 成經(jīng)修改的逆變器輸出。電流感測(cè)反饋環(huán)路的延遲是一項(xiàng)首要考慮因素，尤其是因?yàn)楣β示w管開關(guān)頻率（圖 1 中的絕緣柵雙極晶體管 [IGBT]/SiC MOSFET）增加到數(shù)十千赫茲，并且控制信號(hào)必須逐周期改變脈沖寬度，以實(shí)現(xiàn)較高的轉(zhuǎn)速。大電流產(chǎn)生的噪聲還會(huì)影響環(huán)路可靠性。

圖2 牽引逆變器中的電流感測(cè)反饋環(huán)路

如果隔離式放大器就在噪聲源附近，則這些放大器應(yīng)能夠可靠地工作，并且電源和控制電流之間的噪聲干擾應(yīng)極小，這一點(diǎn)非常重要。這就是為什么電流感測(cè)環(huán)路中必須使用可在電源接地和信號(hào)接地之間提供高瞬態(tài)噪聲抗擾度的電隔離式放大器。通過合理地選擇元件，高精度電流感測(cè)環(huán)路可以限制三個(gè)電流相位的諧波失真，從而在加速和剎車期間實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)的電機(jī)速度和扭矩控制。在駕駛期間，電流感測(cè)環(huán)路的精度還有助于防止電損耗并最大限度地減少振動(dòng)。AMC1300B-Q1 和 AMC1311B-Q1 等隔離式放大器與 AMC1306M25 和 AMC1336 等隔離式調(diào)制器支持在 200kHz 帶寬范圍內(nèi)進(jìn)行準(zhǔn)確的電流和電壓測(cè)量，并提供不到 2μs 的延遲和共模瞬態(tài)抗擾度超過 100kV/μs 的電隔離。

MCU 必須通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 轉(zhuǎn)換給定的三相電流測(cè)量值來快速地將測(cè)量值數(shù)字化，然后饋入主算法來為牽引逆變器的輸出生成脈寬調(diào)制 (PWM)。電機(jī)控制設(shè)計(jì)中通常采用的 FOC 算法需要使用復(fù)雜的數(shù)學(xué)運(yùn)算，例如快速傅里葉變換 (FFT) 和三角運(yùn)算。這就導(dǎo)致了對(duì)高處理帶寬的需 求，尤其是對(duì)于 20kHz 及以上的開關(guān)頻率而言。

務(wù)必要分配 MCU 的功率負(fù)載，以便它可以處理牽引逆變器的電機(jī)控制和安全功能。高速 FOC 實(shí)現(xiàn)帶來了更多的余量，讓 MCU 中的電源和處理能力能夠處理電機(jī)控制和功能安全特性。C2000? TMS320F28377D、TMS320F28386D、TMS320F280039C 和 Sitara? AM2634-Q1 等實(shí)時(shí) MCU 可以有效地提供快速控制環(huán)路性能，并借助 >3MSPS ADC 來感測(cè)和處理多個(gè)優(yōu)化內(nèi)核的功率，從而快速執(zhí)行復(fù)雜的控制數(shù)學(xué)運(yùn)算。緊密集成的高分辨率驅(qū)動(dòng) PWM 有助于生成精確的占空比，從而實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的電機(jī)控制。針對(duì)牽引逆變器進(jìn)行優(yōu)化時(shí)，ADC 輸入、FOC 算法執(zhí)行和 PWM 寫入三級(jí)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了不到 4μs 的控制環(huán)路延遲。

柵極驅(qū)動(dòng)器和偏置電源如何助力不斷延長(zhǎng)的電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程

由 MCU 和電流感測(cè)環(huán)路生成的控制信號(hào)會(huì)饋入功率級(jí)，而功率級(jí)是電池和電機(jī)之間的紐帶。功率級(jí)包括一個(gè)高壓直流總線，該總線通過一個(gè)與 IGBT 或 SiC MOSFET 等功率晶體管的三個(gè)相位相連的大電容器組去耦。功率級(jí)應(yīng)該在將直流電壓轉(zhuǎn)換為交流時(shí)具有極小的功率損耗，并且尺寸較小，以便高效地使用電池，進(jìn)而延長(zhǎng)汽車的續(xù)航里程。然而，這是個(gè)挑戰(zhàn)，因?yàn)殡妷汉凸β试礁撸某叽缱匀痪驮酱?。幸運(yùn)的是，隨著相關(guān)技術(shù)的不斷突破，以相同元件尺寸提供更高的功率水平成為可能。

影響牽引逆變器尺寸的因素有以下兩個(gè)：高電壓晶體管的類型，以及電池的電壓電平。與具有相同額定電壓的 IGBT 相比，SiC MOSFET 具有更低的開關(guān)損耗和更小的裸片尺寸，因此一些工程師會(huì)在牽引逆變器設(shè)計(jì)中采用 SiC MOSFET。當(dāng) SiC 晶體管受到妥善控制時(shí)，在逆變器的所有工作條件（例如溫度、速度和扭矩）下，它們的損耗更低，可靠性更高，因此能夠延長(zhǎng)行駛里程。

雖然 SiC MOSFET 更高效，但是就像任何其他晶體管一樣，它們?cè)陂_關(guān)時(shí)會(huì)產(chǎn)生一些功率損耗，而這些功率損耗會(huì)影響牽引逆變器的效率。在開關(guān)瞬變期間，電壓和電流邊沿會(huì)重疊并產(chǎn)生功率損耗，如圖 3 所示。高柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電流可以對(duì) SiC FET 柵極進(jìn)行快速充放電，從而實(shí)現(xiàn)較低的功率損耗。然而，開關(guān)行為會(huì)在溫度、電流和電壓范圍內(nèi)發(fā)生變化，因此以盡可能快的速度進(jìn)行開關(guān)并非盡如人意。SiC FET 上電壓的快速轉(zhuǎn)換（稱為漏源電壓 (V_DS) 的瞬態(tài)電壓 (dv/dt)）會(huì)以傳導(dǎo)接地電流形式產(chǎn)生電壓過沖和電磁干擾 (EMI)。鑒于繞組間的電容可能發(fā)生短路，電機(jī)本身會(huì)受到高 dv/dt 的影響。柵極驅(qū)動(dòng)器電路可以控制功率損耗和開關(guān)瞬態(tài)。

圖3 V_DS和 I_D重疊導(dǎo)致的 MOSFET 導(dǎo)通充電曲線以及對(duì)應(yīng)的開關(guān)損耗

通過使用柵極電阻來控制柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出拉電流和灌電流，有助于優(yōu)化 dv/dt 和功率損耗之間的權(quán)衡。圖 4 展示了一種柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)，該實(shí)現(xiàn)具有可調(diào)輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度來針對(duì)溫度和電流范圍內(nèi)的 SiC MOSFET 壓擺率變化進(jìn)行優(yōu)化。

圖4 采用 UCC5870-Q1 且由 UCC14240-Q1 供電的可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電路方框圖

可調(diào)節(jié)功能對(duì)牽引逆變器性能有利，因?yàn)樗軌驅(qū)崿F(xiàn)更低的 EMI 和更低的損耗，進(jìn)而提高效率來幫助延長(zhǎng)行駛里程。TI 的 UCC5870-Q1 和 UCC5871-Q1 柵極驅(qū)動(dòng)器具有 30A 驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，因此可以非常方便地基于更改和優(yōu)化柵極電阻來實(shí)現(xiàn)可調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)解決方案。此外，它們具有電隔離和 100kV/μs CMTI，因此可以在采用快速開關(guān) SiC 技術(shù)的高壓應(yīng)用中輕松地使用。

電池的電壓電平也會(huì)影響系統(tǒng)中存在的 dv/dt 大小，當(dāng)設(shè)計(jì)人員需要最大限度地降低 EMI，并且所選元件需要滿足各項(xiàng)隔離安全標(biāo)準(zhǔn)并保持相同的功率密度和面積時(shí)，這也會(huì)帶來挑戰(zhàn)。SiC MOSFET 以較小的裸片尺寸支持超過 1,200V 的高擊穿電壓，這可以為 800V 電動(dòng)汽車電池應(yīng)用打造高功率密度解決方案。

當(dāng)電源需要具有隔離能力和良好的調(diào)節(jié)能力時(shí)，支持高電壓 SiC MOSFET 的柵極電壓要求變得非常具有挑戰(zhàn)性。從 SiC MOSFET 的電流電壓特征曲線中可以清楚地看到柵極電壓帶來的影響，如圖 5 所示，其中柵源電壓 (V_GS) 越高會(huì)導(dǎo)致線性區(qū)域的曲線斜率越大。曲線斜率較大意味著應(yīng)減小漏源導(dǎo)通電阻 (R_DS(on))，以最大限度地減少導(dǎo)通損耗并避免熱失控。

圖 5. 基于 V_GS 的 SiC MOSFET 電壓和電流特性。

為柵極驅(qū)動(dòng)器提供電源和電壓的隔離式偏置電源應(yīng)當(dāng)在快速瞬變期間保持適當(dāng)?shù)恼龞艠O電壓，并能夠支持負(fù)電壓來保持 SiC FET 安全關(guān)斷。隔離式電源通常采用集成半導(dǎo)體開關(guān)控制器的變壓器來生成。不過，從電氣效率和 EMI 的角度而言，變壓器的復(fù)雜設(shè)計(jì)會(huì)直接影響功率級(jí)的性能。繞組間電容會(huì)導(dǎo)致共模電流增加，而共模電流又會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生 EMI，因此該電容越小越好，但需要在尺寸、額定電壓和效率之間進(jìn)行權(quán)衡，因而需要花更多的時(shí)間來設(shè)計(jì)。

借助 UCC14241-Q1 和 UCC1420-Q1 等集成式電源模塊，初級(jí)到次級(jí)隔離電容可以被很好地控制在 3.5pF 以下，從而使得快速開關(guān) SiC MOSFET 的 CMTI 大于 150V/ns。HEV/EV 子系統(tǒng)設(shè)計(jì)逐漸朝著進(jìn)一步集成的方向發(fā)展，例如將牽引逆變器與直流/直流轉(zhuǎn)換器結(jié)合使用。與采用反激式轉(zhuǎn)換器的典型偏置電源解決方案相比，UCC14241-Q1 可以讓物料清單 (BOM) 面積縮減約 40%，如圖 6 所示。其高度要比分立式變壓器設(shè)計(jì)低得多，因此重心更低，振動(dòng)耐受度更高。所有這些因素都有助于提高牽引逆變器系統(tǒng)的可靠性和延長(zhǎng)使用壽命，同時(shí)能夠提供正確的電壓來高效地驅(qū)動(dòng)功率晶體管。

圖 6. 典型反激式轉(zhuǎn)換器偏置解決方案與 UCC14240-Q1 的 BOM 面積和高度比較。

結(jié)論

電動(dòng)汽車正在推動(dòng)從處理到功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的全面技術(shù)創(chuàng)新。電機(jī)控制和動(dòng)力總成設(shè)計(jì)直接影響電動(dòng)汽車的續(xù)航里程和駕駛性能。高精度電流傳感器與具有實(shí)時(shí)控制功能的智能 MCU 相結(jié)合，有助于降低延遲并提升電機(jī)控制環(huán)路的精度，從而實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)的速度和扭矩轉(zhuǎn)變。由于諧波失真降低，電氣效率和續(xù)航里程得到改善；電機(jī)振動(dòng)也一樣有所改善，從而有助于防止不舒服的駕駛體驗(yàn)。

通過采用 SiC MOSFET 和 800V 技術(shù)實(shí)現(xiàn)了出色的牽引逆變器功率密度和效率，從而支持集成各種動(dòng)力總成功能，最終使得每次充電后具有更長(zhǎng)的行駛里程。TI 廣泛的集成式半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品系列讓汽車制造商和一級(jí)供應(yīng)商能夠靈活地實(shí)現(xiàn)高性能和低成本。

了解有關(guān)牽引逆變器技術(shù)的更多信息：

? TI.com.cn 上的高壓牽引逆變器登錄頁面。

? 經(jīng)過 ASIL D 等級(jí)功能安全認(rèn)證的高速牽引和雙向直流/直流轉(zhuǎn)換參考設(shè)計(jì)。

? 帶集成變壓器的汽車類 SPI 可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器和偏置電源參考設(shè)計(jì)。

了解適用于牽引逆變器系統(tǒng)的 TI 產(chǎn)品的更多信息：

? C2000 實(shí)時(shí) MCU。

? AM2634-Q1 Arm^? Cortex^?-R5F MCU。

? UCC5870-Q1 高級(jí)可編程隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。

? UCC14240-Q1 集成變壓器的直流/直流模塊。

? 德州儀器 (TI)：用于牽引逆變器的 AM263x。

? 德州儀器 (TI)：牽引系統(tǒng)中 AM263x 器件的基準(zhǔn)測(cè)試與分析

本文的其他貢獻(xiàn)者包括：

? Han Zhang，系統(tǒng)工程師

? Sean Murphy，產(chǎn)品營(yíng)銷工程師

? Robert Martinez，系統(tǒng)工程師

? Dongbin Hou，系統(tǒng)工程師

? Francisco Lauzurique，應(yīng)用工程師