格芯收購瑞薩非易失性電阻式RAM技術,加強存儲器產(chǎn)品組合
當?shù)貢r間2月9日,晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)宣布,已收購瑞薩電子(Renesas)的專利和經(jīng)過生產(chǎn)驗證的導電橋接隨機存取存儲器(CBRAM)技術,這是一種低功耗的存儲器解決方案,旨在實現(xiàn)家庭、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)及智能移動設備的一系列應用。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202302/443305.htm格芯表示,這項交易進一步加強了格芯的存儲器產(chǎn)品組合,并通過增加另一種可靠的、可定制的、相對容易集成到其他技術節(jié)點的嵌入式存儲器解決方案,擴展了其嵌入式非易失性存儲器(NVM)解決方案的路線圖。這項技術將使客戶能夠進一步區(qū)分其SoC設計,并推動新一代安全和智能設備的發(fā)展。
據(jù)介紹,CBRAM具有低功耗、高讀/寫速度、制造成本降低以及對惡劣環(huán)境的耐受性的特點,適用于消費、醫(yī)療和部分工業(yè)應用。
2020年,格芯與Dialog半導體公司(該公司于2021年被瑞薩公司收購)達成了一項許可協(xié)議,將其CBRAM技術作為一種嵌入式、非虛擬的選擇。目前,CBRAM正在該公司的22FDX平臺上進行鑒定,并計劃將其擴展到其他平臺。
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