基于Infineon S7 MOSFET 主動(dòng)式電源整流方案

因應(yīng)日趨嚴(yán)苛的能源效率規(guī)范，特別是像server power的應(yīng)用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應(yīng)用場(chǎng)合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對(duì)高輸出功率的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。S7系列MOSFET應(yīng)用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率，與傳統(tǒng)bridge diode相比，在230Vac輸入時(shí)在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時(shí)在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭配精簡(jiǎn)的電路再使用DC電壓來(lái)對(duì)EVB上之pin腳供電即可實(shí)現(xiàn)此一高效率之測(cè)試結(jié)果。為提高系統(tǒng)的功率密度與自動(dòng)化生產(chǎn)流程，S7系列MOSFET也推出各式封裝，特別是SMD封裝，在減少體積上有很顯著的幫助，尤其是且有top side散熱的技術(shù)，對(duì)于降低MOSFET本身溫度與提高系統(tǒng)穩(wěn)定度有很好的改善。因此可輕易符合美國(guó)能源效率法規(guī)DOE與歐盟CoC能源協(xié)議規(guī)范，來(lái)達(dá)到降低成本、體積縮小、符合新一代環(huán)保節(jié)能與高效率之產(chǎn)品設(shè)計(jì)。

?場(chǎng)景應(yīng)用圖

?產(chǎn)品實(shí)體圖

?展示板照片

?方案方塊圖

?? 替換傳統(tǒng)bridge diode

?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)

1. 電路精簡(jiǎn)只需要4顆MOSFET與OP比較器即可完成active bridge電路

· NJ393C為高集程度OP比較器，具有下列特點(diǎn)

· 提供寬范圍的電源供應(yīng)與雙電源供應(yīng)：+2V~36V或+/-1V~+/-18V

· 低操作電流：0.45mA at Vcc=5V

· 低偏壓電流：20nA

· 輸入共模電壓范圍

· 低輸出飽和電壓：80mV,typ

· 相等供應(yīng)電源之差動(dòng)輸入電壓范圍：+/-36V

· TTL、DTL、ECL、MOS與CMOS相容輸出

· 內(nèi)部ESD防護(hù)：HBM>+/-2KV

2. 與傳統(tǒng)bridge diode相比在低電壓輸入時(shí)約可提升1%效率，在高電壓輸入時(shí)約可提升0.5%效率

3. 在系統(tǒng)平均效率上可滿足鈦金效率之能源需求

4. 可依據(jù)價(jià)格與效率需求來(lái)選擇適合MOSFET Rds-on等級(jí)產(chǎn)品

5. 可依據(jù)系統(tǒng)空間與功率密度來(lái)選擇適合MOSFET封裝產(chǎn)品

?方案規(guī)格

1. S7系列MOSFET適合作為開關(guān)應(yīng)用，切換頻率小于1KHz

2. S7系列MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用廣范，主要常見應(yīng)用包含active bridge、繼電器與斷路器

3. 與其它競(jìng)爭(zhēng)者相比，由于制程與技術(shù)先進(jìn)，在相同MOSFET封裝下可做到領(lǐng)先業(yè)界的Rds-on產(chǎn)品

4. S7系列MOSFET相較于同規(guī)格的產(chǎn)品，具有較高脈沖電流，可提高對(duì)雷擊的耐受度