臺(tái)積電等半導(dǎo)體大廠 7 名高層訪日，多廠提合作方案

IT之家 5 月 18 日消息，據(jù)《Nikkei Asia》及路透社報(bào)道，2023 年 5 月 18 日上午，日本首相與臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音、英特爾 CEO Pat Gelsinger、美光 CEO Sanjay Mehrotra、三星電子 CEO 慶桂顯、IBM 資深副總裁 Dario Gil、應(yīng)用材料半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)群總裁 Prabu Raja、IMEC 執(zhí)行副總裁 Max Mirgoli 等 7 名半導(dǎo)體業(yè)界高層，在官邸舉行了會(huì)談。

路透社報(bào)道稱，日本希望各廠擴(kuò)大對(duì)日直接投資，而經(jīng)產(chǎn)省將對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供支持。會(huì)議主要參與者西村康稔在會(huì)后的記者會(huì)上談到，美光已提出在日本廣島工廠中量產(chǎn)最新一代 DRAM 的提案，最高投資 5000 億日元（IT之家備注：當(dāng)前約 255 億元人民幣）。對(duì)此，日本政府將以促進(jìn)先進(jìn)半導(dǎo)體投資的預(yù)算提供相關(guān)支持。路透社指出，有 1.3 萬(wàn)億日元（當(dāng)前約 663 億元人民幣）預(yù)算可用于補(bǔ)助半導(dǎo)體業(yè)者的投資。

西村康稔在記者會(huì)上表示，英特爾已表明正與日本的半導(dǎo)體材料廠、設(shè)備廠，在后段工藝方面擴(kuò)大合作。

另外，三星電子也將在日本新設(shè)后段制程相關(guān)的研發(fā)中心。應(yīng)用材料將與日本先進(jìn)半導(dǎo)體制造商 Rapidus 加強(qiáng)合作，以促進(jìn)新產(chǎn)品開發(fā)和人才培育。

業(yè)內(nèi)人士指出，正在熊本縣興建晶圓廠的臺(tái)積電，會(huì)面時(shí)也提到，將以客戶需求及日本政府的補(bǔ)貼為前提，考慮在日本擴(kuò)大投資。

IT之家早些時(shí)候曾報(bào)道，IMEC 將在日本北海道設(shè)立研發(fā)中心，協(xié)助 Rapidus 研發(fā) 2nm 工藝量產(chǎn)技術(shù)。