恩智浦攜手臺積電推出首創(chuàng)汽車級16納米FinFET嵌入式MRAM

●   恩智浦和臺積電聯(lián)合開發(fā)采用臺積電16納米FinFET技術(shù)的嵌入式MRAM IP

●   借助MRAM，汽車廠商可以更高效地推出新功能，加速OTA升級，消除量產(chǎn)瓶頸

●   恩智浦計劃于2025年初推出采用該技術(shù)的新一代S32區(qū)域處理器和通用汽車MCU首批樣品 

荷蘭埃因霍溫——2023年5月22日——恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）近日宣布與臺積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車嵌入式MRAM（磁隨機存儲器）。在向軟件定義汽車（SDV）的過渡中，汽車廠商需要在單個硬件平臺上支持多代軟件升級。利用16納米FinFET技術(shù)將恩智浦的高性能S32汽車處理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存儲器MRAM相結(jié)合，為向軟件定義汽車演進打造理想的硬件平臺。 

Flash存儲器更新20MB的代碼需要約1分鐘時間，而MRAM只需3秒左右，最大限度地縮短軟件更新帶來的停機時間，汽車廠商能夠消除模塊長時間編程引起的瓶頸。此外，MRAM提供多達一百萬個更新周期，耐久性超過閃存和其他新興存儲器技術(shù)的十倍，為汽車失效缺陷提供高度可靠的技術(shù)。 

軟件定義汽車允許汽車廠商通過OTA升級推出舒適、安全、便捷的新功能，延長汽車的使用壽命，增強汽車的功能性和吸引力，同時提高收益率?；谲浖墓δ茉谄囍性絹碓狡毡?，更新頻率相應增加，MRAM的速度和可靠性也將更加重要。 

臺積電的16FinFET嵌入式MRAM技術(shù)超越車規(guī)級應用的嚴格要求，具有一百萬個更新周期的耐久性，支持回流焊，并且在150℃條件下，數(shù)據(jù)保留長達20年。 

臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總裁Kevin Zhang博士表示：“恩智浦的創(chuàng)新人員總能迅速挖掘臺積電新工藝技術(shù)的潛力，尤其是在高要求的汽車應用領(lǐng)域中。我們非常高興能看到恩智浦的S32平臺中采用我們先進的MRAM技術(shù)，賦能新一代軟件定義汽車。” 

恩智浦執(zhí)行副總裁兼汽車處理器業(yè)務(wù)總經(jīng)理Henri Ardevol表示：“恩智浦與臺積電成功合作了數(shù)十載，始終如一地為汽車市場交付高質(zhì)量嵌入式存儲器解決方案。MRAM是恩智浦S32汽車解決方案產(chǎn)品組合的創(chuàng)新助力，將在新一代汽車架構(gòu)中發(fā)揮重要的支持作用?！?nbsp;

上市時間

試驗樣品已生產(chǎn)完成，正在評估中。首批樣品計劃于2025年初為主要客戶提供。