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手機(jī)芯片為啥這么燒錢(qián)

作者: 時(shí)間:2023-06-02 來(lái)源:中興文檔 收藏

隨著互聯(lián)網(wǎng)的普及,手機(jī)逐漸成為我們的個(gè)人標(biāo)配。手機(jī)的關(guān)鍵在于芯片,芯片的質(zhì)量很大程度上決定了手機(jī)的性能,可是手機(jī)芯片為什么這么貴呢?

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202306/447281.htm

芯片就像手機(jī)的大腦,我們將輸入信號(hào)作為原材料輸入手機(jī),通過(guò)改變芯片內(nèi)部的走線、邏輯,就能對(duì)輸入信號(hào)實(shí)現(xiàn)不同的處理方式。

也正因此,手機(jī)芯片是當(dāng)今集成度超高的元器件,別看它只有一個(gè)指甲蓋的大小,里面可是包含了數(shù)十億晶體管呢,蘋(píng)果的 A15 仿生芯片包含了 150 億個(gè)晶體管,每秒可執(zhí)行 15.8 萬(wàn)億次操作。

因此,無(wú)論是研發(fā)還是制造難度,大家都可想而知。

經(jīng)常會(huì)有新聞講某某公司在芯片方面投了多少億,文檔君覺(jué)得好多好多錢(qián)呀,可是了解下去發(fā)現(xiàn),這么多錢(qián)竟然只夠公司燒一年?今天我們就從芯片的研發(fā)與生產(chǎn)兩個(gè)方面來(lái)看看,手機(jī)芯片是如何產(chǎn)生的?為啥那么貴?

一款芯片從無(wú)到有,要經(jīng)歷兩大階段:研發(fā)環(huán)節(jié)和制造環(huán)節(jié)。

芯片研發(fā)

芯片的研發(fā)流程大致可分為:

  • IP(知識(shí)產(chǎn)權(quán))采購(gòu)

  • 前端設(shè)計(jì)

  • 驗(yàn)證

  • DFT(可測(cè)試性設(shè)計(jì))設(shè)計(jì)

  • 后端設(shè)計(jì)

  • 封裝設(shè)計(jì)

  • 回片測(cè)試

其中,前端設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、DFT 設(shè)計(jì)、后端設(shè)計(jì)、封裝設(shè)計(jì)等過(guò)程需要大量的研發(fā)人員的人力投入和不同團(tuán)隊(duì)的分工合作。

有粉絲知道這里面有哪些團(tuán)隊(duì)嘛,感興趣的可以在評(píng)論區(qū)留言哦~

比起芯片的研發(fā),的難度更大,技術(shù)壁壘更高。

芯片的生產(chǎn)與制造可以大體分為晶圓制造、晶圓光刻顯影和刻蝕、摻加雜質(zhì)和封裝測(cè)試四個(gè)步驟。

晶圓制造

晶圓是制造芯片的物質(zhì)基礎(chǔ),由石英砂精煉得來(lái),晶圓是從 99.99% 的純硅圓柱體(也叫“硅錠”)上切下來(lái)的(以半導(dǎo)體制造中最常用的尺寸 12 寸為例,由于芯片的尺寸各不相同,從 12 英寸的晶圓上可分割出來(lái)幾十個(gè)到數(shù)千個(gè)芯片),并被打磨得極為光滑,然后再根據(jù)結(jié)構(gòu)需求將導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體材料薄膜沉積到晶圓上。當(dāng)前我國(guó)具備一定的晶圓制造能力,基本上可以實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)自用。

晶圓光刻顯影和刻蝕

光刻技術(shù)決定了芯片上的晶體管可以做到多小。晶圓被放入光刻機(jī)中,暴露在深紫外光(DUV)下。光線通過(guò)掩模版投射到晶圓上,光刻機(jī)的光學(xué)系統(tǒng)(DUV 系統(tǒng)的透鏡)將掩模版上設(shè)計(jì)好的電路圖案縮小并聚焦到晶圓上的光刻膠。

光刻膠,又稱(chēng)光致抗蝕劑,是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。

當(dāng)光線照射到光刻膠上時(shí),會(huì)產(chǎn)生化學(xué)變化,將掩模版上的圖案印制到光刻膠涂層上。

刻蝕是為了去除退化的光刻膠,以顯示出預(yù)期的圖案。

在刻蝕過(guò)程中,晶圓被烘烤和顯影,光刻膠被洗掉,顯示出一個(gè)開(kāi)放通道的 3D 圖案。

先進(jìn)的刻蝕技術(shù)使商能夠使用雙倍、四倍和基于間隔的圖案來(lái)創(chuàng)造出現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)的微小尺寸。像 3D NAND 這種高達(dá) 175 層的空腔結(jié)構(gòu)的芯片設(shè)計(jì),需要保證空腔深度完全正確,刻蝕過(guò)程格外困難。

通過(guò)光刻機(jī)對(duì)指定位置進(jìn)行刻蝕,這一過(guò)程極為精密和復(fù)雜,實(shí)際上世界上只有荷蘭 ASML 公司有能力制造昂貴的光刻機(jī),其 7nm 光刻機(jī)售價(jià)高達(dá) 1 億美元 。

摻加雜質(zhì)

摻加雜質(zhì)可以增加立體結(jié)構(gòu)復(fù)雜程度,越是復(fù)雜的集成電路,其立體結(jié)構(gòu)就越復(fù)雜,摻加雜質(zhì)的步驟也就越復(fù)雜。集成電路的基礎(chǔ)是 PN 結(jié),要想形成 PN 結(jié),就必須在不同的晶圓里摻加不同的雜質(zhì)(本質(zhì)上而言是加入 P、N 型雜質(zhì),改變其導(dǎo)電性質(zhì))。

PN 結(jié):采用不同的摻雜工藝,通過(guò)擴(kuò)散作用,將 P 型半導(dǎo)體與 N 型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱(chēng)為 PN 結(jié)。PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦裕请娮蛹夹g(shù)中許多器件所利用的特性,例如半導(dǎo)體二極管、雙極性晶體管的物質(zhì)基礎(chǔ)。

封裝測(cè)試

在封裝過(guò)程中,為了把芯片從晶圓上取出來(lái),要用金剛石鋸將其切成單個(gè)芯片。從晶圓上分割出來(lái)的芯片又稱(chēng)為“裸晶”,隨后會(huì)被放置在“基板”上 —— 這種基板使用金屬箔將裸晶的輸入和輸出信號(hào)引導(dǎo)到系統(tǒng)的其他部分。然后我們會(huì)為它蓋上具有“均熱片”的蓋子,均熱片是一種小的扁平狀金屬保護(hù)容器,里面裝有冷卻液,確保芯片可以在運(yùn)行中保持冷卻。

經(jīng)過(guò)上述流程,芯片制造商就完成了從版圖到芯片實(shí)體的流程,但芯片能否具體工作,其電氣性能是否達(dá)標(biāo),還需要完成測(cè)試才能確定。因此,芯片制造廠商均需要一批后端測(cè)試人員對(duì)芯片的性能進(jìn)行測(cè)試。

當(dāng)然,半導(dǎo)體制造涉及到的步驟遠(yuǎn)不止這些,芯片還要經(jīng)過(guò)測(cè)量檢驗(yàn)、電鍍、測(cè)試等更多環(huán)節(jié),每塊芯片在成為電子設(shè)備的一部分之前都要經(jīng)過(guò)數(shù)百次這樣的過(guò)程。

研發(fā)成本

了解了芯片的研發(fā)和制造過(guò)程,文檔君帶大家繼續(xù)了解一下芯片為啥這么燒錢(qián)呢?

芯片的研發(fā)成本主要包含 IP 采購(gòu)、前端設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、DFT 設(shè)計(jì)、后端設(shè)計(jì)、封裝設(shè)計(jì)、回片測(cè)試等部分費(fèi)用。

IP 采購(gòu)

IP 采購(gòu)是芯片研發(fā)中不可忽視的一個(gè)環(huán)節(jié)。

費(fèi)用模式通常分為一次性授權(quán)、產(chǎn)品單獨(dú)授權(quán),或者兩者疊加起來(lái)。

例如,手機(jī)處理器芯片、AI 芯片等都需要集成 CPU 模塊,目前國(guó)內(nèi)大部分芯片設(shè)計(jì)公司都采購(gòu) ARM 的 CPU 核。

IP 核,全稱(chēng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)核 (intellectual property core),是指某一方提供的、形式為邏輯單元、芯片設(shè)計(jì)的可重用模塊。

回片測(cè)試

回片測(cè)試包含測(cè)試硬件、RA(Reliability Test,可靠性測(cè)試)實(shí)驗(yàn)、ATE(Automatic Test Equipment,集成電路自動(dòng)測(cè)試設(shè)備)機(jī)臺(tái)使用以及研發(fā)人力投入等成本。

其他

前端設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、DFT 設(shè)計(jì)、后端設(shè)計(jì)、封裝設(shè)計(jì)支出主要以研發(fā)人員的人力投入為主,此外還包含 EDA 軟件的使用費(fèi)、FPGA 和 Zebu 等驗(yàn)證平臺(tái)的硬件費(fèi)用。

生產(chǎn)成本

芯片生產(chǎn)成本主要包括流片、晶圓、CP(Chip Probe,晶圓)測(cè)試、封裝、FT(Final Test,最終測(cè)試)、SLT(System Level Test,系統(tǒng)級(jí)測(cè)試)等,其中大部分集中在流片和晶圓。

流片成本

流片,是指像流水線一樣通過(guò)一系列工藝步驟制造芯片,在集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,“流片”指的是“試生產(chǎn)”。

一次性費(fèi)用,按照掩膜版層數(shù)計(jì)算。

在芯片設(shè)計(jì)完成后,會(huì)生產(chǎn)復(fù)雜的圖形文件,一般來(lái)說(shuō)會(huì)有幾十層到上百層。這些圖形文件需要在光罩廠做掩膜版。

工藝節(jié)點(diǎn)越高,流片價(jià)格越貴,因?yàn)楦吖に囆枰嗟难谀ぐ?。?16 nm 制程上,需要大約 60 張,而 7nm 可能就需要上百?gòu)垺?/p>

目前最便宜的 ASIC 流片成本也需要幾十萬(wàn)一次,180nm 的流片成本大概是 50 萬(wàn)元,55nm 的成本約 200 萬(wàn)元。但是 16nm 的成本就飆升到了 3000 萬(wàn)-5000 萬(wàn)元,到了 7nm 最低也要過(guò)億。但到了量產(chǎn)階段,尤其是產(chǎn)品的出貨量比較大,一次性流片費(fèi)用平攤到數(shù)十萬(wàn)顆芯片上時(shí),相對(duì)成本就低了很多。

晶圓成本

按照出貨片數(shù)每片計(jì)算。

晶圓價(jià)格也是按照工藝節(jié)點(diǎn)區(qū)分的。臺(tái)積電 12 寸晶圓 40nm 成本每片大約在 1500~2000 美元,16nm 成本每片大約在 4000~5000 美元之間,7nm 成本每片大約在 9300 美元左右,5nm 代工價(jià)格約為 17000 美元,3nm 價(jià)格預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)到 30000 美元左右。

說(shuō)了這么多,終于明白了芯片為啥這么燒錢(qián)啦!

不過(guò),文檔君認(rèn)為,這是挑戰(zhàn),也是一種機(jī)遇。2023 年,手機(jī)芯片行業(yè)隨著智能手機(jī)需求的增加,會(huì)有更好的前景。




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