臺(tái)積電 3nm 工藝生產(chǎn) A17：目標(biāo)良率 55%，蘋(píng)果只為合格產(chǎn)品付費(fèi)

7 月 14 日消息，蘋(píng)果 A17 仿生芯片和 M3 芯片將使用臺(tái)積電第一代 3nm 工藝，占了臺(tái)積電產(chǎn)能的 90%，目標(biāo)良率是 55%。

報(bào)道稱，由于現(xiàn)階段的良率仍然過(guò)低，蘋(píng)果將僅向臺(tái)積電支付合格產(chǎn)品的費(fèi)用，而不是標(biāo)準(zhǔn)的晶圓價(jià)格，而標(biāo)準(zhǔn)晶圓價(jià)格可達(dá) 17000 美元。

據(jù)了解，如果良率達(dá)到 70%，蘋(píng)果將按照標(biāo)準(zhǔn)晶圓價(jià)格付費(fèi)，但業(yè)界預(yù)計(jì) 2024 年上半年之前，良率都不會(huì)達(dá)到這個(gè)高值。

蘋(píng)果可能會(huì)在 2024 年改用 N3E 工藝，不再使用第一代 3nm（N3B），據(jù)說(shuō) N3E 具有更好的良率和更低的生產(chǎn)成本。