三星、臺(tái)積電3nm良品率均未超過(guò)60% 將影響明年訂單競(jìng)爭(zhēng)

作為當(dāng)前全球最先進(jìn)的制程工藝，臺(tái)積電和三星的3nm制程工藝均已在去年量產(chǎn)，其中三星電子是在6月30日開(kāi)始量產(chǎn)，臺(tái)積電則是在12月29日開(kāi)始商業(yè)化生產(chǎn)。

從外媒最新的報(bào)道來(lái)看，這兩大廠商3nm制程工藝的良品率，目前均還在60%以下，在將良品率提升到60%以上都遇到了挑戰(zhàn)。

此前預(yù)計(jì)三星的良品率在今年將超過(guò)60%，臺(tái)積電的良品率在8月份時(shí)就已在70%-80%，高于三星電子。雖然三星電子3nm制程工藝為一家客戶代工的芯片，良品率達(dá)到了60%，但由于并不包括邏輯芯片的SRAM，不被認(rèn)為是完整的3nm制程工藝產(chǎn)品。

3nm制程工藝在良品率上的挑戰(zhàn)，也將影響大客戶下單，當(dāng)前兩家公司仍在努力實(shí)現(xiàn)60%以上良品率的目標(biāo)。臺(tái)積電計(jì)劃在明年量產(chǎn)N3E、N3P、N3X、N3AE等，重點(diǎn)就是提高良品率降低成本；由于此前在先進(jìn)制程工藝上的失誤，導(dǎo)致高通和英偉達(dá)這兩大三星的客戶，將他們最新一代的芯片交由臺(tái)積電代工，三星也在嘗試重新獲得這兩家客戶的訂單。

業(yè)界認(rèn)為，盡管三星已經(jīng)率先量產(chǎn)重點(diǎn)發(fā)展的3nm全柵極技術(shù)（GAA），但它的產(chǎn)量還不足以影響大客戶。在這種技術(shù)中，由于柵極環(huán)繞在構(gòu)成半導(dǎo)體的晶體管中電流通道的四邊，與此前環(huán)繞三邊的工藝相比，難度自然會(huì)增加。一位熟悉三星的人士透露，“要贏得高通等大客戶明年的3nm移動(dòng)芯片訂單，良率至少需要提高到 70%?！?/strong>

至于臺(tái)積電，雖然作為目前唯一一家擁有3nm量產(chǎn)記錄的公司，但其產(chǎn)量同樣低于最初預(yù)期。在今年年初，臺(tái)積電3nm制程工藝的良品率在55%左右，這也使得蘋(píng)果在談判中獲得了更低的價(jià)格。

有分析師表示，臺(tái)積電3nm工藝中使用了與上一代工藝相同的FinFET結(jié)構(gòu)，可能“未能控制”過(guò)熱問(wèn)題。由于蘋(píng)果新推出的iPhone 15 Pro存在過(guò)熱問(wèn)題，部分業(yè)內(nèi)人士開(kāi)始懷疑代工A17 Pro芯片的臺(tái)積電3nm制程工藝，越來(lái)越不確定臺(tái)積電的這一制程工藝是否已經(jīng)完全準(zhǔn)備好。

而天風(fēng)國(guó)際分析師郭明郭明錤稱：“iPhone 15 Pro系列的過(guò)熱問(wèn)題，與臺(tái)積電的3nm制程無(wú)關(guān)，主要很可能是為了讓重量更輕，因此對(duì)散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)作出了妥協(xié)，像是散熱面積較小、采用鈦合金影響散熱效果等。”

此外，三星、臺(tái)積電和英特爾都在準(zhǔn)備 2nm 工藝，但與3nm相比，性能和功耗效率的提升“并不明顯”，因此預(yù)計(jì)3nm工藝芯片的需求持續(xù)時(shí)間將超過(guò)預(yù)期。