三星、美光大動(dòng)作,擴(kuò)產(chǎn)HBM
存儲(chǔ)市場(chǎng)消費(fèi)電子應(yīng)用疲軟的環(huán)境下,HBM成為發(fā)展新動(dòng)能,備受大廠重視。近期,三星、美光傳出將擴(kuò)產(chǎn)HBM的消息。
本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202311/452864.htm大廠積極布局HBM
近期,媒體報(bào)道三星為了擴(kuò)大HBM產(chǎn)能,已收購(gòu)三星顯示(Samsung Display)韓國(guó)天安廠區(qū)內(nèi)部分建筑及設(shè)備,用于HBM生產(chǎn)。據(jù)悉,三星計(jì)劃在天安廠建立一條新封裝線,用于大規(guī)模生產(chǎn)HBM,該公司已花費(fèi)105億韓元購(gòu)買上述建筑和設(shè)備等,預(yù)計(jì)追加投資7000億-1萬(wàn)億韓元。
此前,據(jù)三星電子副社長(zhǎng)、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人黃尚俊透露,三星已開發(fā)出9.8Gbps的HBM3E,計(jì)劃開始向客戶提供樣品。同時(shí),三星正在開發(fā)HBM4,目標(biāo)2025年供貨。據(jù)悉,三星電子正開發(fā)針對(duì)高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的非導(dǎo)電粘合膜(NCF)組裝技與混合鍵合(HCB)等技術(shù),以應(yīng)用于HBM4產(chǎn)品。
11月6日,美光科技宣布臺(tái)灣地區(qū)臺(tái)中四廠正式啟用。美光表示,臺(tái)中四廠將整合先進(jìn)探測(cè)與封裝測(cè)試功能,量產(chǎn)HBM3E及其他產(chǎn)品,從而滿足人工智能、數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算及云端等各類應(yīng)用日益增長(zhǎng)的需求。
稍早之前,美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra透露,美光計(jì)劃于2024年初開始大量出貨HBM3E。美光HBM3E目前正在進(jìn)行英偉達(dá)認(rèn)證,首批HBM3E采用8-Hi設(shè)計(jì),提供24GB容量和超過(guò)1.2TB/s頻寬。公司計(jì)劃于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆疊。此前美光曾透露,預(yù)計(jì)2024年新的HBM將帶來(lái)「數(shù)億」美元的收入。
2024年市場(chǎng)需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3
當(dāng)前HBM市場(chǎng)以HBM2e為主,隨著原廠不斷發(fā)力,未來(lái)HBM3與HBM3e將挑起大梁。
集邦咨詢調(diào)查顯示,當(dāng)前HBM市場(chǎng)主流為HBM2e,包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多數(shù)CSPs自研加速芯片皆以此規(guī)格設(shè)計(jì)。同時(shí),為順應(yīng)AI加速器芯片需求演進(jìn),各原廠計(jì)劃于2024年推出新產(chǎn)品HBM3e,預(yù)期HBM3與HBM3e將成為明年市場(chǎng)主流。
以HBM不同世代需求比重而言,據(jù)TrendForce集邦咨詢表示,2023年主流需求自HBM2e轉(zhuǎn)往HBM3,需求比重分別預(yù)估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速芯片陸續(xù)放量,2024年市場(chǎng)需求將大幅轉(zhuǎn)往HBM3,而2024年將直接超越HBM2e,比重預(yù)估達(dá)60%,且受惠于其更高的平均銷售單價(jià)(ASP),將帶動(dòng)明年HBM營(yíng)收顯著成長(zhǎng)。
評(píng)論