據IBM官網消息,美國紐約州州長宣布與IBM、美光以及其他行業(yè)參與者合作,投資100億美元在紐約州 Albany NanoTech Complex 建設下一代 High-NA EUV 半導體研發(fā)中心。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202312/453846.htmIBM稱,這將是北美第一個也是唯一一個擁有高數值孔徑極紫外光刻(高NA EUV)系統(tǒng)的公共研發(fā)中心,可為開發(fā)和生產小于2nm的節(jié)點芯片鋪平道路。
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