意法半導體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價值

意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術(shù)簡化電源設計，實現(xiàn)最新的生態(tài)設計目標。

意法半導體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅(qū)動器、系統(tǒng)保護功能，以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設計者處理GaN晶體管柵極驅(qū)動開發(fā)難題。這兩款產(chǎn)品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡化了電路布局。

這兩款新器件內(nèi)置兩個連接成半橋的GaN HEMT晶體管，這種配置適合開發(fā)采用有源箝位反激式轉(zhuǎn)換器、有源箝位正激式轉(zhuǎn)換器或諧振式轉(zhuǎn)換器拓撲的開關(guān)式電源、適配器和充電器。MasterGaN1L和MasterGaN4L分別與MasterGaN1和MasterGaN3引腳兼容。與早期的產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品重新優(yōu)化了導通時間，支持更高的開關(guān)頻率，在低負載的情況取得更高的能效，能效提高在諧振拓撲中尤為明顯。

輸入引腳接受3.3V至15V的信號電壓，輸入滯后和下拉電阻有助于輸入直連控制器，例如，微控制器、DSP信號處理器或霍爾效應傳感器。專用關(guān)斷引腳有助于設計者節(jié)省系統(tǒng)功率，兩個GaN HEMT晶體管的時序匹配精準，集成一個互鎖保護電路，防止橋臂上的開關(guān)管交叉導通。

MasterGaN1L HEMT的導通電阻RDS(on)為150m?，額定電流為10A，適合最高功率500W的應用?？蛰d功耗只有20mW，支持高轉(zhuǎn)換效率，使設計者能夠滿足行業(yè)嚴格的待機功耗和平均能效目標。MasterGaN4L HEMT定位最高功率200W的應用，導通電阻RDS(on)為225m?，額定電流為6.5A。

EVLMG1LPBRDR1和EVLMG4LPWRBR1演示板現(xiàn)已上市，有助于開發(fā)者評估每款產(chǎn)品的功能。這兩塊板子集成一個針對LLC應用優(yōu)化的GaN半橋功率模組，方便開發(fā)者利用MasterGaN1L和MasterGaN4L器件快速創(chuàng)建新的拓撲結(jié)構(gòu)，而無需使用完整的PCB設計。

這兩款器件均已量產(chǎn)，采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝。

詳情訪問 www.st.com/mastergan1l 。