英特爾首席執(zhí)行官將18A工藝節(jié)點(diǎn)定位在臺(tái)積電的2納米性能和發(fā)布時(shí)間之前

英特爾首席執(zhí)行官將18A工藝節(jié)點(diǎn)定位在臺(tái)積電的2納米性能和發(fā)布時(shí)間之前

英特爾首席執(zhí)行官Pat Gelsinger對(duì)其18A工藝表示信心，聲稱它在性能上與臺(tái)積電的2納米節(jié)點(diǎn)競爭激烈，而且發(fā)布時(shí)間也更早。

英特爾18A工藝節(jié)點(diǎn)采用背面供電和增強(qiáng)硅利用率，據(jù)稱在性能和交付方面領(lǐng)先于臺(tái)積電的2納米

英特爾首席執(zhí)行官Pat Gelsinger在團(tuán)隊(duì)藍(lán)色最近的AI Everywhere活動(dòng)上與巴倫報(bào)對(duì)話，該活動(dòng)中公司發(fā)布了其最新的Meteor Lake處理器。在與該出版物交談時(shí)，首席執(zhí)行官Gelsinger就英特爾的18A工藝提供了最新消息，聲稱在采用先進(jìn)的供電方法后，它有望超越臺(tái)積電的N2（2納米）節(jié)點(diǎn)。

我們宣布了18A的兩項(xiàng)重大創(chuàng)新：新的晶體管和背面供電。我認(rèn)為每個(gè)人都在看臺(tái)積電的N2晶體管與我們的18A的比較。目前尚不清楚哪一個(gè)明顯優(yōu)于另一個(gè)。我們將看到誰更勝一籌。

但是背面供電，每個(gè)人都說英特爾做到了。你領(lǐng)先競爭對(duì)手幾年。這是強(qiáng)大的。這是有意義的。它為硅提供了更好的面積效率，這意味著更低的成本。它提供了更好的電源傳遞，這意味著更高的性能。所以，我有一個(gè)好的晶體管。我有出色的電源傳遞。我認(rèn)為我在時(shí)間上略領(lǐng)先于N2，即臺(tái)積電的下一代工藝技術(shù)。

帕特·蓋爾辛格（英特爾首席執(zhí)行官）通過巴倫報(bào)

英特爾的18A工藝節(jié)點(diǎn)將使用RibbonFET晶體管以及一種新的“PowerVia”傳遞方法，預(yù)計(jì)將帶來顯著的性能提升。據(jù)透露，與20A相比，我們可能會(huì)看到18A的代際改進(jìn)達(dá)到10％。有報(bào)道稱，ARM可能是英特爾該工藝的第一位客戶，希望將其用于移動(dòng)SOC，但這目前僅是謠言。

最新的英特爾路線圖顯示，18A將在2024年下半年準(zhǔn)備進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，這超前于計(jì)劃。

英特爾鑄造服務(wù)在半導(dǎo)體技術(shù)方面并沒有在近期取得太多成功，然而，事態(tài)似乎正在改變，尤其是在團(tuán)隊(duì)藍(lán)色的發(fā)展速度方面。不久前，我們報(bào)道了英特爾20A工藝的狀態(tài)，以及它計(jì)劃在2024年首次亮相。英特爾20A將為Arrow Lake客戶CPU提供動(dòng)力，而18A據(jù)說將為未來的客戶、數(shù)據(jù)中心和鑄造芯片提供廣泛的解決方案。

此外，在向日本媒體展示的演示中，英特爾列出了18A之后的幾個(gè)節(jié)點(diǎn)，我們還看到了從14納米時(shí)代回歸的“+”。至少有三個(gè)在18A之后的未來節(jié)點(diǎn)被提及，“英特爾Next+”明確提到了使用HiNa EUV光刻技術(shù)。預(yù)計(jì)該節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)不會(huì)在2025-2026+時(shí)間框架之前進(jìn)行。

即將到來的半導(dǎo)體市場將比以前更加動(dòng)態(tài)，三星鑄造和英特爾等公司將爭奪王位。