MOS 管的死區(qū)損耗計算

MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET　為上管， Low-side MOSFET為下管．

如果上管和下管同時導(dǎo)通，就會導(dǎo)致電源短路，ＭOS 管會損壞，甚至?xí)r電源損壞，這種損壞是災(zāi)難行動，必須避免．由于MOS 的開通和關(guān)斷都是有時沿的，為了避免上管和下管同時導(dǎo)通，造成短路現(xiàn)象，從而引入了死區(qū)的概念，也就是上下管同時關(guān)斷的區(qū)間，如圖Figure2 中的E 和 F.

死區(qū)E---tDf: 上管關(guān)斷，下管還沒開啟，下管體二極管續(xù)流，電流從最大值Io + ΔI/2 開始下降，由于死區(qū)時間很短，工程上計算可以近似為死區(qū)E的電流恒定，以方便計算。

死區(qū)Ｅ對應(yīng)的功耗為：

死區(qū)Ｆ---tDr: 下管關(guān)斷，上管還沒開啟，下管體二極管續(xù)流，電流接近最小值Io - ΔI/2 ，由于死區(qū)時間很短，工程上計算可以近似為死區(qū)F的電流恒定，以方便計算。

死區(qū)Ｆ對應(yīng)的功耗為：

工程上快速估算時，也會用把兩個死區(qū)的電流平均化，近似用Io替代，　一個完整的開關(guān)周期的死區(qū)損耗如下：