劍指 12nm，英特爾與聯(lián)電結(jié)盟的五大利好

1 月 25 日，處理器大廠英特爾與晶圓代工大廠聯(lián)華電子公司聯(lián)合宣布，他們將合作開發(fā) 12nm 半導(dǎo)體工藝平臺(tái)，以滿足移動(dòng)、通信基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)等高增長(zhǎng)市場(chǎng)的需求。

據(jù) TrendForce 集邦咨詢研究顯示，2023 年 Q3 全球晶圓代工前十排名再度刷新，英特爾躋身第九，聯(lián)電排名第四。在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷擴(kuò)大和競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下，英特爾和聯(lián)電的抱團(tuán)不僅標(biāo)志著兩家想要在技術(shù)研發(fā)上取得突破，也預(yù)示了未來(lái)晶圓代工格局可能產(chǎn)生變化。

此次英特爾和聯(lián)電的聯(lián)手，分別可以給雙方帶來(lái)哪些好處？在此之前，先了解一下本次合作的細(xì)節(jié)以及這兩位代工龍頭聯(lián)手的機(jī)緣。

兩大龍頭聯(lián)手的機(jī)緣

英特爾：預(yù)期 2025 年成為全球第二大晶圓代工廠

首先看英特爾。2021 年，英特爾公布了 IDM 2.0 戰(zhàn)略，推動(dòng)其晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展，并提出了 4 年量產(chǎn) 5 個(gè)制程節(jié)點(diǎn)的目標(biāo)，預(yù)期 2025 年成為全球第二大晶圓代工廠。為此，英特爾做了諸多努力，包括增設(shè)晶圓廠以及進(jìn)行收購(gòu)等。

2022 年 2 月，英特爾宣布收購(gòu)代工廠高塔半導(dǎo)體，后者在全球代工廠排名名單上位列第七。如果一切順利，該收購(gòu)案應(yīng)該在 2023 年 Q2 完成，但最后，英特爾還是宣布終止了這一收購(gòu)案，并向高塔半導(dǎo)體支付了 3.53 億美元的「分手費(fèi)」。

據(jù)悉，英特爾的制造部門訂單不及預(yù)期，加上收購(gòu)高塔半導(dǎo)體折戟，其制造部門 IFS 長(zhǎng)期處于虧損狀態(tài)。

2023 年 6 月，英特爾發(fā)布新聞稿宣布組織架構(gòu)重組，旗下制造業(yè)務(wù)未來(lái)將獨(dú)立運(yùn)作并產(chǎn)生利潤(rùn)，而在這種新的「內(nèi)部代工廠」模式中，英特爾的產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門將以與無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司與外部晶圓代工廠類似的合作方式與公司制造業(yè)務(wù)集團(tuán)進(jìn)行合作。業(yè)界表示，這樣做對(duì)于其專注于發(fā)展晶圓代工業(yè)務(wù)大有益處。

2023 年 Q3 英特爾代工服務(wù)事業(yè)部運(yùn)營(yíng)虧損依舊達(dá)到了 8600 萬(wàn)美元，不過(guò)該部門營(yíng)收為 3.11 億美元，同比增長(zhǎng)了 299%。

英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務(wù)總經(jīng)理 Stuart Pann 表示：「英特爾致力于與聯(lián)電這樣的企業(yè)合作，為全球客戶提供更好的服務(wù)。英特爾與聯(lián)電的策略合作進(jìn)一步展現(xiàn)了為全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈提供技術(shù)和制造創(chuàng)新的承諾，也是英特爾實(shí)現(xiàn)在 2030 年成為全球第二大晶圓代工廠的重要一步。」

聯(lián)電：本就有意大力發(fā)展 12nm

眾所周知，聯(lián)電早在 2018 年就宣布放棄 10nm 及以下先進(jìn)制程的研發(fā)，專注于成熟制程和特殊工藝制程。目前，聯(lián)電主要獲利的制程為 28nm 和 22nm，但隨著國(guó)內(nèi)成熟制程的不斷發(fā)展，這一市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)也日趨激烈，也對(duì)聯(lián)電的業(yè)務(wù)產(chǎn)生了很大的影響，這從 2023 年聯(lián)電的業(yè)績(jī)表現(xiàn)中也可以看出，所以聯(lián)電想要拓展業(yè)務(wù)范圍已經(jīng)是勢(shì)在必行的。

聯(lián)電在去年 10 月的法說(shuō)會(huì)上透露，公司正在討論使用 12nm 制程生產(chǎn)低功耗邏輯產(chǎn)品的可能性，并計(jì)劃在 2025 年初完成 12nm 制程的開發(fā)。這不僅預(yù)示著聯(lián)電將在技術(shù)上邁出重要一步，還意味著可能將部分 28/22nm 產(chǎn)能轉(zhuǎn)換為 12nm，以此來(lái)節(jié)省成本，并遵循高效率的經(jīng)營(yíng)原則。

聯(lián)電發(fā)言人劉啟東表示，發(fā)展 12nm 技術(shù)原本就在聯(lián)電的計(jì)劃之內(nèi)，這一次選擇和英特爾合作，將對(duì)聯(lián)電原有的 14nm 技術(shù)再做升級(jí)。

五大利好

英特爾產(chǎn)能及聯(lián)電技術(shù)相輔相成

英特爾與聯(lián)電雖在晶圓代工同屬競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，但工藝所覆蓋的客戶并不存在很大的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。雖然英特爾在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域具有深厚的技術(shù)積累，但其在晶圓代工市場(chǎng)的經(jīng)驗(yàn)相對(duì)有限。而聯(lián)電擁有數(shù)十年的工藝領(lǐng)先地位以及為客戶提供工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）和設(shè)計(jì)協(xié)助以有效提供代工服務(wù)的歷史。聯(lián)電最近推出的特色工藝包括 14nm 14FFC、22nm 超低功耗 22ULP 和超低漏電流 22ULL、28nm 高性能運(yùn)算 28HPC+制程等，且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。

通過(guò)與經(jīng)驗(yàn)豐富的聯(lián)電合作，英特爾不僅能快速提升其在晶圓代工領(lǐng)域的技術(shù)能力和市場(chǎng)地位，還能更好地理解和滿足客戶需求，這對(duì)于實(shí)現(xiàn)其 2030 年的目標(biāo)至關(guān)重要。

再看聯(lián)電。此番與英特爾合作，英特爾將提供其位于美國(guó)亞利桑那州的工廠進(jìn)行開發(fā)和制造，透過(guò)運(yùn)用晶圓廠的現(xiàn)有設(shè)備，大幅降低前期投資，并最佳化利用率。后續(xù)英特爾還會(huì)提供區(qū)域多元且具韌性的供應(yīng)鏈，協(xié)助全球客戶做出更好的采購(gòu)決策。

TrendForce 表示，為減少?gòu)S務(wù)設(shè)施的額外投資成本，直接銜接現(xiàn)有設(shè)備機(jī)臺(tái)，并有效控制整體開發(fā)時(shí)程，故本次兩家廠商針對(duì) 12nm FinFET 制程的合作案，選擇以英特爾現(xiàn)有相近制程技術(shù)的 Chandler, Arizona Fab22/32 為初期合作廠區(qū)，轉(zhuǎn)換后產(chǎn)能維持原有規(guī)模，雙方共同持有。在此情況下，TrendForce 預(yù)估，所產(chǎn)生的平均投資金額相較于購(gòu)置全新機(jī)臺(tái)，可省下逾 80%，僅包含設(shè)備機(jī)臺(tái)移裝機(jī)的廠務(wù)二次配管費(fèi)，以及其相關(guān)小型附屬設(shè)備等支出。

聯(lián)電也將獲得英特爾在美國(guó)的龐大晶圓廠產(chǎn)能和制造設(shè)備的便利，滿足美國(guó)市場(chǎng)對(duì)成熟制程技術(shù)的需求。

劍指 Arm

在聯(lián)電與英特爾的合作中，英特爾看重的不僅是聯(lián)電的 12nm 制程技術(shù)本身，更在于這一技術(shù)在 Arm 架構(gòu)上的顯著優(yōu)勢(shì)。英特爾長(zhǎng)期主導(dǎo)的 x86 架構(gòu)雖然功能強(qiáng)大，但在能耗方面存在明顯不足，而 Arm 架構(gòu)以其低功耗特性，在移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域取得了巨大成功。

2023 年 4 月，英特爾代工服務(wù)和 Arm 宣布達(dá)成合作，使 Arm 芯片設(shè)計(jì)人員能夠在 Intel 18A 制造工藝上構(gòu)建低功耗的片上系統(tǒng)（SoCs）。此次合作將首先專注于移動(dòng)設(shè)備 SoC 設(shè)計(jì)，但也有可能將設(shè)計(jì)擴(kuò)展到汽車、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、航空航天和政府應(yīng)用等領(lǐng)域。

雖然 x86 架構(gòu)與 Arm 架構(gòu)存在競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，但這次英特爾與 Arm 合作是看中了 Arm 豐富的客戶資源。Arm 的商業(yè)模式是 IP 授權(quán)，對(duì)終端客戶有強(qiáng)大影響力。與 Arm 強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，能幫助英特爾擴(kuò)大代工客戶版圖。

不過(guò)，英特爾在基于 Arm 架構(gòu)的先進(jìn)制程芯片代工方面缺乏足夠的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)積累。相比之下，聯(lián)電在 Arm 架構(gòu)處理器代工方面則是有著深厚的積累，但在 X86 架構(gòu)處理器的代工方面缺乏經(jīng)驗(yàn)，因此雙方攜手合作，則可以產(chǎn)生優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的效應(yīng)。

豐富代工節(jié)點(diǎn)覆蓋

從所能代工的業(yè)務(wù)來(lái)看，英特爾的代工工藝技術(shù)還不夠全面。

根據(jù) AnandTech 的報(bào)道，雖然英特爾本身?yè)碛卸喾N高度定制的工藝技術(shù)，供內(nèi)部使用，以生產(chǎn)自己的 CPU 和類似產(chǎn)品，但其 IFS 部門實(shí)際上只有三種：

• Intel 16 面向注重成本的客戶，設(shè)計(jì)廉價(jià)的低功耗產(chǎn)品 (包括支持射頻的產(chǎn)品)。

• Intel 3 面向開發(fā)高性能解決方案，但仍希望堅(jiān)持使用熟悉的 FinFET 晶體管的客戶。

• Intel 18A 面向?qū)で蟛挥绊懶阅芎途w管密度的開發(fā)人員，采用柵極 RibbonFET 晶體管和 PowerVia 背板供電。

雖然英特爾的代工業(yè)務(wù)在過(guò)去一年中實(shí)現(xiàn)了顯著進(jìn)展，包括與采用 Intel 16、Intel 3 和 Intel 18A 工藝技術(shù)的新客戶建立了堅(jiān)實(shí)合作關(guān)系。然而，如今 IFS 已經(jīng)開始獨(dú)立運(yùn)作并自負(fù)盈虧，想要做一個(gè)全方面的專業(yè)晶圓代工廠，英特爾需要能夠提供更為全面的制程節(jié)點(diǎn)服務(wù)。

通過(guò)與聯(lián)電的合作，英特爾不僅能夠深入布局成熟制程領(lǐng)域，還能鞏固與芯片設(shè)計(jì)企業(yè)客戶的關(guān)系。

對(duì)于聯(lián)電來(lái)說(shuō)，它也需要改變策略，向更高階的制程移動(dòng)。

聯(lián)電當(dāng)初宣布將不再投資 12nm 以下的先進(jìn)制程，用意就是要改變策略，改投資其他回報(bào)率更高的特殊制程，并降低過(guò)去高資本支出帶來(lái)的折舊負(fù)擔(dān)，增加手上的現(xiàn)金。

如今，中國(guó)大陸致力推動(dòng)本土化生產(chǎn)，聯(lián)電等廠商的成熟制程競(jìng)爭(zhēng)壓力大增。因此，聯(lián)電在近期法說(shuō)會(huì)也透露，2024 年會(huì)擴(kuò)大資本支出，在新加坡和臺(tái)南投資新的成熟制程服務(wù)，都是為了拉大和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距。

劉啟東表示，聯(lián)電也將重啟制程升級(jí)的策略，「未來(lái)你會(huì)看到在標(biāo)準(zhǔn)化、拼價(jià)格的成熟制程占我們營(yíng)收占比愈來(lái)愈小，目前聯(lián)電仍有 0.13 微米，甚至 0.5 微米的制程，未來(lái)這些制程相關(guān)的產(chǎn)品就會(huì)往更高階的制程移動(dòng)?！?/p>

本土化生產(chǎn)

除了爭(zhēng)奪移動(dòng)芯片市場(chǎng)，英特爾還在考慮美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的本土化生產(chǎn)趨勢(shì)。英特爾的產(chǎn)能布局一直體現(xiàn)出全球化與本土化相結(jié)合的原則，除了在愛爾蘭、德國(guó)、波蘭、以色列和馬來(lái)西亞有布點(diǎn)之外，其也在美國(guó)的俄勒岡州、亞利桑那州、新墨西哥州及俄亥俄州設(shè)立或規(guī)劃制造生產(chǎn)基地。美國(guó)的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)也越來(lái)越傾向于選擇鄰近的晶圓代工廠合作，因此英特爾直接與聯(lián)電進(jìn)行技術(shù)轉(zhuǎn)讓合作，未來(lái)可以通過(guò)相關(guān)制程，更好地服務(wù)于美國(guó)本土客戶。

為滿足全球客戶的需求，聯(lián)電在中國(guó)臺(tái)灣、日本、中國(guó)大陸、韓國(guó)、新加坡、歐洲及美國(guó)均設(shè)有服務(wù)據(jù)點(diǎn)。不過(guò)，聯(lián)電來(lái)自美國(guó)的市場(chǎng)營(yíng)收占比并不算高。1 月 16 日，聯(lián)電公布第四季度報(bào)告，報(bào)告顯示聯(lián)電亞洲區(qū)營(yíng)收占比為 54%，較前一季度減少 8 個(gè)百分點(diǎn)；北美營(yíng)收占比由前一季度的 23%，升至 30%；歐洲區(qū)營(yíng)收占比為 9%，和前一季度持平；日本區(qū)營(yíng)收占比環(huán)比提升 1 個(gè)百分點(diǎn)，為 7%。制程上，22/28nm 制程依然是聯(lián)電第四季度營(yíng)收大頭，占比為 28%；40nm 和 65nm 制程占比均為 17%，90nm 及以上工藝占比約為 38%。

在國(guó)際貿(mào)易形式復(fù)雜多變的大環(huán)境下，客戶為了降低潛在風(fēng)險(xiǎn)，可能會(huì)更加傾向于構(gòu)建多元化的供應(yīng)鏈。這一趨勢(shì)意味著，分布在不同地理區(qū)域的晶圓廠有機(jī)會(huì)因此獲得競(jìng)爭(zhēng)上的優(yōu)勢(shì)地位。

比如在去年 7 月聯(lián)電宣布，原計(jì)劃斥資 48.58 億元，從 2022 年起分三年向大陸合資股東回購(gòu)聯(lián)芯集成電路制造 (廈門) 有限公司 12 英寸廠的所有股權(quán)，現(xiàn)改為一次性完成交易，交易金額不變。

集中精力開發(fā)先進(jìn)制程

對(duì)于英特爾來(lái)說(shuō)，追趕臺(tái)積電和三星的尖端制程至關(guān)重要。有了聯(lián)電成熟制程工藝技術(shù)的加持，英特爾便可以集中更多的資源于 3nm、2nm 等更先進(jìn)的制程開發(fā)。

如今英特爾的先進(jìn)制程發(fā)展腳步正越邁越大。英特爾表示已完成 Intel 20A 和 Intel 18A 芯片制造工藝的研發(fā)。

英特爾 CEO 基辛格在接受采訪時(shí)表示，英特爾的 18A 工藝和臺(tái)積電的 N2 工藝不相上下。該工藝將于 2024 年下半年開始量產(chǎn)，并于 2025 年推出至少 5 款處理器產(chǎn)品。

誰(shuí)受到?jīng)_擊最大？

對(duì)于英特爾與聯(lián)電的聯(lián)盟，最受沖擊的莫過(guò)于格芯。

市場(chǎng)的爭(zhēng)奪

格芯同屬成熟工藝代工大廠，且總部同樣位于北美，并且它是唯一一家沒(méi)有在中國(guó)大陸或中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)設(shè)立規(guī)?；a(chǎn)工廠的晶圓代工公司。

據(jù)悉，2023 年第三季度，格芯的產(chǎn)能利用率和訂單價(jià)格相對(duì)穩(wěn)定，這與美國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策有很大關(guān)系，此前，格芯以其成熟的制程技術(shù)在美國(guó)本土市場(chǎng)上幾乎無(wú)人能敵。但隨著聯(lián)電的加入，不知格芯是否會(huì)自此面臨更大的競(jìng)爭(zhēng)壓力。

特殊工藝技術(shù)的比拼

與聯(lián)電一樣，格芯同樣放棄了先進(jìn)制程的研發(fā)。2018 年格芯就意識(shí)到，通過(guò)建造更清潔的潔凈室和購(gòu)買單位數(shù)的 EUV 光刻機(jī)等晶圓廠工具，它仍然可以滿足 70% 的市場(chǎng)需求。相反，該公司將放棄追逐先進(jìn)工藝而節(jié)省下來(lái)的資金，用于從現(xiàn)有工藝節(jié)點(diǎn)中開發(fā)更多功能。

隨后格芯進(jìn)行持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新，開發(fā)了一種替代 NVM 技術(shù)——MRAM（磁性 RAM）模塊。將閃存擴(kuò)展到了 28nm 以下，該 MRAM 模塊可用于格芯的 12nmFinFET 和 22nmFDX 平臺(tái)。在模擬射頻芯片領(lǐng)域，格芯已轉(zhuǎn)向射頻 SOI 和 SiGe 晶體管，以將晶體管單位增益頻率（fTs）推向太赫茲，還宣布了一個(gè)名為格芯 Connex 的 RF 元平臺(tái)，該平臺(tái)包含該公司的 RF SOI、FDX、SiGe 和 FinFET 平臺(tái)的元素。

值得注意的是，聯(lián)電也在加碼 RF SOI 的技術(shù)開發(fā)，聯(lián)電還為毫米波（mmWave）應(yīng)用推出了 55nm／40nm／28nm 工藝平臺(tái)。聯(lián)電是晶圓代工業(yè)界第一個(gè)用 28nm 高壓制程開發(fā)并量產(chǎn) OLED 面板驅(qū)動(dòng) IC 的。RF-SOI 方面，90nm 制程已量產(chǎn)，55nm 即將導(dǎo)入量產(chǎn)，同時(shí)已著手開發(fā) 40nm 制程 RF-SOI 技術(shù)平臺(tái)。

聯(lián)電 40nm 制程的嵌入式閃存（eFlash）已經(jīng)量產(chǎn)，正在進(jìn)行 28nm 研發(fā)，40nm 制程 ReRAM 已經(jīng)量產(chǎn)，22nm 的 ReRAM 技術(shù)平臺(tái)和 22nm 的 eMRAM 制程平臺(tái)正在研發(fā)中。此外，該公司還在積極投入 GaN 功率和微波器件平臺(tái)開發(fā)。

總體來(lái)看，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)需求的不斷變化，晶圓代工市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局也在不斷演變。英特爾與聯(lián)電的合作將進(jìn)一步加劇市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。