Vishay推出采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊，降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出五款采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術(shù)制造，為設(shè)計(jì)人員提供兩種業(yè)內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用大電流逆變級(jí)導(dǎo)通或開(kāi)關(guān)損耗。

日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)能效果優(yōu)于市場(chǎng)上其他器件的Trench IGBT，與具有超軟反向恢復(fù)特性的第四代FRED Pt?反并聯(lián)二極管封裝在一起。模塊小型INT-A-PAK封裝采用新型柵極引腳布局，與34 mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝100%兼容，可采用機(jī)械插接方式更換。

這款工業(yè)級(jí)器件可用于各種應(yīng)用的電源逆變器，包括鐵路設(shè)備；發(fā)電、配電和儲(chǔ)電系統(tǒng)；焊接設(shè)備；電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和機(jī)器人。為降低TIG焊機(jī)輸出級(jí)導(dǎo)通損耗，VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125 °C，額定電流下，集電極至發(fā)射極電壓僅為 ≤ 1.07 V，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N適用于高頻電源應(yīng)用，開(kāi)關(guān)損耗極低，+125 °C，額定電流下，Eoff僅為1.0 mJ。

模塊符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，集電極至發(fā)射極電壓為650 V，集電極連續(xù)電流為100 A至200 A，結(jié)到外殼的熱阻極低。器件通過(guò)UL E78996認(rèn)證，可直接安裝散熱片，EMI小，減少了對(duì)吸收電路的要求。

器件規(guī)格表：

新型IGBT功率模塊現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為15周。