igbt功率模塊 文章 進(jìn)入igbt功率模塊技術(shù)社區(qū)
公共電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施面臨的挑戰(zhàn)
- 與Rudy Ramos一起,了解面向設(shè)計(jì)工程師的各種有趣、新奇和值得關(guān)注的動態(tài)。雖然電動汽車 (EV) 越來越普及,但電動汽車車主在充電和出行時(shí)也遇到了一些問題。公共電動汽車充電樁所面臨的一個(gè)重要問題就是一些電動汽車駕駛員缺乏相關(guān)禮儀, 比如在電池幾乎充滿的情況下仍會長時(shí)間占用充電樁的霸位行為。在本文中,我們將帶大家一起探討公共電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施面臨的其他挑戰(zhàn)。充電效率問題電動汽車充電方式不同導(dǎo)致充電時(shí)間有所不同,這一情況有時(shí)會被誤解為是惡意占用的不禮貌行為,而不會聯(lián)想到效率問題。正如智能手機(jī)和筆記本電
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Vishay推出采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝IGBT功率模塊,降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗
- 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出五款采用改良設(shè)計(jì)的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊---VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。這些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技術(shù)制造,為設(shè)計(jì)人員提供兩種業(yè)內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)選件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低運(yùn)輸、能源及工業(yè)應(yīng)用大電流逆變級導(dǎo)通或開關(guān)損耗。日前發(fā)布的半橋器件使用節(jié)
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igbt功率模塊介紹
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī),變頻器,變頻家電等領(lǐng)域?! ,柵極與任何導(dǎo)電區(qū)要絕緣,以免產(chǎn)生靜電而擊穿,所以包裝時(shí)將G極和E極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料,將它短接。裝配時(shí)切不可用手指直接接觸,直到G極管腳進(jìn)行永久性連接。 B、主電路用螺絲 [ 查看詳細(xì) ]
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