新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動態(tài) > 日月光小芯片互連對準(zhǔn)AI

日月光小芯片互連對準(zhǔn)AI

—— 制程能力由40um提升到20um,應(yīng)用亦可擴及至手機處理器、微控制器…
作者: 時間:2024-03-25 來源:工商時報 收藏

投控21日宣布VIPack平臺先進互連技術(shù)的最新進展,透過微凸塊 (microbump) 技術(shù)將芯片與晶圓互連間距的制程能力由40um(微米)提升到20um,滿足應(yīng)用于多樣化小芯片(chiplet)整合需求。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202403/456792.htm

先前指出,今年先進封裝相關(guān)營收可望較去年翻倍成長,市場法人更看好,在先進封裝技術(shù)持續(xù)推進,有利未來幾年在先進封裝營收比重快速拉升。

日月光搶布先進封裝,該公司表示,相關(guān)高階先進封裝將從現(xiàn)有客戶收入翻倍,今年日月光在先進封裝與測試營收占比上更高。

市場法人估計,日月光今年相關(guān)營收增加可望達2.5億美元以上,成長動能將持續(xù),除了受惠高階先進封裝,日月光也將受惠主流封裝因應(yīng)生態(tài)系統(tǒng)成長的半導(dǎo)體芯片需求。

日月光強調(diào),這種先進互連解決方案,對于在新一代的垂直整合,例如日月光 VIPack平臺2.5D和3D封裝與2D并排解決方案中實現(xiàn)創(chuàng)造力和微縮至關(guān)重要。

日月光也指出,隨著小芯片設(shè)計方法加速進化,該公司先進互連技術(shù)使設(shè)計人員能夠有創(chuàng)新的高密度小芯片整合選項,微凸塊技術(shù)使用新型金屬迭層 (metallurgical stack),將間距從40um減少到20um。

微凸塊技術(shù)進步擴展現(xiàn)有的硅與硅互連能力,此技術(shù)更有助于促進其他開發(fā)活動,從而進一步縮小間距。

日月光補充,當(dāng)針對系統(tǒng)單芯片(SoC)進行小芯片或IP區(qū)塊解構(gòu)(disaggregation)時,區(qū)塊間可能存在大量連接,小尺寸IP區(qū)塊往往會導(dǎo)致許多空間受限的連接,微間距互連技術(shù)可以實現(xiàn)3D整合及更高密度的高IO內(nèi)存(high IO memory)。

AI快速增長,日月光提供先進互連創(chuàng)新技術(shù),滿足復(fù)雜芯片設(shè)計及系統(tǒng)架構(gòu)要求,降低制造成本并加快上市時間。芯片級互連技術(shù)的擴展為小芯片開辟更多應(yīng)用,不僅針對AI等高階應(yīng)用,也擴及手機應(yīng)用處理器(mobile AP)以及微控制器等其他關(guān)鍵產(chǎn)品。

 1711366922227619.jpg




關(guān)鍵詞: 日月光 小芯片互連 AI

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉