臺積電最高將獲美國66億美元直接補貼 打造新半導體集群

據(jù)美國政府官方聲明，臺積電已與美國商務(wù)部達成不具約束力的初步條款備忘錄（PMT）。臺積電將獲得最高可達66億美元的直接資金補貼，根據(jù)初步協(xié)議還將向臺積電的晶圓廠建設(shè)提供最高可達50億美元的貸款。同時，臺積電計劃向美國財政部就TSMC Arizona資本支出中符合條件的部分，申請最高可達25%的投資稅收抵免。

臺積電方面承諾在亞利桑那州設(shè)立第三座晶圓廠，有助于提高產(chǎn)量，滿足市場對高性能芯片的需求，進而在亞利桑那州打造一個前沿半導體集群。另外，這將有助于臺積電在應(yīng)對地緣政治風險和供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)方面發(fā)揮更大作用。

臺積電在美的整體投資將超650億美元，可在十年間為亞利桑那州當?shù)貏?chuàng)造6000個直接工作崗位和數(shù)以萬計的間接崗位，此外還有累計超20000個的相關(guān)建筑業(yè)崗位。

現(xiàn)階段，臺積電正在當?shù)嘏d建兩座晶圓廠。不過，因為包括資金補助在內(nèi)的種種問題，2023年臺積電宣布在亞利桑那州建設(shè)的兩座廠房中，晶圓一廠(Fab21)的啟用時間從2024年推遲到2025年。2024年1月，又宣布原定于2026年開始營運的晶圓二廠，要等到2027或2028年才會進行量產(chǎn)作業(yè)。

其中，晶圓一廠將提供4nm FinFET產(chǎn)能，晶圓二廠則將在3nm工藝外再引入2nm GAA工藝。兩座晶圓廠完工后，合計將年產(chǎn)超過60萬片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場價值預(yù)估超過400億美元。

第三座晶圓廠預(yù)計將于2030年投入運營，采用2nm或更先進的制程技術(shù)進行芯片生產(chǎn)。第三座晶圓廠的設(shè)立計劃將使臺積電在亞利桑那州鳳凰城據(jù)點的總資本支出超過650億美元，該據(jù)點為亞利桑那州史上規(guī)模最大的外國直接投資案。

根據(jù)先前路透社的報導指出，臺積電計劃擴大在美國亞利桑那州的投資設(shè)廠，預(yù)計將會興建達6座晶圓廠。對此，當時臺積電雖然回應(yīng)亞利桑那州建廠計劃依原訂計劃執(zhí)行。然而，臺積電總裁魏哲家先前也曾表示，臺積電在亞利桑那州已取得大范圍的土地以維持彈性，進一步擴建是有可能的，但必須根據(jù)營運效率、成本效益，及客戶需求來決定下一步計劃。

美國芯片法案目前資金分配情況

此前英特爾也與美國商務(wù)部簽署了類似的條款備忘錄，涉及至多85億美元直接補貼和110億美元貸款。