新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動態(tài) > 三星1nm量產(chǎn)計劃或?qū)⑻崆爸?026年

三星1nm量產(chǎn)計劃或?qū)⑻崆爸?026年

作者: 時間:2024-05-31 來源:SEMI 收藏

據(jù)外媒報道,計劃在今年6月召開的2024年代工論壇上,正式公布其制程工藝計劃,并計劃將的量產(chǎn)時間從原本的2027年提前到2026年。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202405/459409.htm

據(jù)了解,電子已于2022年6月在全球首次成功量產(chǎn)3nm代工,并計劃在2024年開始量產(chǎn)其第二代3nm工藝。根據(jù)之前的路線圖,2nm SF2 工藝將于2025年亮相,與 3nm SF3 工藝相比,同等情況下能效可提高25%,性能可提高12%,同時芯片面積減少5%。

報道中稱,三星加速量產(chǎn)工藝的信心,或許來自于“Gate-All-Around(GAA)”電流控制技術(shù),該技術(shù)能顯著降低晶體管的漏電流,提升芯片功率效率。



關(guān)鍵詞: 三星 1nm 晶圓

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉