imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)

比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗(yàn)室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計(jì)劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過(guò)這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，能夠?qū)崿F(xiàn)高分辨率的high NA EUV單次曝光。
 

(a)imec為DRAM應(yīng)用展示電荷儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)連接墊與位線周邊電路的整合;(b)圖形轉(zhuǎn)移后的9納米及5納米隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)（間距為19納米）。
由艾司摩爾與imec共同成立于荷蘭費(fèi)爾德霍溫的High NA EUV微影實(shí)驗(yàn)室在近期啟用后，客戶現(xiàn)在可以使用TWINSCAN EXE:5000高數(shù)值孔徑極紫外光曝光機(jī)來(lái)開(kāi)發(fā)非公開(kāi)的high NA EUV應(yīng)用案例，這些案例也能運(yùn)用客戶各自的設(shè)計(jì)規(guī)則和布局。
imec成功利用單次曝光，形成間隔為9納米與半線寬為5納米的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)，相當(dāng)于間距為19納米，圖形頂端（tip-to-tip）的間距達(dá)到20納米以下。中心間距為30納米的隨機(jī)通孔充分展示了絕佳的圖形保真度與關(guān)鍵尺寸均勻度。此外，間距為22納米的二維特征也展現(xiàn)了杰出的性能，突顯了利用高數(shù)值孔徑微影技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)2D布線的發(fā)展?jié)摿Α?br/>除了邏輯結(jié)構(gòu)，imec也成功利用單次曝光，為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）制出把電荷儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)連接墊（storage node landing pad）與周邊位線相互整合的組件圖形。這項(xiàng)成就彰顯了高數(shù)值孔徑技術(shù)的潛能，可望透過(guò)單次曝光來(lái)取代多層光罩的曝光需求。
取得這些突破性成果后，imec攜手艾司摩爾—與其伙伴緊密合作，開(kāi)始緊鑼密鼓地進(jìn)行準(zhǔn)備工作，為第一代High NA EUV微影技術(shù)來(lái)籌備圖形化生態(tài)系統(tǒng)與量測(cè)技術(shù)。在進(jìn)行多次曝光之前，imec準(zhǔn)備了專用的晶圓堆棧（包含先進(jìn)光阻、涂布底層及光罩），并把像是光學(xué)臨近校正（OPC）、整合圖形化及蝕刻技術(shù)等high NA EUV基線制程整合到0.55NA EUV曝光機(jī)臺(tái)上。
imec運(yùn)算技術(shù)及系統(tǒng)／運(yùn)算系統(tǒng)微縮研究計(jì)劃的資深副總裁（SVP）Steven Scheer表示：「我們很高興能在艾司摩爾與imec共同建立的實(shí)驗(yàn)室展示全球首次利用high NA技術(shù)完成的邏輯及內(nèi)存組件圖形化，這也是業(yè)界應(yīng)用的首次認(rèn)證。結(jié)果顯示，在利用單次曝光成像來(lái)積極微縮2D特征圖形的方面，High NA EUV技術(shù)展現(xiàn)了獨(dú)特的潛能，不僅改善了設(shè)計(jì)彈性，也減少了圖形化的成本與復(fù)雜度。面向未來(lái)，我們期待能夠提供價(jià)值洞見(jiàn)給圖形化生態(tài)系統(tǒng)的合作伙伴，協(xié)助他們進(jìn)一步推動(dòng)High NA EUV專用材料及設(shè)備的發(fā)展?！?br/>imec執(zhí)行長(zhǎng)Luc Van den hov表示：「此次成果證實(shí)了高數(shù)值孔徑EUV技術(shù)具備長(zhǎng)遠(yuǎn)預(yù)測(cè)的分辨率能力，目標(biāo)是利用單次曝光來(lái)制出間距為20納米以下的金屬層。因此，High NA EUV技術(shù)將會(huì)為延續(xù)邏輯和內(nèi)存技術(shù)的尺寸微縮提供莫大的幫助，這也是推進(jìn)組件發(fā)展藍(lán)圖邁向埃米世代的一大重要支柱。這些早期技術(shù)展示全都是因?yàn)榘灸柵cimec共同實(shí)驗(yàn)室的成立才得以實(shí)現(xiàn)，該實(shí)驗(yàn)室能讓我們的合作伙伴加速把高數(shù)值孔徑微影技術(shù)引進(jìn)量產(chǎn)?！?br/>