國產(chǎn)半導體設(shè)備實現(xiàn)關(guān)鍵突破！

公開消息顯示，近期我國半導體設(shè)備在離子注入、刻蝕、薄膜沉積、第三代半導體等領(lǐng)域取得多番突破。國產(chǎn)設(shè)備大廠自2020年起至今年上半年，業(yè)績實現(xiàn)了較大程度的增長。近幾年的驅(qū)動因素包括受人工智能計算需求大幅提升、全球晶圓制造產(chǎn)能擴張、高性能計算和存儲相關(guān)設(shè)備以及第三代半導體設(shè)備需求猛漲等?？傮w來看，業(yè)界關(guān)于“半導體設(shè)備是近幾年半導體產(chǎn)業(yè)中業(yè)績確定性最強的細分領(lǐng)域”定論依舊適用。

01國產(chǎn)設(shè)備多番突破

國家電投完成首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶交付

據(jù)國家電力投資集團有限公司（以下簡稱“國家電投”）9月10日消息，近日，國家電投所屬國電投核力創(chuàng)芯（無錫）科技有限公司（以下簡稱“核力創(chuàng)芯”）暨國家原子能機構(gòu)核技術(shù)（功率芯片質(zhì)子輻照）研發(fā)中心，完成首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶交付。

國家電投表示，這標志著我國已全面掌握功率半導體高能氫離子注入核心技術(shù)和工藝，補全了我國半導體產(chǎn)業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán)，為半導體離子注入設(shè)備和工藝的全面國產(chǎn)化奠定了基礎(chǔ)。

據(jù)國家電投介紹，氫離子注入是半導體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié)，在集成電路、功率半導體、第三代半導體等多種類型半導體產(chǎn)品制造過程中起著關(guān)鍵作用，該領(lǐng)域核心技術(shù)及裝備工藝的缺失嚴重制約了我國半導體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展，特別是600V以上高壓功率芯片長期依賴進口。核力創(chuàng)芯的技術(shù)突破，打破了國外壟斷。

官方資料顯示，核力創(chuàng)芯在不到三年的時間里，突破多項關(guān)鍵技術(shù)壁壘，實現(xiàn)了100%自主技術(shù)和100%裝備國產(chǎn)化，建成了我國首個核技術(shù)應(yīng)用和半導體領(lǐng)域交叉學科研發(fā)平臺。首批交付的芯片產(chǎn)品經(jīng)歷了累計近萬小時的工藝及可靠性測試驗證，主要技術(shù)指標達到國際先進水平，獲得用戶高度評價。

企查查顯示，核力創(chuàng)芯成立于2021年，注冊地位于江蘇省無錫市，是國家電投集團核技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)重點項目——功率芯片質(zhì)子輻照項目的承建單位，注冊資本7022.63萬元。

中微公司：關(guān)鍵零組件“自主可控”比例已超過9成，預(yù)期今年三季度可達100%

近日，國產(chǎn)半導體設(shè)備大廠中微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯尹志堯表示，當前中微自主化進展順利，關(guān)鍵零組件“自主可控”比例已超過9成，預(yù)期在2024年第3季就能達到100%。他相信在5~10年，中國半導體設(shè)備技術(shù)可以趕上最先進水平。

近年來，芯片從二維向三維的結(jié)構(gòu)變化帶來了新的市場機遇。尹志堯認為，集成電路發(fā)展到當前階段，光刻機的關(guān)鍵作用在減弱，而刻蝕、薄膜和其它設(shè)備的關(guān)鍵作用在增強。深層結(jié)構(gòu)不是靠光刻，而是薄膜等其它設(shè)備的綜合作戰(zhàn)，這對國內(nèi)企業(yè)來說是很大的機會。

中微未來設(shè)定了三大業(yè)務(wù)方向，一是集成電路設(shè)備，從刻蝕到薄膜再到檢測等關(guān)鍵領(lǐng)域，更多地去做開發(fā)；二是泛半導體設(shè)備，公司將借助現(xiàn)有技術(shù)積累，擴展布局顯示、微機電系統(tǒng)、功率器件、太陽能領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備；三是進軍光學檢測設(shè)備，中微公司通過投資布局了第四大設(shè)備市場——光學檢測設(shè)備，近期將盡快開發(fā)出電子束檢測設(shè)備，這也是除光刻機以外最大的短板。

目前中微公司正在持續(xù)研發(fā)多款半導體設(shè)備，據(jù)中微公司披露，目前針對邏輯和存儲芯片制造中最關(guān)鍵刻蝕工藝的多款設(shè)備已經(jīng)在客戶產(chǎn)線上展開驗證，多款I(lǐng)CP刻蝕設(shè)備在先進邏輯芯片、先進DRAM和3D NAND產(chǎn)線驗證推進順利并陸續(xù)取得客戶批量訂單。晶圓邊緣Bevel刻蝕設(shè)備完成開發(fā)，即將進入客戶驗證，公司的TSV硅通孔刻蝕設(shè)備也越來越多地應(yīng)用在先進封裝和MEMS（微機電系統(tǒng)）器件生產(chǎn)。據(jù)其官方微信披露，近期，其最新研發(fā)的半導體薄膜設(shè)備——12英寸高深寬比金屬鎢沉積設(shè)備Preforma Uniflex?HW以及12英寸原子層金屬鎢沉積設(shè)備Preforma Uniflex?AW已推出，標志著中微公司在半導體領(lǐng)域中擴展了全新的工藝應(yīng)用。

萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通半導體：離子注入機基本自主可控！

近日，萬業(yè)企業(yè)旗下凱世通半導體與國內(nèi)頂尖的集成電路制造企業(yè)、中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院等離子體物理研究所等達成戰(zhàn)略合作，通過簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，各方將促進上游零部件企業(yè)一體化發(fā)展，進而幫助下游用戶解決本土芯片制造的連續(xù)性挑戰(zhàn)。

萬業(yè)企業(yè)總裁兼旗下凱世通董事長李勇軍博士表示，凱世通提早布局，目前已基本實現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機供應(yīng)鏈自主可控。此次戰(zhàn)略合作的簽約項目，包括微波等離子體噴槍、靜電吸盤材料、真空自動化機器人、超高能射頻加速器、射頻電源、高精度氣體流量計等多款關(guān)鍵零部件，致力于填補國內(nèi)空白。

在上下游產(chǎn)業(yè)鏈的緊密協(xié)作下，凱世通多個關(guān)鍵零部件項目已開花結(jié)果。其中，微波等離子體噴槍主要用于離子注入靜電中和，相對于傳統(tǒng)的燈絲型等離子體噴槍，可有效降低金屬污染，從而提升芯片制造的良品率。這一零部件是滿足以AI、HBM、傳感器為代表的新質(zhì)生產(chǎn)力芯片嚴苛制造要求的關(guān)鍵。經(jīng)過系列科技攻關(guān)與研發(fā)創(chuàng)新，凱世通已實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，產(chǎn)品測試性能表現(xiàn)優(yōu)異，維護成本低，并已交付給客戶進行產(chǎn)線驗證。

天津大學在氮化鋁、氮化硅陶瓷半導體設(shè)備耗材高精度加工領(lǐng)域取得重大突破

近日，天津大學先進材料團隊在氮化鋁、氮化硅陶瓷半導體設(shè)備耗材高精度加工方面取得突破，研發(fā)出低損傷超精密制造系統(tǒng)，助力我國半導體關(guān)鍵耗材自主可控。相關(guān)研究成果在線發(fā)表于《極端制造》。

此次，該校團隊自主研發(fā)的主軸微納調(diào)控超精密制造系統(tǒng)，成功解決了硬脆材料在精密加工過程中極易出現(xiàn)的表面/亞表面損傷問題，實現(xiàn)了氮化硅、氮化鋁陶瓷等硬脆材料的高效率、高精度加工。
公開資料顯示，氮化硅、氮化鋁陶瓷作為半導體行業(yè)中不可或缺的關(guān)鍵材料，廣泛應(yīng)用于晶圓的氧化、刻蝕、離子注入等多種工藝制程中。然而，由于其極高的制造門檻和復雜的結(jié)構(gòu)特性，這些材料的超精密制造一直是制約我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)難題之一。傳統(tǒng)加工方法往往難以在保證加工精度的同時，有效控制材料損傷，從而影響精密部件的使用性能和壽命。

針對這一難題，天津大學先進材料與高性能制造團隊系統(tǒng)開展了硬脆材料去除機理、近無損加工工藝以及專用超聲加工裝備等多方面的基礎(chǔ)與應(yīng)用研究。研究團隊通過深入探索多類型陶瓷材料的損傷生成機制，成功突破了硬脆材料加工過程中的力熱調(diào)控以及大尺寸面型收斂工藝難題。他們創(chuàng)新性地提出了硬脆材料大深徑比制孔、旋量可控磨拋等關(guān)鍵技術(shù)，不僅實現(xiàn)了對大尺寸復雜結(jié)構(gòu)氮化硅、氮化鋁陶瓷的高效加工，還顯著降低了加工過程中的材料損傷。

該主軸微納調(diào)控超精密制造系統(tǒng)的成功研發(fā)，為硬脆材料的高精度低損傷加工提供了強有力的技術(shù)保障。該系統(tǒng)通過微納級別的精準調(diào)控，實現(xiàn)了對加工過程的精細化控制，有效避免了傳統(tǒng)加工方法中的“一刀切”問題，顯著提升了加工精度和效率。同時，該系統(tǒng)還具備高度的靈活性和適應(yīng)性，能夠滿足不同規(guī)格、不同結(jié)構(gòu)的硬脆材料加工需求，為半導體產(chǎn)業(yè)的多樣化發(fā)展提供了有力支持。

02“薄膜生長”國產(chǎn)實驗裝置在漢驗收

去年四季度，據(jù)長江日報消息，半導體芯片生產(chǎn)中的重要工藝設(shè)備——“薄膜生長”實驗裝置在武漢通過驗收，這項原創(chuàng)性突破可提升半導體芯片質(zhì)量。

這套自主研制的“薄膜生長”國產(chǎn)實驗裝置，由武漢大學劉勝教授牽頭，聯(lián)合華中科技大學、清華大學天津高端裝備研究院、華南理工大學、中國科學院半導體研究所、中國科學院微電子研究所等多家單位，歷時5年完成。官方資料顯示，這套“薄膜生長”國產(chǎn)實驗裝置由“進樣腔”“高真空環(huán)形機械手傳樣腔”等多個腔體和“超快飛秒雙模成像系統(tǒng)”“超快電子成像系統(tǒng)”等多個構(gòu)件組成，占地面積20余平方米。

“如同光刻工藝一樣，半導體薄膜生長是芯片生產(chǎn)的核心上游工藝。”武漢大學副研究員吳改介紹了這套實驗裝置的工作原理：將硅、藍寶石等襯底放入進樣腔，通過“高真空環(huán)形機械手”將襯底轉(zhuǎn)運至功能不同的腔體，實現(xiàn)襯底的預(yù)處理、薄膜生長、等離子體清洗等過程。

03我國設(shè)備行業(yè)高速發(fā)展

目前，包括北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、拓荊科技、中科飛測等16家國產(chǎn)設(shè)備大廠均披露了今年上半年財報，其中有6家企業(yè)營收同比增長超30％，5家企業(yè)歸母凈利潤超30％。營收前五為北方華創(chuàng)、晶盛機電、中微公司、盛美上海、至純科技和長川科技。

從在這16家A股半導體設(shè)備公司的從存貨和合同負債來看，有超10家公司兩項指標均實現(xiàn)環(huán)比增長。表明設(shè)備行業(yè)獲將繼續(xù)維持較高景氣度。以下我們將重點看看北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、晶盛機電和晶升股份情況。

北方華創(chuàng)

北方華創(chuàng)上半年存貨211.3億，主要在于產(chǎn)品和庫存商品增加，并且公司訂單充足。值得注意的是，作為半導體設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，北方華創(chuàng)在近一年內(nèi)也頗受北上資金的青睞。無論是在凈加倉規(guī)模還是加倉幅度方面，都名列前茅。

技術(shù)研發(fā)上，目前，北方華創(chuàng)面向300mm晶圓廠的12英寸產(chǎn)品不斷突破，TSV硅通孔金屬化設(shè)備是針對2.5D/3D立體封裝和Chiplet芯粒等先進封裝領(lǐng)域的薄膜沉積設(shè)備，目前北方華創(chuàng)的TSV刻蝕設(shè)備已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)主流晶圓廠和先進封裝廠，是國內(nèi)TSV量產(chǎn)線的主力機臺。12英寸高密度等離子體化學氣相沉積設(shè)備目前已正式進入客戶端驗證，電容耦合等離子體、晶邊刻蝕機已通過客戶驗證，等離子去膠機、高介電常數(shù)原子層沉積設(shè)備已在國內(nèi)多家客戶端實現(xiàn)量產(chǎn)，減壓外延設(shè)備已在多家客戶穩(wěn)定量產(chǎn)并獲得重復訂單，集成電路鋁襯墊濺射設(shè)備已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

此外，今年上半年，北方華創(chuàng)再融資項目繼去年年底“高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地三期擴產(chǎn)項目”順利投產(chǎn)后，“半導體裝備產(chǎn)業(yè)化基地四期擴產(chǎn)項目”也已建成并投入使用。

中微公司

中微公司半年報顯示，公司的合同負債大幅增加，去年年底是7.72億元，現(xiàn)在是25.25億元，中微公司表示，較為強勁的增長勢頭將在下半年延續(xù)。據(jù)披露，中微公司目前訂單充足，預(yù)計2024年前三季度的累計新增訂單超過75億元，同比增長超過50%；公司預(yù)計2024年累計新增訂單將達110億元至130億元，預(yù)計2024年全年付運設(shè)備臺數(shù)將同比去年增長200%以上。

在中微公司的財報中，其具備國際競爭力的主力產(chǎn)品等離子體刻蝕設(shè)備取得收入26.98億元，同比增長高達56.68%，營收占比約為78.26%。公開信息顯示，中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已批量應(yīng)用在國內(nèi)外一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及更先進的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進封裝生產(chǎn)線。

在持續(xù)研發(fā)方面，據(jù)中微公司披露，目前針對邏輯和存儲芯片制造中最關(guān)鍵刻蝕工藝的多款設(shè)備已經(jīng)在客戶產(chǎn)線上展開驗證，多款I(lǐng)CP刻蝕設(shè)備在先進邏輯芯片、先進DRAM和3D NAND產(chǎn)線驗證推進順利并陸續(xù)取得客戶批量訂單。晶圓邊緣Bevel刻蝕設(shè)備完成開發(fā)，即將進入客戶驗證，公司的TSV硅通孔刻蝕設(shè)備也越來越多地應(yīng)用在先進封裝和MEMS（微機電系統(tǒng)）器件生產(chǎn)。擴產(chǎn)動作上，中微公司已經(jīng)為提高產(chǎn)能應(yīng)對市場需求增長做好了準備。8月份，中微公司臨港產(chǎn)業(yè)化基地正式啟用，據(jù)了解，該基地占地約157畝、總建筑面積約18萬平方米，項目基礎(chǔ)建設(shè)總投資約15億元。

晶盛機電和晶升股份

對于上半年業(yè)績“增收不增利”，晶盛機電解釋，主要是材料業(yè)務(wù)產(chǎn)品價格下降導致毛利率下降，以及經(jīng)營規(guī)模增加導致的折舊及攤銷費用大幅增加。

第三代半導體碳化硅已逐步邁入8英寸時代，碳化硅設(shè)備和材料作為晶盛機電業(yè)績的第三增長曲線，近年來營收占比不斷上升。在業(yè)績報告中，晶盛機電強調(diào)了8英寸單片式和雙片式碳化硅外延生長設(shè)備、碳化硅光學量測設(shè)備等研發(fā)進展。在今年3月中旬的SEMICON China中，晶盛機電發(fā)布了8英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備、8英寸碳化硅量測設(shè)備等，意味著晶盛機電正在從長晶、檢測等環(huán)節(jié)深化對8英寸碳化硅設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈的布局，并逐步實現(xiàn)了碳化硅外延設(shè)備的國產(chǎn)替代。

在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域，我國除了晶盛機電外，晶升股份研發(fā)進程同樣值得關(guān)注。晶升股份上半年實現(xiàn)營收1.99億元，同比增長73.76%；歸母凈利潤0.35億元，同比增長131.99%；歸母扣非凈利潤0.17億元，同比增長116.47%。其業(yè)績的持續(xù)增長與近年來碳化硅產(chǎn)業(yè)的火熱發(fā)展密切相關(guān)。8月7日，晶升股份在投資者互動平臺表示，其第一批8英寸碳化硅長晶設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付。這意味著晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備已完成驗證，開啟了批量交付進程。

盛美上海

盛美上海半年報顯示，公司實現(xiàn)營業(yè)收入24.04億元，同比增長49.33%；凈利潤4.43億元，同比增長0.85%；扣非凈利潤4.35億元，同比增長6.92%。在其財報數(shù)據(jù)中，盛美上海合同負債高至10.42億，表明了其較好的業(yè)績預(yù)期。對于今年業(yè)績，盛美上海上調(diào)至53億元—58.8億元。

近日，盛美上海于臨港舉行“盛美半導體設(shè)備研發(fā)與制造中心試生產(chǎn)儀式”。據(jù)悉，盛美半導體設(shè)備研發(fā)與制造中心共有5個單體，包含兩座研發(fā)樓、兩座廠房和一座輔助廠房，建筑面積近13.8萬平方米，其中廠房面積4萬平方米，滿產(chǎn)運行后預(yù)計將帶來百億產(chǎn)值。

2024年以來，盛美上海多款設(shè)備實現(xiàn)迭代升級和技術(shù)突破。8月，推出用于扇出型面板級封裝（FOPLP）應(yīng)用的新型Ultra C bev-p面板邊緣刻蝕設(shè)備；3月，濕法設(shè)備4000腔順利交付；5月，順利推出用于先進封裝的全新產(chǎn)品帶框晶圓清洗設(shè)備。新設(shè)備的加持，保證了公司產(chǎn)品的多元性。值得一提的是，今年年初，盛美上海披露了2024年度定增預(yù)案，擬再融資45億元，用于強化研發(fā)測試能力，助力公司平臺化及全球化發(fā)展，并補充流動資金。