三星陷入良率困境，晶圓代工生產(chǎn)線關閉超30%

根據(jù)韓國三星證券初步的預測數(shù)據(jù)顯示，三星3nm GAA制程的良率約為20%，比可達成大規(guī)模生產(chǎn)的建議值低了三倍。

因訂單量不足關閉代工生產(chǎn)線

進入5nm制程時，三星晶圓代工業(yè)務就因為無法克服良率障礙而失去了高通驍龍 8 Gen 3的獨家代工訂單，高通的訂單全給了臺積電，同樣上個月最新推出的3nm芯片驍龍 8 Gen 4也是由臺積電代工。

為了滿足客戶需求，三星并不堅持使用自家代工廠，即將發(fā)布的三星Galaxy 25系列手機全系醬搭載驍龍 8 至尊版芯片，放棄自研Exynos2500版本。

目前在代工領域，臺積電拿下了全球60%以上的份額，其中7nm以下的制程拿下了90%的份額，3nm制程更是幾乎拿下100%的份額。英偉達、蘋果和AMD的核心產(chǎn)品都依賴臺積電先進制程及封裝技術，三星未能拿下任何訂單。因良率無法縮小與臺積電差距，客戶被迫放棄與三星合作，預計三星非存儲半導體業(yè)務營業(yè)虧損將達到3.85億美元。

由于三星晶圓代工的良率和效能問題，以及未能獲得主要客戶的訂單，導致訂單不足和虧損不斷增加，迫使三星實施節(jié)約成本的措施。近期，三星電子的半導體部門采取了暫時關閉代工生產(chǎn)線的措施，包括平澤2廠（P2）和3廠（P3）的4nm、5nm與7nm晶圓代工生產(chǎn)線關閉超過30% —— 關閉低產(chǎn)能的生產(chǎn)線并減少電力成本被認為是更為劃算的選擇，預計到年底將停產(chǎn)范圍擴大至50%左右。

三星把希望放在了下一代2nm GAA技術，將專注于工藝/內(nèi)部開發(fā)，以確保移動/高性能計算客戶的安全。期待通過2nm成功量產(chǎn)重新取得主要客戶的訂單，并通過與存儲器業(yè)務合作，重點確保HBM芯片解決方案的新客戶。

不能再錯失HBM存儲市場

三星在HBM領域起步較晚，自2016年開始量產(chǎn)HBM2，并逐步推出HBM2E和HBM3產(chǎn)品。然而，由于技術誤判，三星在2019年解散了HBM研發(fā)團隊，直到2023年下半年重新啟動了HBM3的研發(fā)，2024年初，成立了新的HBM團隊專注于HBM3E和HBM4的研發(fā)。

這導致其在HBM3的研發(fā)上落后于競爭對手SK海力士，未能獲得英偉達HBM的訂單，沒能趕上AI浪潮對存儲市場的爆發(fā)式增長需求?，F(xiàn)在，SK海力士在HBM市場占據(jù)主導地位，2024年第三季度，SK海力士的HBM銷售額同比暴漲330%，創(chuàng)下歷史新高。

不過英偉達對HBM芯片的供應追求多元化，英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛在多個場合表示，英偉達正在對三星的HBM芯片進行資格認證，并計劃在未來使用它們。10月31日，三星表示已經(jīng)完成了主要客戶公司質量測試的主要階段，預計第四季度（10~12月）銷量將有所擴大，業(yè)界認為這個主要客戶就是英偉達。

從ChatGPT面世以來，與AI相關的產(chǎn)品需求強勁，HBM這類高性能存儲芯片也是其中利潤豐厚的市場之一。三星在全球HBM領域的排名僅落后于SK海力士，據(jù)SemiAnalysis的估計，SK海力士占據(jù)了約73%的份額，而三星以22%的份額位居第二，美光則排名第三，占據(jù)約5%的市場份額。

三星過度依賴傳統(tǒng)存儲芯片而未及時轉向AI和高性能計算市場，但傳統(tǒng)存儲芯片受產(chǎn)業(yè)周期影響較大。而HBM現(xiàn)在是DRAM的“明星”代表產(chǎn)品，若此情況持續(xù)，三星可能會失去第一大DRAM供應商的地位。盡管三星在智能手機和家電業(yè)務等板塊銷售表現(xiàn)出色，但考慮到芯片業(yè)務通常具有更高的利潤率和戰(zhàn)略重要性，這部分業(yè)務只能部分緩解整體的業(yè)績壓力。

展望2024年第一季度以及2025年，三星將加強以利潤為中心的業(yè)務競爭力，計劃擴大HBM的產(chǎn)能與銷售；加快向1b（DDR5第五代10納米級DRAM）過渡，以滿足基于32Gb DDR5的高密度服務器需求；通過進一步擴大基于V8（第8代V-NAND）的PCIe 5.0的銷售和高密度QLC大規(guī)模產(chǎn)品的銷售，鞏固市場競爭力。

全球范圍進行裁員

最近有傳言稱，三星要將一些在代工廠工作的人員重新分配到存儲業(yè)務部門。三星證券也一直在強調(diào)戰(zhàn)略變革的必要性，建議三星電子分拆代工業(yè)務。10月7日，三星電子會長李在镕在接受采訪時表示，“我們希望發(fā)展相關業(yè)務，對剝離它們不感興趣”，無意分拆代工芯片制造及邏輯芯片設計業(yè)務，顯示出三星意在維持IDM模式，即垂直整合制造模式。然而，這也意味著三星在短期內(nèi)需要面對更大的整合管理壓力，尤其是在技術路線統(tǒng)一和資源高效分配上。

巨大壓力下，三星計劃今年在全球范圍進行裁員，有消息指出某些部門將裁減30%的海外員工。三星高管透露，將實施前所未有的四輪大規(guī)模自愿退休計劃，特別是針對持續(xù)虧損的晶圓代工制造團隊，8英寸代工制造和技術團隊將裁員30%以上。

第一輪自愿退休將針對工作超過15年但5年內(nèi)未獲得等級提升的CL3級員工；第二輪自愿退休將給予工作時間持續(xù)10年以上的員工。若目標未達成，第三輪將擴大至全體員工，最后的第四輪將控制到僅維持正常運營。預計賠償總計約4億韓元（約合28.66萬元美元），其中包括基于CL3的遣散費和四個月的工資3.8億韓元。

隨著三星逐步關閉一些晶圓代工生產(chǎn)線，必然會對相應的產(chǎn)線員工進行裁員，這一舉措還與第三季度財報中半導體業(yè)務的不佳表現(xiàn)密切相關。據(jù)三星公布的第三季度財報顯示，半導體部門第三季度營業(yè)利潤為3.86萬億韓元（約28億美元），較上一季度下降40%。

三星還能追上臺積電嗎？

三星在傳統(tǒng)芯片和先進芯片領域正面臨著日益激烈的競爭，特別是在攸關未來發(fā)展的HBM芯片開發(fā)上落后于對手，又在代工領域落后于臺積電。因被質疑“踏空”人工智能熱潮，市場開始看空三星電子。臺積電在良率和工藝穩(wěn)定性上領先三星，且其全球供應鏈更加穩(wěn)固，而三星的投資周期較長、生產(chǎn)效率相對較低，某種程度上限制了它的市場拓展空間。

除了采取開源節(jié)流的措施，三星還進一步重申其芯片戰(zhàn)略。從工藝角度，三星在努力確保3nm和2nm市場的客戶，加速建設生產(chǎn)設施，一直在擴大資本支出，以保持在先進工藝方面的競爭力，但它在財務方面的壓力也對發(fā)展形成了制約。

三星的業(yè)務非常多元化，在半導體領域的年投資額超過了臺積電，但三星的投資并不僅限于代工業(yè)務，還包括內(nèi)存制造以及其他方面。這種多元化的投資組合可能導致三星在代工領域的投資不如臺積電專注和高效。

三星與臺積電的競爭在7nm后拉開了差距，在晶體管密度這一關鍵指標上，三星的表現(xiàn)始終未能超過臺積電。最終導致了在代工業(yè)務上的專業(yè)度不如臺積電，在芯片性能戰(zhàn)走向3nm這種接近極致高度的時候拉開差距，之后大量客戶倒向了臺積電。

三星晶圓代工一直是三星集團的核心技術與重要的業(yè)務之一。早年，三星在芯片代工市場與臺積電是并列雙雄，兩者在芯片制造技術方面幾乎同步。為了取得領先位置，在3nm制程上三星選擇首先采用GAAFET晶體管技術，而臺積電則依舊采用的是FinFET晶體管技術。

有分析認為，三星消減成本的措施可能會對其在代工領域的競爭力產(chǎn)生負面影響。由于三星將重點放在了存儲芯片業(yè)務上，代工業(yè)務已經(jīng)被邊緣化。隨著生產(chǎn)設施的逐步關停，三星與臺積電之間的差距可能會進一步拉大，追趕之路將愈發(fā)艱難。