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東芝推出高速導(dǎo)通小型光繼電器,可縮短半導(dǎo)體測試設(shè)備的測試時(shí)間

作者: 時(shí)間:2025-02-21 來源:EEPW 收藏

芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“”)近日宣布,最新推出采用S-VSON4T[1]封裝的——“TLP3414S”與“TLP3431S”,具有比現(xiàn)有產(chǎn)品更快的導(dǎo)通時(shí)間[2]。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。該產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202502/467180.htm

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新型通過提高輸入側(cè)紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測器(光電二極管陣列)的設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)高效的光耦合,將導(dǎo)通時(shí)間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導(dǎo)通時(shí)間比現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414縮短約50 %,TLP3431S的導(dǎo)通時(shí)間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3431縮短約62 %。

此外,當(dāng)輸出打開時(shí),這兩款產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻會(huì)影響信號(hào)衰減(TLP3414S:最大值3 Ω,TLP3431S:最大值1.2 Ω);當(dāng)輸出關(guān)閉時(shí),輸出電容會(huì)影響高頻信號(hào)泄漏(兩款產(chǎn)品均為典型值6.5 pF)。新產(chǎn)品與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]相當(dāng),確保了穩(wěn)定的信號(hào)傳輸。

新產(chǎn)品適用于中的引腳電子[3]應(yīng)用,可在開關(guān)信號(hào)的同時(shí)以高精度高速測量待測設(shè)備(DUT)。

新產(chǎn)品由于采用小型S-VSON4T封裝,與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品的VSON4封裝[4]相比表貼面積減少了約20 %,有助于實(shí)現(xiàn)和其他設(shè)備的小型化。

東芝將繼續(xù)提供更多高性能產(chǎn)品,以滿足對(duì)更高性能和更快速度的需求。

■   應(yīng)用:

-   半導(dǎo)體測試設(shè)備(高速存儲(chǔ)器測試設(shè)備、高速邏輯測試設(shè)備等)

-   探測卡

-   測量設(shè)備

■   性:

-   高速導(dǎo)通時(shí)間:tON=150 μs(最大值)

-   低導(dǎo)通電阻:

TLP3414S RON=3 Ω(最大值)

TLP3431S RON=1.2 Ω(最大值)

-   小型S-VSON4T封裝:1.45 mm×2.0 mm(典型值),厚度=1.3 mm(典型值)

■   主要規(guī)格:

(除非另有說明,Ta25 °C)

器件型號(hào)

TLP3414S

TLP3431S

封裝

東芝封裝名稱

S-VSON4T

尺寸(mm)

1.45í2.0(典型值),

厚度=1.3(典型值)

觸點(diǎn)類型

1-Form-A

(常開)

絕對(duì)最大額定值

斷態(tài)輸出端電壓VOFF(V)

40

20

通態(tài)電流ION(mA)

250

450

通態(tài)電流(脈沖)IONP(mA)

750

1350

工作溫度Topr(°C)

–40至110

隔離電壓BVS(Vrms)

AC,60 s,

R.H.≤60 %

500

耦合電氣特性

觸發(fā)LED電流IFT(mA)

最大值

3

導(dǎo)通電阻RON(Ω)

典型值

2

0.8

最大值

3

1.2

電氣特性

輸出電容COFF(pF)

典型值

6.5

開關(guān)特性

導(dǎo)通時(shí)間tON(μs)

最大值

150[5]

關(guān)斷時(shí)間tOFF(μs)

100[5]

注:

[1] S-VSON4T封裝:1.45 mm×2.0 mm(典型值)

[2] 東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414(額定值40 V/250 mA)和TLP3431(額定值20 V/450 mA),采用VSON4封裝

[3] 引腳電子(PE):用于向待測設(shè)備(DUT)提供電源和測試信號(hào),并判斷DUT的輸出信號(hào)的一種接口電路

[4] VSON4封裝:1.45 mm×2.45 mm(典型值)

[5] TLP3414S的測試條件:RL=200 Ω、VDD=20 V、IF=5 mA,TLP3431S:RL=200 Ω、VDD=10 V、IF=5 mA



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