東芝推出符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的車載標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離器
加入技術(shù)交流群
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出東芝首批面向車載應(yīng)用的4通道高速標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離器產(chǎn)品線——“DCM34xx01系列”。新系列包含10款器件，具有100 kV/μs（典型值）[1]的高共模瞬態(tài)抑制（CMTI）和50 Mbps（最大值）[2]的高速數(shù)據(jù)傳輸速率，支持穩(wěn)定運(yùn)行。所有器件均符合面向車載電子組件安全性和可靠性的AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。該系列10款產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。
本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/202502/467453.htm
為了確?；旌蟿恿ζ嚕℉EV）和電動汽車（EV）中使用的車載充電器（OBC）和電池管理系統(tǒng)（BMS）的安全性和可靠性，需要能夠確保隔離并防止噪聲傳播的器件。車載標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離器可為當(dāng)前隔離設(shè)備所需的多通道高速通信和高CMTI提供解決方案。
新的隔離器采用東芝專有的磁耦合隔離傳輸方式，以實(shí)現(xiàn)100 kV/μs（典型值）的高CMTI。這不僅實(shí)現(xiàn)隔離信號傳輸中輸入和輸出間電氣噪聲的高容限，還確保了穩(wěn)定的控制信號傳輸，有助于設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。此外，這些新產(chǎn)品還具有0.8 ns（典型值）[2]的低脈寬失真和50 Mbps（最大值）的數(shù)據(jù)傳輸速率，適用于多通道高速通信應(yīng)用，例如具備SPI通信的I/O接口。
東芝的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離器產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)，目前其產(chǎn)品線擴(kuò)展至車載設(shè)備領(lǐng)域。未來，東芝將增加這兩個領(lǐng)域產(chǎn)品的封裝類型和通道數(shù)量，并將繼續(xù)提供高質(zhì)量隔離器件和光耦，以支持車載設(shè)備所需的可靠性和實(shí)時數(shù)據(jù)傳輸。
■ 應(yīng)用：
車載設(shè)備
- 電池管理系統(tǒng)（BMS）
- 車載充電器（OBC）
- 逆變器控制
■ 特性：
- 高共模瞬態(tài)抑制：CMTI＝100 kV/μs（典型值）[1]
- 高速數(shù)據(jù)速率：tbps＝50 Mbps（最大值）[2]
- 低脈寬失真：PWD＝0.8 ns（典型值）
- 四通道支持（請參見具體器件的主要規(guī)格）：
正向四通道，反向零通道；正向三通道，反向一通道；正向兩通道，反向兩通道
■ 主要規(guī)格：
（除非另有說明，Topr＝–40 °C至125 °C）
器件型號 | DCM341L01 | DCM341H01 | DCM341A01 | DCM341B01 | |||||
通道數(shù) （正向：反向） | 4 （3:1） | ||||||||
默認(rèn)輸出邏輯 | 低 | 高 | 低 | 高 | |||||
使能控制 | 輸出使能 | 輸入禁用 | |||||||
封裝 | SOIC16-W | ||||||||
絕對最大額定值 | 工作溫度Topr（°C） | –40至125 | |||||||
存儲溫度Tstg（°C） | –65至150 | ||||||||
隔離電壓 BVS（Vrms） | t＝1分鐘，Ta＝25 °C | 最小值 | 5000 | ||||||
電氣特性 | 共模瞬態(tài)抑制 CMTI（kV/μs） | VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V， VCM=1500 V | 典型值 | 100 | |||||
數(shù)據(jù)速率 tbps（Mbps） | VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V | 最大值 | 50 | ||||||
脈寬失真 PWD（ns） | 典型值 | 0.8 | |||||||
傳輸延遲時間 tPHL、tPLH（ns） | 10.9 | ||||||||
（除非另有說明，Topr＝–40 °C至125 °C）
器件型號 | DCM340C01 | DCM340D01 | DCM340L01 | DCM340H01 | |||
通道數(shù) （正向：反向） | 4 （4:0） | ||||||
默認(rèn)輸出邏輯 | 低 | 高 | 低 | 高 | |||
使能控制 | 無 | 輸出使能 | |||||
封裝 | SOIC16-W | ||||||
絕對最大額定值 | 工作溫度Topr（°C） | –40至125 | |||||
存儲溫度Tstg（°C） | –65至150 | ||||||
隔離電壓 BVS（Vrms） | t＝1分鐘，Ta＝25 °C | 最小值 | 5000 | ||||
電氣特性 | 共模瞬態(tài)抑制 CMTI（kV/μs） | VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，VCM=1500 V | 典型值 | 100 | |||
數(shù)據(jù)速率 tbps（Mbps） | VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5V | 最大值 | 50 | ||||
脈寬失真 PWD（ns） | 典型值 | 0.8 | |||||
傳輸延遲時間 tPHL、tPLH（ns） | 10.9 | ||||||
（除非另有說明，Topr＝–40 °C至125 °C）
器件型號 | DCM342L01 | DCM342H01 | ||||
通道數(shù) （正向：反向） | 4 （2:2） | |||||
默認(rèn)輸出邏輯 | 低 | 高 | ||||
使能控制 | 輸出使能 | |||||
封裝 | SOIC16-W | |||||
絕對最大額定值 | 工作溫度Topr（°C） | –40至125 | ||||
存儲溫度Tstg（°C） | –65至150 | |||||
隔離電壓 BVS（Vrms） | t＝1分鐘，Ta＝25 °C | 最小值 | 5000 | |||
電氣特性 | 共模瞬態(tài)抑制 CMTI（kV/μs） | VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，VCM＝1500 V | 典型值 | 100 | ||
數(shù)據(jù)速率 tbps（Mbps） | VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V | 最大值 | 50 | |||
脈寬失真 PWD（ns） | 典型值 | 0.8 | ||||
傳輸延遲時間 tPHL、tPLH（ns） | 10.9 | |||||
注：
[1] 測試條件：VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，VCM＝1500 V，Topr＝–40 °C至125 °C
[2] 測試條件：VDD1＝VDD2＝4.5 V至5.5 V，Topr＝–40 °C至125 °C
評論