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最詳盡32位MCU低功耗設(shè)計考量與經(jīng)典范例參考(二)

作者: 時間:2013-12-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
CE: normal; ORPHANS: 2; LETTER-SPACING: normal; COLOR: rgb(0,0,0); WORD-SPACING: 0px; PADDING-TOP: 0px; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  低頻工作模式:CPU 內(nèi)核及周邊工作于低頻的時鐘源,例如 32.768K 晶震或內(nèi)部低頻 10K RC 震蕩器。通常此時最大的耗電來源為嵌入式閃存及 LDO 本身的耗電流。如果此時的執(zhí)行程序不大,可以考慮將程序運(yùn)作于 RAM 以降低平均功耗。請注意并不是所有 都能支援在RAM 執(zhí)行程序。

  Idle 模式:CPU 內(nèi)核停止,時鐘源和被致能的周邊電路持續(xù)工作,直到周邊電路符合設(shè)定條件喚醒 CPU 進(jìn)行資料處理或控制執(zhí)行流程。通常高頻的運(yùn)行模式,CPU 及嵌入式快閃記憶體消耗相當(dāng)大比例的電流,故 Idle 模式能有效降低平均功耗。

  待機(jī)RAM 保持模式:CPU 內(nèi)核及所有時鐘源關(guān)閉,內(nèi)建LDO 切換到低耗電模式,但是RAM 及 IO 管腳持續(xù)供電,維持進(jìn)入待機(jī)之前的狀態(tài)。

  RTC 模式:CPU 內(nèi)核及高頻時鐘源關(guān)閉,內(nèi)建LDO 切換到低耗電模式,由于此時 LDO 供電能力降低,僅能提供低耗電的周邊電路運(yùn)行,例如 32.768K 晶振、RTC (實時時鐘計數(shù)器)、BOD (降壓偵測或重置電路)、TN 單色LCD 直接驅(qū)動電路等。

  深層待機(jī)模式:CPU 內(nèi)核及所有時鐘源關(guān)閉,關(guān)閉 RAM 及LDO、BOD 等所有周邊電路的電源,僅IO 管腳(或部分IO管腳)持續(xù)供電,由IO管腳或重置 (Reset) 管腳喚醒 CPU。因為此模式下,RAM 的資料已丟失,通常會進(jìn)行內(nèi)部電源切割,提供數(shù)十個狀態(tài)記錄暫存器作為系統(tǒng)重啟時的初始狀態(tài)參考源。此模式的優(yōu)點是更低的靜態(tài)電流,通常僅需 100nA ~ 500nA,其缺點是并非所有的應(yīng)用都可以忍受 RAM 資料丟失及系統(tǒng)重啟。


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關(guān)鍵詞: 32位 MCU 低功耗

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