高容量Flash MCU需求漲

　　據(jù)了解，瑞薩電子在智慧化嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)，主要係鎖定智慧汽車（Smart Car）、智慧大樓（Smart Building）及智慧家庭（Smart Home）叁大應(yīng)用，并將持續(xù)借重40奈米eFlash製程，開發(fā)出更高存取速度與記憶體容量的32位元微控制器，以迎合市場(chǎng)對(duì)于更高性價(jià)比Flash MCU的要求。

　　黎柏均強(qiáng)調(diào)，該公司憑藉自有的eFlash專利技術(shù)開發(fā)的40奈米製程，已量產(chǎn)出業(yè)界最高存取速度的Flash MCU，達(dá)120MHz，在相同記憶體容量之下，相較于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的Flash MCU存取速度可高出一倍之多。 黎柏均進(jìn)一步指出，該公司新一代通用型32位元Flash MCU內(nèi)嵌的快閃記憶體容量已達(dá)4MB，未來將持續(xù)透過40奈米製程開發(fā)記憶體容量高達(dá)8MB的32位元Flash MCU。

　　除瑞薩電子之外，NOR Flash龍頭大廠飛索看準(zhǔn)快閃記憶體在微控制器應(yīng)用的眾多市場(chǎng)機(jī)會(huì)點(diǎn)，除出手收購(gòu)富士通半導(dǎo)體微控制器和類比部門，跨足MCU市場(chǎng)外，亦已與聯(lián)電達(dá)成 40奈米製程合作協(xié)議，將採(cǎi)用40奈米製程量產(chǎn)Flash MCU和系統(tǒng)單晶片（SoC），加入40奈米製程賽局。

　　整合富士通資源　飛索2015年發(fā)布Flash MCU

　　2013年5月，飛索宣布收購(gòu)富士通半導(dǎo)體（Fujitsu Semiconductor）微控制器和類比部門，如此大動(dòng)作跨足微控制器產(chǎn)業(yè)，已引發(fā)半導(dǎo)體業(yè)界的關(guān)注。飛索預(yù)定于2013年7？9月，正式完成富士通半導(dǎo)體微控制器、類比及混合訊號(hào)部門購(gòu)併，未來將加速整合該部門技術(shù)資源，以及自家的嵌入式電荷擷取（eCT）快閃記憶體技術(shù)，全力加速Flash微控制器研發(fā)，預(yù)計(jì)于2015年發(fā)布首款產(chǎn)品。

　　飛索資深副總裁暨全球技術(shù)長(zhǎng)Saied Tehrani（圖3）談到，該公司在嵌入式市場(chǎng)與快閃記憶體領(lǐng)域已累積不少成果，若再結(jié)合富士通半導(dǎo)體微控制器、類比業(yè)務(wù)相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù)，以及其在日本市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)，將可進(jìn)一步擴(kuò)大市場(chǎng)版圖，帶動(dòng)飛索快閃記憶體產(chǎn)品銷售成長(zhǎng)。

　　Tehrani進(jìn)一步指出，飛索購(gòu)併富士通半導(dǎo)體微控制器與類比業(yè)務(wù)將強(qiáng)化針對(duì)嵌入式市場(chǎng)的產(chǎn)品線，包括汽車、工業(yè)及消費(fèi)性電子，預(yù)計(jì)7？9月完成購(gòu)併案后，將于2014年為飛索挹注高達(dá)4億5，000萬至5億5，000萬美元的收入。

　　據(jù)悉，在雙方購(gòu)併作業(yè)完成后，富士通半導(dǎo)體將成為飛索微控制器和類比業(yè)務(wù)的晶圓代工廠，并將沿用既有的55奈米、65奈米及90奈米製程，為飛索量產(chǎn)Flash MCU。

　　Tehrani認(rèn)為，該公司收購(gòu)富士通半導(dǎo)體的MCU與類比業(yè)務(wù)后，將會(huì)產(chǎn)生諸多綜效，特別是快閃記憶體在微控制器應(yīng)用有眾多機(jī)會(huì)點(diǎn)；而在結(jié)合雙方的優(yōu)勢(shì)后，更可利用飛索在嵌入式市場(chǎng)的地位和能見度來擴(kuò)大微控制器、類比及混合訊號(hào)產(chǎn)品于汽車、工業(yè)和消費(fèi)性電子的市場(chǎng)滲透率。

　　不僅如此，飛索也與聯(lián)電展開更先進(jìn)的40奈米eFlash製程合作。Tehrani認(rèn)為，飛索的eCT快閃記憶體技術(shù)，結(jié)合聯(lián)電40奈米製程，將為旗下的SoC提供更高性能、更低功耗及更具成本競(jìng)爭(zhēng)力的微控制器和SoC方案，大舉插旗嵌入式市場(chǎng)。

　　飛索與聯(lián)電的40奈米合作協(xié)議中，將授權(quán)聯(lián)電其獨(dú)家的eCT快閃記憶體技術(shù)，該技術(shù)類似飛索的MirrorBit技術(shù)，但經(jīng)過修改和邏輯優(yōu)化，故具備更快存取時(shí)間（低于10奈秒）和更低功率的特色，并易于與邏輯整合，較傳統(tǒng)NOR快閃記憶體生產(chǎn)方式使用更少的光罩製程步驟，讓eCT能整合快閃記憶體和高性能邏輯SoC產(chǎn)品，成為具有成本效益的解決方案。

　　面對(duì)Flash MCU市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)者眾，Tehrani強(qiáng)調(diào)，該公司在非揮發(fā)性記憶體發(fā)展有悠久的歷史，并在嵌入式MCU和SoC獨(dú)立式快閃記憶體的eCT技術(shù)發(fā)展上有超過 10年經(jīng)驗(yàn)，且擁有的嵌入式快閃記憶體技術(shù)係專為先進(jìn)的邏輯設(shè)計(jì)，因此具備更快存取速度、低功耗及高運(yùn)算效率的優(yōu)勢(shì)，有利于提高日后旗下Flash MCU產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

　　在智慧化嵌入式系統(tǒng)蔚為風(fēng)潮之下，國(guó)外半導(dǎo)體大廠正爭(zhēng)相加入新一輪先進(jìn)奈米Flash製程賽局，藉由更先進(jìn)的40奈米製程，開發(fā)出內(nèi)嵌更高NOR快閃記憶體容量、更高存取速度、更具成本競(jìng)爭(zhēng)力的高階32位元Flash MCU，以避免陷入入門級(jí)產(chǎn)品線打價(jià)格戰(zhàn)的泥淖，同時(shí)積極壯大高毛利的智慧化嵌入式系統(tǒng)市場(chǎng)版圖。