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恒流AC-DC LED驅(qū)動(dòng)器快速入門及特性介紹

作者: 時(shí)間:2013-09-28 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
al; TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 0px; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; webkit-text-size-adjust: auto; orphans: 2; widows: 2; webkit-text-stroke-width: 0px">  TRIAC 可調(diào)光 LED 照明等

  引腳分配

引腳描述

  功能說(shuō)明

  (1) LED 電流控制功能

  MB39C601 是反激式開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)控制器。它根據(jù) LED 負(fù)載來(lái)控制開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)間或控制開(kāi)關(guān)頻率,從而實(shí)現(xiàn)對(duì) LED 電流的調(diào)節(jié)。與 LED 串聯(lián)的感應(yīng)電阻 (Rs) 將 LED 電流轉(zhuǎn)換為檢測(cè)電壓 (Vs)。外部誤差放大器 (Err AMP) 對(duì) Vs 進(jìn)行比較。當(dāng) Vs 降低到參考電壓以下時(shí),Err AMP 輸出上升,進(jìn)入光電耦合器的電流減小。導(dǎo)通時(shí)間控制方式,由光耦控制OTM 引腳的電流從而對(duì)導(dǎo)通時(shí)間控制模塊控制。當(dāng)OTM 引腳電流減小時(shí)導(dǎo)通時(shí)間增加。提供給LED 的電流同時(shí)被調(diào)節(jié),因?yàn)閷?dǎo)通時(shí)間控制通常在固定開(kāi)關(guān)頻率下使用。

  頻率控制方式,由光耦控制FB 引腳電流從而對(duì)開(kāi)關(guān)頻率控制模塊控制。當(dāng)FB 引腳電流減小時(shí)開(kāi)關(guān)頻率增加。提供給LED的電流同時(shí)被調(diào)節(jié),因?yàn)殚_(kāi)關(guān)頻率控制通常在固定導(dǎo)通時(shí)間下使用。

 ?。?) 級(jí)聯(lián)開(kāi)關(guān)

  初級(jí)繞組中的開(kāi)關(guān)采用級(jí)聯(lián)連接。外部 MOSFET 的柵極與 VCG 引腳連接,源極與內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 的漏極連接。開(kāi)關(guān)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 開(kāi)啟,內(nèi)部 HS 驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 關(guān)閉,外部 MOSFET 的源極電壓下降至 GND。在該過(guò)程中,直流偏置通過(guò)VCG 引腳對(duì)外部MOSFET 柵極供能,而使外部MOSFET 開(kāi)啟。開(kāi)關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí),內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 關(guān)閉,HS 驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 開(kāi)啟,外部 MOSFET 的源極電壓上升至 VCG 電壓。外部 MOSFET 關(guān)閉。此外,進(jìn)入內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器 MOSFET 的電流等于初級(jí)繞組的電流。因此,可以在不使用采樣電阻的情況下對(duì)進(jìn)入初級(jí)繞組的峰值電流進(jìn)行檢測(cè)。

 ?。?) 固有功率因數(shù)自調(diào)節(jié)(Power Factor Control)功能在交流電壓輸入中,當(dāng)使輸入電流波形接近正弦波,并使相位差接近零時(shí),功率因數(shù)會(huì)得到改善。當(dāng)在不連續(xù)傳導(dǎo)模式下采用反激方式工作時(shí),如果將輸入電容設(shè)置得比較小,則初級(jí)繞組的峰值電流 :

  電流公式

  在導(dǎo)通時(shí)間控制中,如果將誤差放大器的環(huán)路響應(yīng)設(shè)置為低于交流頻率(交流頻率的 1/10),則可以使導(dǎo)通時(shí)間保持不變。因此,輸入電流與輸入電壓成正比,從而使功率因數(shù)得到調(diào)節(jié)。

 ?。?) 上電過(guò)程

  當(dāng)電壓輸入 VBULK 時(shí),電荷通過(guò)啟動(dòng)電阻 (Rst) 充入 VCG 引腳的電容 (CVCG)。因此,VCG 引腳的電壓會(huì)上升。當(dāng) VCG引腳電壓達(dá)到外部 HVMOSFET 的閾值電壓時(shí),源極跟隨器使 DRN 引腳電壓上升。

  DRN 引腳通過(guò)內(nèi)部 VDD 開(kāi)關(guān)與 VDD 引腳連接,VDD 電容 (CVDD) 從該 DRN 引腳充電。當(dāng) VDD 引腳電壓達(dá)到 UVLO閾值電壓時(shí),VDD 開(kāi)關(guān)關(guān)閉,內(nèi)部偏置電路工作,開(kāi)關(guān)啟動(dòng)。

  開(kāi)關(guān)啟動(dòng)后,VDD 電壓由輔助繞組通過(guò)外部二極管(DBIAS)提供。輔助繞組與次級(jí)繞組的繞線圈數(shù)之比以及次級(jí)繞組的電壓決定了輔助繞組的電壓。因此,只有在輔助繞組的電壓上升至高于 VDD 引腳電壓時(shí),才會(huì)提供 VDD 引腳電壓。必須設(shè)置 VDD 引腳的電容,以防止在此期間 VDD 引腳電壓下降到 UVLO 閾值電壓以下。DRN 引腳和 VDD 引腳之間需要一個(gè)外部肖特基二極管 (D1)。該二極管用于防止電流經(jīng)過(guò) VDD 開(kāi)關(guān)的體二極管。

  (5) 掉電過(guò)程

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