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低功耗6管SRAM單元設(shè)計(jì)方案

作者： 時(shí)間：2013-09-23 來源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; webkit-text-size-adjust: auto; webkit-text-stroke-width: 0px">　　一般而言，位線是產(chǎn)生動(dòng)態(tài)功耗的主要部分，所以說往往在讀/寫操作轉(zhuǎn)換過程中位線的變化會(huì)消耗主要的功耗，本文對(duì)傳統(tǒng)6T-SRAM和新型6T-SRAM單元結(jié)構(gòu)進(jìn)行了功耗仿真，如表1所示。

　　

低功耗6管SRAM單元設(shè)計(jì)方案

　　表1中可以看出，在傳統(tǒng)的6T-sRAM讀/寫過程中，對(duì)稱結(jié)構(gòu)的兩個(gè)位線電壓的變化是一致的，因而功耗是相同的。新型6T-SRAM單元功耗比傳統(tǒng)單元低了很多，這是因?yàn)樵谧x/寫操作的時(shí)候，參與工作的管子數(shù)量少，并且只有一個(gè)位線參與工作，并且在寫0的時(shí)候，由于位線是0，所以功耗很低。

　　2.4 讀/寫仿真

　　為了進(jìn)一步驗(yàn)證新型6T-SRAM讀/寫功能的正確性，以及與傳統(tǒng)6T-SRAM單元的比較，采用HSpice對(duì)兩種管子進(jìn)行了讀/寫仿真。如圖4-圖7所示。

　　

低功耗6管SRAM單元設(shè)計(jì)方案

　　

低功耗6管SRAM單元設(shè)計(jì)方案

　　新型6T-SRAM存儲(chǔ)單元的讀/寫仿真表明，單個(gè)存儲(chǔ)單元的讀/寫時(shí)間在0.2 ns內(nèi)，符合存儲(chǔ)器在高速狀態(tài)下運(yùn)行的需要。

　　3 結(jié)語

　　該SRAM單元是在0.18μm工藝下仿真的，新型SRAM采用漏電流保持技術(shù)，從而不需要刷新來維持?jǐn)?shù)據(jù)，并且仿真顯示功耗比較傳統(tǒng)SRAM低了很多，讀/寫速度方面比傳統(tǒng)SRAM慢了一點(diǎn)，但是這是在可以接受的范圍內(nèi)。

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