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如何合理構(gòu)建DAC 1ppm模數(shù)轉(zhuǎn)換精密儀器設計解決方案?

作者: 時間:2013-04-26 來源:網(wǎng)絡 收藏
為了提高儀器儀表系統(tǒng)的精度,數(shù)模轉(zhuǎn)換器的性能已經(jīng)突破16位,而以前必須采用笨重、昂貴、慢速的Kelvin-Varley分壓器才能達到這一性能水平。

  然而,隨著時間的推移,市場和技術(shù)不斷發(fā)展,關(guān)于精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器的定義也已發(fā)生變化。半導體處理技術(shù)、設計和校準技術(shù)的發(fā)展使高線性度數(shù)模轉(zhuǎn)換器成為可能。這種轉(zhuǎn)換器不僅穩(wěn)定性好、建立時間短,而且能提供優(yōu)于的20位性能。這類小型IC保證性能規(guī)格,無需校準且簡單易用。

   的應用范圍覆蓋從醫(yī)療MRI系統(tǒng)中的梯度線圈控制到質(zhì)譜測定、測試和測量應用中的精密源和定位。

  性能指標

  如何合理構(gòu)建DAC 1ppm模數(shù)轉(zhuǎn)換精密儀器設計解決方案?

  圖1所示電路提供性能,其關(guān)鍵技術(shù)指標是積分非線性度、微分非線性度和0.1Hz至10Hz峰峰值噪聲。

  圖1中,U1是一個具有1ppm線性度指標的20位.U2是一個精密雙通道放大器,用作DAC基準電壓輸入的驅(qū)動-檢測緩沖器。U3是一個精密輸出緩沖器,用于驅(qū)動負載,其關(guān)鍵要求與基準電壓緩沖器相似,其中包括低噪聲、低失調(diào)電壓、低漂移和低輸入偏置電流。

  雖然有1ppm以下的精密元件可供使用,但構(gòu)建1ppm系統(tǒng)并非易事,不可等閑視之。1ppm精度電路中的主要誤差源為噪聲、溫度漂移和熱電電壓。

  *噪聲

  為實現(xiàn)真正的1ppm系統(tǒng),必須將噪聲降至最低水平。U1的噪聲頻譜密度為7.5 nV/vHz.U2和U3的額定噪聲密度為2.8 nV/vHz,遠遠低于DAC的噪聲貢獻。

  寬帶噪聲可以通過濾波消除,但0.1Hz至10Hz范圍內(nèi)的低頻噪聲(1/f)卻無法濾除。要盡量降低這一噪聲,最有效的方法在于器件優(yōu)化和選擇。U1在 0.1Hz至10Hz帶寬下產(chǎn)生0.6μV p-p噪聲,遠低于1LSB(對于±10V輸出,1LSB = 19μV)。系統(tǒng)中1/f噪聲的設計目標值應為0.1LSB或2μV左右。信號鏈中的三個放大器在電路輸出端總共產(chǎn)生大約0.2μV p-p的噪聲。加上U1的0.6μV p-p噪聲,預計總1/f噪聲為0.8μV p-p.

  *溫度漂移

  溫度漂移是精密電路中的另一個主要誤差源。U1的溫度系數(shù)為0.05ppm/℃。U2的漂移系數(shù)為0.6μV/℃,即總體會向電路中引入0.03ppm /℃的漂移。同時U3再貢獻0.03ppm/℃的輸出漂移,這樣三者相加后為0.11 ppm/℃。對于調(diào)節(jié)和增益電路,建議使用低漂移、熱匹配電阻網(wǎng)絡,如Vishay的300144Z和300145Z.

  *熱電電壓

  熱電電壓是塞貝克(Seebeck)效應的結(jié)果:異質(zhì)金屬結(jié)面處會產(chǎn)生與溫度相關(guān)的電壓。所產(chǎn)生的電壓在0.2μV/℃(銅-銅結(jié)面)至1mV/℃(銅-銅氧化物結(jié)面)之間。

  熱電電壓表現(xiàn)為與1/f噪聲相似的低頻漂移。使所有連接保持整潔,消除氧化物,并且屏蔽電路使其不受氣流影響,可以大幅降低熱電電壓。下圖顯示了開放式電路與屏蔽式電路在電壓漂移上的差異。

  開放式電路與屏蔽式電路在電壓漂移上的差異。

  開放式系統(tǒng)和封閉式系統(tǒng)的電壓漂移與時間關(guān)系長期穩(wěn)定性

  精密模擬IC雖然很穩(wěn)定,但確實會發(fā)生長期老化變化。DAC的長期穩(wěn)定性一般好于0.1ppm/1000小時,但老化不具累積性質(zhì),而是遵循平方根規(guī)則。若某個器件的老化速度為1ppm/1000小時,則2000小時老化2ppm,3000小時老化3ppm,依此類推。一般地,溫度每降低25°C,時間就會延長10倍;因此,當工作溫度為100°C時,在10000小時的期間(約60星期),預計老化為0.1ppm.以此類推,在10年期間,預計老化為 0.32ppm.

  電路構(gòu)建和布局

  在注重精度的電路中,精心考慮電源和接地回路布局有助于確保達到額定性能。在設計PCB時,應采用模擬部分與數(shù)字部分相分離的設計,并限制在電路板的不同區(qū)域內(nèi)。

  必須采用足夠大(10μF)的電源旁路電容,與每個電源上的0.1μF電容并聯(lián),并且盡可能靠近封裝。這些電容應具有低等效串聯(lián)電阻和低等效串聯(lián)電感。各電源線路上若串聯(lián)一個鐵氧體磁珠,則可進一步降低通過器件的高頻噪聲。

  電源線路應采用盡可能寬的走線,以提供低阻抗路徑,并減小電源線路上的毛刺噪聲影響。時鐘等快速開關(guān)信號應利用數(shù)字地屏蔽起來,以免向電路板上的其它器件輻射噪聲,并且絕不應靠近基準輸入或位于封裝之下。避免數(shù)字信號與模擬信號交叉,且它們在電路板相反兩側(cè)上的走線應彼此垂直,以減小電路板的饋通影響。

  構(gòu)建1ppm解決方案

  一種典型的現(xiàn)代1ppm解決方案由兩個16位數(shù)模轉(zhuǎn)換器構(gòu)成——一個主DAC和一個輔助DAC.其輸出經(jīng)縮放和組合后產(chǎn)生更高的分辨率。主DAC輸出與經(jīng)衰減的輔助DAC輸出相加,使輔助DAC填補主DAC LSB步長之間的分辨率間隙。

  組合后的輸出需要具備單調(diào)性,但線性度無需極高,因為高性能是通過精密器的恒定電壓反饋取得的,該轉(zhuǎn)換器會校正固有的元件誤差。因此,電路精度受 ADC的限制而不受限于DAC.然而,由于要求恒定電壓反饋以及不可避免的環(huán)路延遲,這種解決方案速度較慢,建立時間可能長達數(shù)秒。

  盡管這種電路能夠取得1ppm的精度,但設計難度較大,很可能需要重復設計多次,而且需要通過軟件引擎和精密ADC來實現(xiàn)目標精度。為了保證1ppm的精度,ADC還需進行校準,因為目前市場上還沒有保證1ppm線性度的ADC.此處所示框圖只是概念的展示,真實的電路要復雜得多,涉及多個增益、衰減和求和級,并包括許多元件。

  同時還需要數(shù)字電路,以方便DAC與ADC之間的接口,更不用說用于誤差校正的軟件了。



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