13bit 40MS/s流水線ADC中的采樣保持電路設(shè)計(jì)

本文對流水線ADC的采樣保持電路的結(jié)構(gòu)以及主要模塊如增益提高型運(yùn)算放大器電路、共模反饋電路和開關(guān)電路進(jìn)行了分析，并對各個(gè)模塊進(jìn)行了設(shè)計(jì)，最終設(shè)計(jì)出一個(gè)適合于13 bit 40 MHz流水線ADC的采樣保持電路，仿真結(jié)果表明，該采樣保持電路滿足設(shè)計(jì)要求。

　　1 采樣保持電路結(jié)構(gòu)

　　采樣保持電路的結(jié)構(gòu)直接決定了采樣保持電路的精度和速度，圖1為常用的兩種全差分結(jié)構(gòu)：電荷再分布型和電容翻轉(zhuǎn)型。全差分結(jié)構(gòu)能夠很好地消除直流偏置和偶次諧波失真，并抑制來自襯底的共模噪聲。

　　與電荷再分布型結(jié)構(gòu)相比較，電容翻轉(zhuǎn)型結(jié)構(gòu)的反饋系數(shù)為1，是電荷轉(zhuǎn)移型(在Cs=Cf=C時(shí)，反饋系數(shù)為0.5)的兩倍，因此在同樣的閉環(huán)帶寬時(shí)，電容翻轉(zhuǎn)式結(jié)構(gòu)所要求的運(yùn)放單位增益帶寬(GBW)只是電容電荷再分布式GBW的一半，所以電容翻轉(zhuǎn)型結(jié)構(gòu)具有功耗小的優(yōu)點(diǎn)[3]。另外由于電荷再分布型電路需要使用4個(gè)電容，但電容翻轉(zhuǎn)型只需要2個(gè)電容，在CMOS工藝中，電容需要大的實(shí)現(xiàn)面積，電容翻轉(zhuǎn)型結(jié)構(gòu)具有小的實(shí)現(xiàn)面積。因此，電容翻轉(zhuǎn)型更適合高速高精度的流水線ADC應(yīng)用，本文的采樣保持電路采用電容翻轉(zhuǎn)式結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)。

　　2 增益提高型放大器的設(shè)計(jì)

　　運(yùn)算放大器是整個(gè)采樣保持電路中最重要的模塊，它的增益和帶寬直接決定了采樣保持電路的精度和速度。但增益和帶寬是相互矛盾的，高增益要求使用多級放大器、小的偏置電流、長溝道器件;而大帶寬則要求使用單級放大器、大的偏置電流、短溝道器件，所以放大器是采樣保持電路設(shè)計(jì)的一個(gè)難點(diǎn)。

　　本文主運(yùn)算放大器采用全差分的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)，并用增益提高技術(shù)來提高放大器的增益，達(dá)到了高增益和大帶寬的要求[4-5]。主運(yùn)算放大器電路如圖2 所示，由于NMOS管的遷移率高于PMOS管，在跨導(dǎo)相同的情況下，NMOS管具有較小的面積，從而使得運(yùn)算放大器具有較小的輸入電容，有利于提高采樣保持電路的反饋系數(shù)，所以本文采用了NMOS管作為輸入對管的折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)。兩個(gè)輔助運(yùn)算放大器BN和BP分別為NMOS和PMOS管作為輸入對管的折疊式共源共柵放大器。圖2 中的CMFB模塊為主運(yùn)算放大器的共模反饋電路，由于主運(yùn)放的輸出擺幅較大，所以采用如圖3(a)所示的開關(guān)電容共模反饋電路，開關(guān)電容共模反饋不會(huì)受輸出擺幅產(chǎn)生限制，并且其只有靜態(tài)功耗。對于兩個(gè)輔助運(yùn)放而言，由于其輸出和輸入范圍很小，所以采用如圖3(b)所示的連續(xù)時(shí)間共模反饋電路，這種電路沒有電容，節(jié)省了面積。圖2(b)為主運(yùn)算放大器在負(fù)載電容為6 pF時(shí)的頻率特性曲線,其增益為133 dB，帶寬約為478 MHz，相位余度為59.7度。整個(gè)放大器(包括偏置電路、輔助運(yùn)放、共模反饋電路)消耗的平均電流為8.5 mA。