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LED恒流驅(qū)動電路研究與設(shè)計

作者: 時間:2012-07-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
TEXT-TRANSFORM: none; COLOR: rgb(0,0,0); TEXT-INDENT: 0px; PADDING-TOP: 0px; WHITE-SPACE: normal; LETTER-SPACING: normal; BACKGROUND-COLOR: rgb(255,255,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  當(dāng)VDS》VGS-VTHN時,MOS管處于飽和區(qū):

  LED恒流驅(qū)動電路研究與設(shè)計

  當(dāng)V DS 《 VGS - V THN時, MOS 管處于線性區(qū):

  LED恒流驅(qū)動電路研究與設(shè)計

  若某一原因?qū)е逻\(yùn)放同相端輸入電壓增大,會使得M0柵電壓增加。而I_rset對于固定的外設(shè)電阻是恒定的,故M0的漏電壓減小,從而M1的柵電壓減小,漏電壓增加,即運(yùn)放的反相端電壓也隨之增加,反之亦然。這一結(jié)構(gòu)保證運(yùn)放的同相端和反相端輸入電壓始終保持相等,即保證M1和M2的漏電壓相等。同時M1和M2的共柵連接方式使得兩者的柵電壓相等。由式(1)、(2)可以看出,只要保證M1和M2的柵、漏電壓均相等,驅(qū)動電流Iout與I_rset就會滿足一個線性的比例關(guān)系,比例系數(shù)依賴于M1和M2的寬長比的比值。而對于一個固定的外設(shè)電阻,I_rset是固定不變的,電路可以利用此關(guān)系在M2尚處于線性區(qū)時就可以輸出,顯著的降低輸出的工作電壓。這一結(jié)構(gòu)要求電路中的運(yùn)放的線性區(qū)的工作范圍寬,即保證在M2處于線性區(qū)時,運(yùn)放一直能夠正常放大,保證M1和M2的漏源電壓相等。當(dāng)同相端的增加量使得運(yùn)算放大器已經(jīng)進(jìn)入到飽和區(qū)時,盡管反饋結(jié)構(gòu)不再起作用,但M2已經(jīng)可以利用飽和區(qū)特性實(shí)現(xiàn)恒流輸出,I_reST不變使得飽和區(qū)的恒流值與線性區(qū)一致,兩個工作區(qū)的曲線擬合在一起,形成最終的恒流輸出曲線。

  三種結(jié)構(gòu)的恒流工作電壓和驅(qū)動電流最大誤差如表1所示。三種結(jié)構(gòu)的I_rset均是同一簡單電流鏡產(chǎn)生的1mA電流,驅(qū)動電流與I_rset的比例關(guān)系均設(shè)置為1:50,外接電壓的工作范圍均為0V~5V.

  表1 三種結(jié)構(gòu)恒流工作電壓及驅(qū)動電流最大誤差比較

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  可以看出,圖1中(c)的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)顯著降低恒流工作電壓的目的。總體電路中的恒流驅(qū)動模塊采用該結(jié)構(gòu)。

  恒流驅(qū)動的總體電路如圖2所示,圖中控制電路部分用于控制是否有恒流輸出。ctr信號是外接PWM數(shù)字信號,可以實(shí)現(xiàn)對的調(diào)光控制。

  整個控制模塊利用施密特觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)電平的準(zhǔn)確翻轉(zhuǎn),通過邏輯門作用于MC8、MC9.這兩個MOS管在控制信號發(fā)生翻轉(zhuǎn)時迅速將電平拉高或拉低,實(shí)現(xiàn)了對控制信號控制功能的加速作用,電路的響應(yīng)速度快。當(dāng)ctr信號為高時輸出禁止,ctr信號為低時輸出允許,從而實(shí)現(xiàn)利用外部的PWM信號實(shí)現(xiàn)調(diào)光功能。I_rset產(chǎn)生電路要實(shí)現(xiàn)通過外設(shè)電阻Rset對I_rest大小的控制,并且對與固定的Rset可以恒流輸出。利用帶隙電壓源產(chǎn)生一個基準(zhǔn)電壓,利用運(yùn)放實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)電壓到基準(zhǔn)電流的轉(zhuǎn)換。將運(yùn)放的反相端連接到外設(shè)電阻Rset就實(shí)現(xiàn)了轉(zhuǎn)換的電流大小受控于Rset.通過后續(xù)電路將電流適當(dāng)放大,最終給出I_rset.總體電路利用確立好的恒流驅(qū)動模塊實(shí)現(xiàn)恒流輸出。

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  圖2 恒流總圖

3 仿真測試結(jié)果

  采用圖2電路結(jié)構(gòu),基于CSMC0.5umBCD工藝庫進(jìn)



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