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基于專用晶體管的非對(duì)稱Doherty技術(shù)

作者: 時(shí)間:2011-12-05 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
引言

  通用對(duì)稱放大器現(xiàn)已在蜂窩基站中廣泛使用。

  飛思卡爾半導(dǎo)體針對(duì)2.11GHz~2.17GHz頻段的3G市場(chǎng)推出的方案是,提供包含兩個(gè)專用LDMOS器件的芯片集,用于拓?fù)洹T摲糯笃鞯哪繕?biāo)是要實(shí)現(xiàn)56dBm的峰值功率,以便在放大器輸出實(shí)現(xiàn)50W~60W的平均功率,并提供適當(dāng)余量以使用當(dāng)前的3G信號(hào):峰均功率比(PAR)在6dB~7dB之間的兩個(gè)WCDMA載頻。

  現(xiàn)有設(shè)計(jì)要與更高性能的放大器之間實(shí)現(xiàn)平滑過渡,必須采用下列設(shè)計(jì)選項(xiàng):在載頻和峰值器件之間應(yīng)用1dB電平,優(yōu)化內(nèi)部匹配網(wǎng)絡(luò)來允許寬帶放大器設(shè)計(jì)(是規(guī)定帶寬的3倍)。此外,為提高視頻帶寬(VBW),減少對(duì)存儲(chǔ)器的影響,抑制調(diào)整和簡(jiǎn)化放大器設(shè)計(jì)人員的現(xiàn)場(chǎng)工作,專門設(shè)計(jì)了特定偏置電路,集成在中。

  綜合偏置法

  AB類偏置電路是為了給RF柵極提供一個(gè)電壓,以固定靜電流(Idq)。為實(shí)現(xiàn)這一目的,必須在帶RF的相同芯片上集成小型參考晶體管,并在其里面注入靜電流刻度值。該參考的柵壓復(fù)制到RF晶體管柵極。在參考和RF晶體管之間插入一個(gè)緩沖器,以視頻頻率提供很低的阻抗,從而抑制任何外部柵極解耦。緩沖器電壓直接從RF晶體管(Vdd)的漏極中獲取。此類配置提供理想的、非??焖俚臒嵫a(bǔ)償,這在外部是不能實(shí)現(xiàn)的。

  圖1所示為偏置電路的電氣示意圖。

  

偏置電路電氣示意圖

  圖1 偏置電路電氣示意圖

  在中,載流子(主)放大器使用AB類偏置,峰值(從)放大器將使用C類偏置。設(shè)置峰值偏置的常用方法是,評(píng)估AB類柵壓,然后應(yīng)用固定的電壓增量來控制峰值開始出現(xiàn)的點(diǎn)。C類偏置由原來的AB類偏置電路演變而來,AB類設(shè)置通常在內(nèi)部是固定的,Vdelta 是唯一可外部控制的。在這兩個(gè)偏置電路中,可輕松發(fā)現(xiàn)它們還提供流程補(bǔ)償,在生產(chǎn)中不需要任何調(diào)整。

  載流子和峰化晶體管

  載流子和峰化晶體管設(shè)計(jì)用于滿足綜合偏置電路的要求,同時(shí)允許寬頻匹配和高阻抗。圖2所示為一個(gè)載流子晶體管的內(nèi)部示意圖,其中活動(dòng)芯片包括RF晶體管、偏置電路和輸入預(yù)匹配元素。

  

載流子(主)晶體管示意圖

  圖2 載流子(主)晶體管示意圖

  輸入口添加了系列電容器,以便將柵壓與外部控制電壓隔開,從而允許使用常規(guī)的2引腳封裝。輸出預(yù)匹配基于一個(gè)2小區(qū)的網(wǎng)絡(luò),同時(shí)實(shí)現(xiàn)高阻抗和寬帶功能。

  峰值晶體管基于相同技術(shù),只不過它采用C類偏置電路。預(yù)匹配單元只需略微修改,就能適應(yīng)載流子和峰化器件(1dB)之間柵極外設(shè)的不同。峰值晶體管內(nèi)部示意圖如圖3所示。

  

峰值(從)晶體管示意圖

  圖3 峰值(從)晶體管示意圖

  與占用幾乎相同硅面積的載流子芯片相比,峰值芯片由于利用Doherty操作中峰值晶體管功耗更低這一優(yōu)勢(shì),因而密度更緊湊。因此,兩個(gè)晶體管可采用相同的封裝。以這兩款晶體管為基礎(chǔ)設(shè)計(jì)了單體放大器,并從RF和DC的角度驗(yàn)證了其性能。功耗為1dB時(shí),載流子晶體管的功率為160W,而峰值晶體管的功率為200W。兩個(gè)偏置電路的熱補(bǔ)償在AB類中幾乎都非常理想(峰值晶體管用Vdelta=0V來測(cè)試)。值得注意的是,LDMOS晶體管里門限電壓的熱系數(shù)與電流有關(guān)。AB類和C類中需要應(yīng)用不同的系數(shù)。

最終采用兩個(gè)晶體管的Doherty放大器使用了Wilkinson輸入分配器,該分配器當(dāng)然是的,而輸出合成器是一個(gè)使用四分之一波長(zhǎng)變壓器(非對(duì)稱電平為1dB)的常規(guī)設(shè)備。PCB材料是來自Taconic的RF35,其絕緣厚度是0.51mm(20mils),足以滿足業(yè)內(nèi)當(dāng)前使用的PCB的要求。

  圖4所示為載頻放大器拓?fù)鋱D。

  

載頻放大器拓?fù)鋱D

  圖4 載頻放大器圖

  此處顯示的簡(jiǎn)單柵極DC偏置網(wǎng)絡(luò)包括一個(gè)1kΩ的串聯(lián)電阻器,因?yàn)镮C里集成了所有必須的低頻解耦電容器。

  CW測(cè)量結(jié)果

  Doherty放大器測(cè)量首先在小信號(hào)下的CW中執(zhí)行,在矢量網(wǎng)絡(luò)分析器(VNA)上提供快速掃頻。

  圖5所示為寬帶響應(yīng)曲線,允許對(duì)放大器進(jìn)行“全面檢查”。

  

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  圖5 寬帶S參數(shù)

  該放大器采用AB類偏置,在1dB壓縮點(diǎn)時(shí)可提供55dBm(315W)功率,3dB壓縮點(diǎn)時(shí)提供56dBm(400W)功率。Doherty運(yùn)行的優(yōu)化策略現(xiàn)在變?yōu)檎{(diào)整峰值偏置,實(shí)現(xiàn)在55dBm功率時(shí)獲得3dB壓縮點(diǎn)。圖6所示為整個(gè)UMTS頻段的功率掃描結(jié)果。

  

基于專用晶體管的非對(duì)稱Doherty技術(shù)

  圖6 增益和漏極效率,CW功率掃描

  Doherty的影響可從增益和效率曲線圖上看到。注意,由于測(cè)試臺(tái)限制,效率不能通過快速功率掃描測(cè)得,而需要通過純CW信號(hào)測(cè)得,這正好可以解釋曲線右側(cè)末端缺失的原因(消耗的功率太高)?,F(xiàn)在已經(jīng)在各種溫度上進(jìn)行了測(cè)量,如圖7所示,熱補(bǔ)償基本上比較理想。

  

基于專用晶體管的非對(duì)稱Doherty技術(shù)

  圖7 增益和輸出電壓,溫度補(bǔ)償結(jié)果

  這證明集成偏置電路的功能能夠滿足AB類和C類操作的需求,并且能夠讓熱系數(shù)適應(yīng)這個(gè)偏置水平。

視頻帶寬對(duì)3G放大器很重要。為了使自適應(yīng)預(yù)失真系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)良好的線性,放大器需要正確放大調(diào)制信號(hào),提供比應(yīng)用的初始信號(hào)更寬的頻帶。事實(shí)上,放大器輸入處出現(xiàn)的額外失真有望抵消輸出生成的失真,頻帶超出初始頻帶數(shù)倍。設(shè)計(jì)的目標(biāo)是支持帶兩個(gè)載頻的WCDMA應(yīng)用,間隔為5MHz,這意味著信號(hào)頻率需要為10MHz左右,而VBW的目標(biāo)是40MHz。如圖8所示,在常規(guī)雙音調(diào)測(cè)試中,共鳴的頻率大約為60MHz。

  

基于專用晶體管的非對(duì)稱Doherty技術(shù)

  圖8 雙音調(diào)測(cè)試,視頻帶寬

  這一限制來自漏極饋線與晶體管內(nèi)部電容器的共鳴(Cd以及匹配元素)。輸入產(chǎn)生的影響無法觀察。因?yàn)榧善玫木壒?根據(jù)模擬所做的估算),可以假定100MHz以上的頻率產(chǎn)生影響??傊?,當(dāng)UMTS波段達(dá)到28V時(shí),CW可實(shí)現(xiàn)下列性能:56dBm峰值功率,8dB時(shí)可從峰值功率中獲得17dB增益,8dB時(shí)可從峰值功率中實(shí)現(xiàn)42%的效率,VBW=60MHz(共鳴)。

  綜合信號(hào)結(jié)果

  評(píng)估的第二部分是復(fù)雜的信號(hào)測(cè)量。測(cè)試使用的信號(hào)是2個(gè)WCDMA載頻,采用5MHz為間隔并進(jìn)行削波,以使PAR=6.5dB。所有測(cè)量都是在2.14GHz頻率時(shí)完成的,其中Vdd=28V,測(cè)試臺(tái)上配置有數(shù)字自適應(yīng)預(yù)失真器。該設(shè)備專用于提供關(guān)于Doherty線性化和可實(shí)現(xiàn)的最大性能的信息。

  圖9所示為數(shù)字預(yù)失真(DPD)之前和之后的鄰信道功率(ACP)和輸出平均功率之比。

  

基于專用晶體管的非對(duì)稱Doherty技術(shù)

  圖9 調(diào)制信號(hào)測(cè)試,2載頻WCDMA ACP

  可以看到,在功率高達(dá)49.5dBm時(shí),線性化能夠刪除幾乎所有失真。高于這個(gè)電平就不可能了。49.5dBm(90W)是放大器開始對(duì)信號(hào)進(jìn)行削波的電平,這意味著此電平的輸出峰值功率會(huì)上升為56dBm(49.5dBm+6.5dB)。 這與前面的CW測(cè)量有密切的關(guān)系。

  還有一個(gè)非常有意思的現(xiàn)象,即線性化曲線在49.5dBm時(shí)出現(xiàn)明顯的“拐彎”。這意味著,在信號(hào)飽和并發(fā)生削波之前,放大器不會(huì)生成難以消除的失真或?qū)Υ鎯?chǔ)器造成較大的影響。為了對(duì)這些內(nèi)容進(jìn)行確認(rèn),對(duì)圖10進(jìn)行觀察,會(huì)發(fā)現(xiàn)線性化后輸出信號(hào)的PAR幾乎是在50dBm時(shí)獲得的,這也確認(rèn)了放大器的飽和功率電平。

  


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