DS2433設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)镈S24B33 4Kb 1-Wire EEPROM
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| 注20： | 當(dāng)TA升高時(shí)，有效的寫次數(shù)會降低。 |
| 注21： | 未進(jìn)行100%生產(chǎn)測試；由可靠性抽樣監(jiān)測保證。 |
影響：+25°C時(shí)，DS24B33至少是DS2433的4倍。未給出DS2433在+85°C時(shí)的使用壽命。
說明：該參數(shù)規(guī)定存儲器沒有重新寫入數(shù)據(jù)(刷新)時(shí)，能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性的時(shí)間。通常情況下，數(shù)據(jù)保持時(shí)間遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于所給定的最小值。
摘自DS2433數(shù)據(jù)資料
| SYMBOL | CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNITS | NOTES |
沒有規(guī)定。
摘自DS24B33數(shù)據(jù)資料
| SYMBOL | CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNITS | NOTES |
| At +85°C |
| 注22： | TA升高時(shí)，數(shù)據(jù)保持時(shí)間下降。 |
| 注23： | 短時(shí)間內(nèi)，100%高溫生產(chǎn)測試保證；該生產(chǎn)測試等效于數(shù)據(jù)資料中的工作溫度范圍，這些數(shù)據(jù)是在可靠性測試中確定的。 |
| 注24： | 超出數(shù)據(jù)保持時(shí)間后，或許不能正常寫入EEPROM。不建議長時(shí)間儲存在高溫下，+125°C下儲存10年或+85°C下儲存40年后，器件可能喪失寫能力。 |
影響：DS24B33滿足當(dāng)前工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
- ROM功能“Resume”
說明：與許多新推出的1-Wire從器件一樣，DS24B33支持網(wǎng)絡(luò)功能命令Resume。一旦通過Match ROM、Search ROM或Overdrive Match ROM成功選中DS24B33，Resume命令即允許再次讀/寫相同器件，無需指定64位注冊碼。
影響：對于存在多個(gè)從器件的網(wǎng)絡(luò)，Resume能夠減輕多次讀/寫同一器件的通信開銷，例如，隨機(jī)讀取存儲器或更新存儲器數(shù)據(jù)。DS24B33支持該命令，DS2433則不支持該命令，所以應(yīng)用中可據(jù)此在電氣特性上區(qū)分這兩個(gè)部件。 - 1-Wire前端
說明：前端是芯片內(nèi)部支持訪問器件資源(例如存儲器)通信協(xié)議的電路。前端決定了在嘈雜環(huán)境下通信波形的定時(shí)容差和1-Wire從器件的性能。
影響：類似于多種新型1-Wire從器件，DS24B33前
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