集成電路板簡(jiǎn)介及分類應(yīng)用
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集成電路板是采用半導(dǎo)體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。它在電路中用字母“IC”（也有用文字符號(hào)“N”等）表示。
1.世界集成電路的發(fā)展歷史
1947年：貝爾實(shí)驗(yàn)室肖克萊等人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個(gè)里程碑；
1950年：結(jié)型晶體管誕生；
1950年： R Ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝；
1951年：場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明；
1956年：C S Fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝；
1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史；
1960年：H H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝；
1962年：美國RCA公司研制出MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shù)，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝；
1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預(yù)測(cè)晶體管集成度將會(huì)每18個(gè)月增加1倍；
1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門）；
1967年：應(yīng)用材料公司（Applied Materials）成立，現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司；
1971年：Intel推出1kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM），標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)；
1971年：全球第一個(gè)微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個(gè)里程碑式的發(fā)明；
1974年：RCA公司推出第一個(gè)CMOS微處理器1802；
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；
1978年：64kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個(gè)晶體管，標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時(shí)代的來臨；
1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺(tái)PC；
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；
1985年：80386微處理器問世，20MHz；
1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個(gè)晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段；
1989年：1Mb DRAM進(jìn)入市場(chǎng)；
1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝；
1992年：64M位隨機(jī)存儲(chǔ)器問世；
1993年：66MHz奔騰處理器推出,采用0.6μｍ工藝；
1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工藝；
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μｍ工藝；
1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μｍ工藝，后采用0.18μm工藝；
2000年: 1Gb RAM投放市場(chǎng)；
2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μｍ工藝；
2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工藝。
2003年：奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。
2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。
2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。
2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。
2.我國集成電路的發(fā)展歷史
我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：
1965年-1978年：以計(jì)算機(jī)和軍工配套為目標(biāo)，以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn) 品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件；
1978年-1990年：主要引進(jìn)美國二手設(shè)備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時(shí)，以消費(fèi)類整機(jī)作為配套重點(diǎn)，較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化；
1990年-2000年：以908工程、909工程為重點(diǎn)，以CAD為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè)，為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。
1947年：貝爾實(shí)驗(yàn)室肖克萊等人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術(shù)發(fā)展中第一個(gè)里程碑；
1950年：結(jié)型晶體管誕生；
1950年： R Ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝；
1951年：場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明；
1956年：C S Fuller發(fā)明了擴(kuò)散工藝；
1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開創(chuàng)了世界微電子學(xué)的歷史；
1960年：H H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝；
1962年：美國RCA公司研制出MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管；
1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術(shù)，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝；
1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預(yù)測(cè)晶體管集成度將會(huì)每18個(gè)月增加1倍；
1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門）；
1967年：應(yīng)用材料公司（Applied Materials）成立，現(xiàn)已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造公司；
1971年：Intel推出1kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM），標(biāo)志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)；
1971年：全球第一個(gè)微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個(gè)里程碑式的發(fā)明；
1974年：RCA公司推出第一個(gè)CMOS微處理器1802；
1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世；
1978年：64kb動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個(gè)晶體管，標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時(shí)代的來臨；
1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺(tái)PC；
1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世；
1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；
1985年：80386微處理器問世，20MHz；
1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個(gè)晶體管，標(biāo)志著進(jìn)入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段；
1989年：1Mb DRAM進(jìn)入市場(chǎng)；
1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝；
1992年：64M位隨機(jī)存儲(chǔ)器問世；
1993年：66MHz奔騰處理器推出,采用0.6μｍ工藝；
1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μｍ工藝；
1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世,采用0.25μｍ工藝；
1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μｍ工藝，后采用0.18μm工藝；
2000年: 1Gb RAM投放市場(chǎng)；
2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μｍ工藝；
2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μｍ工藝。
2003年：奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。
2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。
2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。
2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀(jì)錄采用了領(lǐng)先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。
2.我國集成電路的發(fā)展歷史
我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：
1965年-1978年：以計(jì)算機(jī)和軍工配套為目標(biāo)，以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn) 品，初步建立集成電路工業(yè)基礎(chǔ)及相關(guān)設(shè)備、儀器、材料的配套條件；
1978年-1990年：主要引進(jìn)美國二手設(shè)備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時(shí)，以消費(fèi)類整機(jī)作為配套重點(diǎn)，較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化；
1990年-2000年：以908工程、909工程為重點(diǎn)，以CAD為突破口，抓好科技攻關(guān)和北方科研開發(fā)基地的建設(shè)，為信息產(chǎn)業(yè)服務(wù)，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。
評(píng)論